【正文】 系統(tǒng)的抗干擾措施該系統(tǒng)從軟件與硬件兩個(gè)方面來(lái)增強(qiáng)抗干擾措施，主要手段有：(1)外部輸入信號(hào)與控制系統(tǒng)信號(hào)不共地；(2)有的外部輸入信號(hào)輸入到單片機(jī)內(nèi)部之前都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的光耦電路加以隔離；(3)優(yōu)化PCB布線(xiàn)結(jié)構(gòu)，減少過(guò)孔，以降低寄生電容雜散電感的影響；(4)保證整個(gè)系統(tǒng)可靠接地；(5)外部信號(hào)采用屏蔽電纜線(xiàn)傳輸；(6)軟件上增加軟件濾波、看門(mén)口定時(shí)器與軟件陷阱等措施，保證軟件在出現(xiàn)死機(jī)、跑飛等。主循環(huán)程序不斷檢測(cè)系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài)，如果滿(mǎn)足復(fù)位條件便發(fā)出指令轉(zhuǎn)入復(fù)位子程序，迅速將電池板轉(zhuǎn)到適當(dāng)?shù)奈恢煤蟠龣C(jī)以等待新的指令；校驗(yàn)子程序?qū)ο到y(tǒng)重新進(jìn)行校驗(yàn)，并將新的位置檢驗(yàn)值存儲(chǔ)到單片機(jī)內(nèi)部自帶的E2PROM中作為新的位置基準(zhǔn)，他可以用來(lái)消除系統(tǒng)的累積誤差，同時(shí)也方便了系統(tǒng)的安裝與調(diào)試；系統(tǒng)通常運(yùn)行在自動(dòng)跟蹤狀態(tài)，單片機(jī)時(shí)刻檢測(cè)太陽(yáng)與電池板實(shí)際位置間的差值并結(jié)合啟動(dòng)條件發(fā)出相應(yīng)的PWM脈沖，來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)；此外主循環(huán)程序還不斷檢測(cè)當(dāng)前太陽(yáng)與電池板的位置，將位置信息通過(guò)數(shù)據(jù)總線(xiàn)與RS 232分別送到液晶顯示與PC機(jī)監(jiān)控軟件系統(tǒng)中，并將有關(guān)位置參數(shù)及時(shí)存到單片機(jī)的E2PROM中?？刂茊卧浖O(shè)計(jì)軟件是該控制系統(tǒng)的核心，除一些保護(hù)自鎖功能通過(guò)硬件實(shí)現(xiàn)外，大部分功能均通過(guò)軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，整個(gè)軟件采用C語(yǔ)言模塊化編程方式，易于系統(tǒng)的移植與集成。 (5)系統(tǒng)的保護(hù)功能主要包括大風(fēng)保護(hù)、電網(wǎng)掉電保護(hù)、振動(dòng)過(guò)大保護(hù)、限位開(kāi)關(guān)與接近開(kāi)關(guān)保護(hù)組成，單片機(jī)檢測(cè)到保護(hù)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)，便發(fā)出指令將系統(tǒng)停放在安全的位置上，確保整個(gè)系統(tǒng)不受損壞?？刂茊卧布O(shè)計(jì)由于采用了單片機(jī)作為主控制單元，大部分工作都由單片機(jī)在軟件中實(shí)現(xiàn)，從而簡(jiǎn)化了控制電路的硬件設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)要說(shuō)明主要控制部分的實(shí)現(xiàn)過(guò)程。系統(tǒng)功能說(shuō)明如下：?jiǎn)纹瑱C(jī)循環(huán)檢測(cè)光伏陣列的位置，并將其與計(jì)算出的此時(shí)本地太陽(yáng)的高度角與方位角進(jìn)行比較來(lái)確定光伏陣列是否跟蹤上太陽(yáng)的位置，如果沒(méi)有且啟動(dòng)信號(hào)滿(mǎn)足啟動(dòng)條件，單片機(jī)就發(fā)出指令驅(qū)動(dòng)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)；保護(hù)信號(hào)是保證系統(tǒng)在外界以及其他非人為因素情況下所執(zhí)行的一種操作指令，以確保系統(tǒng)不受損壞，從而提高了整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。