【摘要】第四章集成電路設(shè)計(jì)集成電路中的無(wú)源元件與互連線雙極和MOS集成電路比較集成電路中的無(wú)源元件與互連線集成電路中的電阻模型集成電路互連線l集成電路的無(wú)源元件主要包括電阻、電容和電感(一般很少用)。無(wú)源元件在集成電路中所占面積一般都比有源元件(如雙極晶體管、MOSFET等)要大。因此
2024-12-29 20:50
【摘要】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長(zhǎng)厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會(huì)被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,
2025-05-03 13:59
【摘要】第四章集成電路設(shè)計(jì)?集成電路中的無(wú)源元件與互連線???雙極和MOS集成電路比較集成電路中的無(wú)源元件與互連線????集成電路中的電阻模型?集成電路互連線?集成電路的無(wú)源元件主要包括電阻、電容和電感(一般很少用)。無(wú)源元件在集成電路中所占面積一般都比有源元件(如
2025-01-22 18:41
【摘要】微電子學(xué)概論第三章大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)(FundamentalsofLargeScaleIntergratedCircuit)?導(dǎo)論?半導(dǎo)體集成電路概述?CMOS集成電路基礎(chǔ)?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器集成電路參考書(shū)第三章大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)
2024-07-31 05:00
【摘要】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無(wú)線電系2022年?yáng)|?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
2024-08-12 14:45
【摘要】2022/4/141《集成電路設(shè)計(jì)概述》2022/4/142目的?認(rèn)識(shí)集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來(lái)?了解集成電路設(shè)計(jì)工藝?熟悉集成電路設(shè)計(jì)工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)興趣2022/4/143主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的
2025-04-16 22:59
【摘要】第四章第四章集成電路設(shè)計(jì)第四章集成電路是由元、器件組成。元、器件分為兩大類(lèi):無(wú)源元件電阻、電容、電感、互連線、傳輸線等有源器件各類(lèi)晶體管集成電路中的無(wú)源源件占的面積一般都比有源器件大。所以設(shè)計(jì)時(shí)盡可能少用無(wú)源元件,尤其是電容
2025-05-07 18:03
【摘要】2022/2/61《集成電路設(shè)計(jì)概述》2022/2/62目的?認(rèn)識(shí)集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來(lái)?了解集成電路設(shè)計(jì)工藝?熟悉集成電路設(shè)計(jì)工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)興趣2022/2/63主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的分類(lèi)
2025-01-12 14:11
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門(mén)的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來(lái)表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來(lái)表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門(mén)的功能會(huì)因制造過(guò)程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-01-12 01:07
【摘要】下一頁(yè)上一頁(yè)集成電路制造工藝——雙極集成電路制造工藝下一頁(yè)上一頁(yè)上一次課的主要內(nèi)容?CMOS集成電路工藝流程N(yùn)型(100)襯底的原始硅片NMOS結(jié)構(gòu)PMOS結(jié)構(gòu)P阱(well)隔離閾值調(diào)整注入柵氧化層和多晶硅柵NMOS管源漏注入PMOS管源漏注入接觸和互
2025-05-17 02:13
【摘要】電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-121第1章集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論1、微電子(集成電路)技術(shù)概述2、集成電路設(shè)計(jì)步驟及方法電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-122?“自底向上”(Bottom-up)“自底向上”的設(shè)計(jì)路線,即自工藝開(kāi)始,先進(jìn)行單元設(shè)計(jì),在精心設(shè)計(jì)
2025-05-02 03:20
【摘要】《集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》山東大學(xué)信息學(xué)院劉志軍BCEP+P+PMOSN+PN阱N阱縱向NPN-SUBP+N+N+NMOS-P-epiN+N+-BLN+-BL2022/2/13《集成電路設(shè)
2025-01-20 09:42
【摘要】審定成績(jī):序號(hào):25自動(dòng)控制原理課程設(shè)計(jì)報(bào)告題目:集成電路設(shè)計(jì)認(rèn)識(shí)學(xué)生姓名顏平班級(jí)0803院別物理與電子學(xué)院專(zhuān)業(yè)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)號(hào)14072500125指導(dǎo)老師易立華設(shè)計(jì)時(shí)間。15
2025-01-20 03:13
2025-07-18 18:10
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱(chēng)bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來(lái)表示),兩個(gè)重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-15 16:50