半導(dǎo)體制冷片工作原理(參考版)
2024-08-14 01:30本頁面
【正文】 熱容量=limQ/T 十三、水冷系統(tǒng)水冷系統(tǒng):水冷系統(tǒng)是以水冷式散熱法，顧名思義，此方法自然是利用水帶走熱量，相當(dāng)于汽車引擎散熱所用的水箱，利用水循環(huán)系統(tǒng)，由水帶走熱，平衡溫度越低，水溫越高，平衡溫度越高。E=Q+W:可看出熱力學(xué)第一定律表示能量守恒的關(guān)系，即物體內(nèi)能的增加E 等于傳入物體的熱量Q 與外界物體所做之功W的總和。Q為負(fù)值時，物體放熱。目前致冷器所采用的半導(dǎo)體材料最主要為碲化鉍(Bismuth Telluride)，加入不純物經(jīng)過處理而成N型或P型半導(dǎo)體，聽說市面上的致冷芯片都豎外進(jìn)口，并氟內(nèi)制造 ，因?yàn)槌杀景嘿F。以上就是致冷器的基本架構(gòu)。冷熱端分別由兩片陶瓷片所構(gòu)成，冷端要接熱源，也就是欲冷卻之物，如CPU，而熱端要接散熱片風(fēng)扇，將熱量排出。(2) 耐壓亦稱為最大反向耐壓(peak inverse voltage；簡稱PIV)，此電壓乃指不令二極管產(chǎn)生崩潰的最大反向電壓，規(guī)格表中多以VR表之。(4) 當(dāng)反向偏壓達(dá)到崩潰電壓VBD后，電流會迅速增加，此時必須由外加電阻R限制住IR，否則二極管會燒毀。整流二極體很少以鍺制造，也就是為了這個緣故。由此圖可得知： (1) 未崩潰以前，反向電流IR為固定值，不隨反向電壓而變動。表(1) 常溫時二極管的正向壓降注意！當(dāng)溫度升高的時候，二極管的正向壓降VF會降低，其降低量為 ΔVF = K ΔΔT = 溫度變化量，℃K = 硅為2 mV /℃， mV/℃由于晶體管的BE 極間也為PN接合，故也有負(fù)溫度特性，這使得晶體管電路的性能受到溫度所影響，故吾人常使用與晶體管同質(zhì)料（鍺或硅）的二極管作為晶體管的偏壓，以使兩者之△VF互相抵消。由特性曲線可看出二極管所加之正向偏壓低于切入電壓(cutiNvoltage)時，電流很小，一旦超過切入電 圖(11) 典型的二極管正向特性壓，電流IF既急速上升（此時IF的最大值是由外部電阻R加以限制）。 圖(10) 二極管欲詳知一個組件之特性并加以應(yīng)用，較佳的方法是研究此組件之VI（電壓電流）特性線。九、二極管之V1（電壓電流）特性把PN接合體加上兩根引線，并用塑料或金屬殼封裝起來，即成為二極管。此新生產(chǎn)之對子及電洞可從大反向偏壓中獲得足夠的能量去破壞其它共價鍵，這種過程不斷重復(fù)的結(jié)果，反向電流將大量增加，此種現(xiàn)象稱為崩潰。八
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