自動(dòng)太陽(yáng)跟蹤器的控制方式主要有微處理器控制、PLC控制、DSP控制與模擬電路控制4種形式，根據(jù)以上原理，本項(xiàng)目選擇性?xún)r(jià)比較高的PIC16F877A單片機(jī)為控制核心，系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的具體原理框圖如圖所示：整個(gè)控制器主要由控制單元與驅(qū)動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)2部分組成。太陽(yáng)赤緯角與時(shí)角可以由本地時(shí)間確定，而對(duì)確定的地點(diǎn)，本地的緯度角也是確定，因此只要輸入當(dāng)?shù)叵嚓P(guān)地理位置與時(shí)間信息就可以確定此時(shí)此刻的太陽(yáng)位置。 該系統(tǒng)時(shí)刻檢測(cè)太陽(yáng)與光伏陣列的位置并將其輸入到控制單元，控制單元對(duì)這2個(gè)信號(hào)進(jìn)行比較并產(chǎn)生相應(yīng)的輸出信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使太陽(yáng)光時(shí)刻垂直入射到光伏陣列的表面上。本項(xiàng)目伺服系統(tǒng)以PIC16F877A單片機(jī)為控制核心，設(shè)計(jì)了一種自動(dòng)跟蹤太陽(yáng)高度角與方位角轉(zhuǎn)動(dòng)的自動(dòng)太陽(yáng)跟蹤器，該系統(tǒng)跟蹤準(zhǔn)確、能耗低、可靠性高、系統(tǒng)性能穩(wěn)定，發(fā)電效率提高35％以上。為了最大程度地利用太陽(yáng)能，高效能的太陽(yáng)能電池和先進(jìn)的太陽(yáng)發(fā)電自動(dòng)光源跟蹤系統(tǒng)（追日系統(tǒng)）必不可少。然而它也存在著間歇性、光照方向和強(qiáng)度隨時(shí)間不斷變化的問(wèn)題, 這就對(duì)太陽(yáng)能的收集和利用提出了更高的要求。組件測(cè)試：測(cè)試的目的是對(duì)電池的輸出功率進(jìn)行標(biāo)定，測(cè)試其輸出特性，確定組件的質(zhì)量等級(jí)。焊接接線(xiàn)盒：在組件背面引線(xiàn)處焊接一個(gè)盒子，以利于電池與其他設(shè)備或電池間的連接。邊框和玻璃組件的縫隙用硅酮樹(shù)脂填充。修邊：層壓時(shí)EVA熔化后由于壓力而向外延伸固化形成毛邊，所以層壓完畢應(yīng)將其切除。我們使用快速固化EVA時(shí)，層壓循環(huán)時(shí)間約為25分鐘。組件層壓：將敷設(shè)好的電池放入層壓機(jī)內(nèi)，通過(guò)抽真空將組件內(nèi)的空氣抽出，然后加熱使EVA熔化將電池、玻璃和背板粘接在一起；最后冷卻取出組件。敷設(shè)時(shí)保證電池串與玻璃等材料的相對(duì)位置，調(diào)整好電池間的距離，為層壓打好基礎(chǔ)。多出的焊帶在背面焊接時(shí)與后面的電池片的背面電極相連，將焊接好的電池串按正反順序排放到放有EVA的鋼化玻璃上。焊接用的熱源為一個(gè)紅外燈（利用紅外線(xiàn)的熱效應(yīng)）。以提高電池的利用率，做出質(zhì)量合格的電池組件。一、工藝流程電池檢測(cè)→自動(dòng)焊接→敷設(shè)→層壓→去毛邊（去邊、清洗）→裝邊框（涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠）→焊接接線(xiàn)盒→高壓測(cè)試→組件測(cè)試→外觀(guān)檢驗(yàn)→包裝入庫(kù)。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證，而且還增強(qiáng)了電池的抗擊強(qiáng)度。預(yù)燒結(jié)階段目的是使?jié){料中的高分子粘合劑分解、燃燒掉，此階段溫度慢慢上升；燒結(jié)階段中燒結(jié)體內(nèi)完成各種物理化學(xué)反應(yīng)，形成電阻膜結(jié)構(gòu)，使其真正具有電阻特性，該階段溫度達(dá)到峰值；降溫冷卻階段，玻璃冷卻硬化并凝固，使電阻膜結(jié)構(gòu)固定地粘附于基片上。當(dāng)銀電極和晶體硅在溫度達(dá)到共晶溫度時(shí)，晶體硅原子以一定的比例融入到熔融的銀電極材料中去，從而形成上下電極的歐姆接觸，提高電池片的開(kāi)路電壓和填充因子兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，使其具有電阻特性，以提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。由于漿料的粘性作用使印跡固著在一定范圍內(nèi)，印刷中刮板始終與絲網(wǎng)印版和基片呈線(xiàn)性接觸，接觸線(xiàn)隨刮刀移動(dòng)而移動(dòng)，從而完成印刷行程。其工作原理為：利用絲網(wǎng)圖形部分網(wǎng)孔透過(guò)漿料，用刮刀在絲網(wǎng)的漿料部位施加一定壓力，同時(shí)朝絲網(wǎng)另一端移動(dòng)。制造電極的方法很多，而絲網(wǎng)印刷是目前制作太陽(yáng)能電池電極最普遍的一種生產(chǎn)工藝。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當(dāng)?shù)奶岣?。一般情況下，使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。六、鍍減反射膜拋光硅表面的反射率為35%，為了減少表面反射，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要沉積一層氮化硅減反射膜。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崤c二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子，這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱(chēng)之為磷硅玻璃。五、去磷硅玻璃該工藝用于太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)制造過(guò)程中，通過(guò)化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸，以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。因?yàn)檎荘N結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導(dǎo)線(xiàn)將電流引出，就是直流電。這種方法制出的PN結(jié)均勻性好，方塊電阻的不均勻性小于百分之十，少子壽命可大于10ms。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過(guò)三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。去除硅片表面損傷層是太陽(yáng)電池制造的第一道常規(guī)工序，主要是通過(guò)化學(xué)腐蝕，硅片化學(xué)腐蝕的主要目的是消除切片帶來(lái)的表面損傷，同時(shí)也能起到一定的絨面效果，從而減少光反射。二、表面制絨首先用堿（或酸）腐蝕硅片，以去除硅片表面機(jī)械損傷。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線(xiàn)、微裂紋進(jìn)行檢測(cè)，并自動(dòng)剔除破損硅片。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測(cè)模塊。一、硅片檢測(cè)硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。④提高切割速度，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化切割。②斷面完整性好，消除拉絲、刀痕和微裂紋。本項(xiàng)目采用多線(xiàn)切割工藝。切片工藝技術(shù)直接關(guān)系到硅片的質(zhì)量和成品率。因此，硅片的切割，即通常所說(shuō)的切片，是整個(gè)硅片加工的重要工序。這一流程也包括了太陽(yáng)能電池制造階段硅片的表面處理工序，在連續(xù)生產(chǎn)中可以歸并。同時(shí)坩堝工作臺(tái)緩慢下降，使凝固好的硅錠離開(kāi)加熱區(qū)，維持固液界面有一個(gè)比較穩(wěn)定的溫度梯度，在這個(gè)過(guò)程中，要求工作臺(tái)下降非常平穩(wěn)，以保證獲得平面前沿定向凝固。工藝特點(diǎn)：工作臺(tái)通冷卻水，上置一個(gè)熱開(kāi)關(guān)，坩堝則位于熱開(kāi)關(guān)上。本項(xiàng)目生產(chǎn)所用結(jié)晶爐是采用熱交換與布里曼相結(jié)合的技術(shù)。布里曼法則是在硅料熔化后，將坩堝或加熱元件移動(dòng)使結(jié)晶好的晶體離開(kāi)加熱區(qū)，而液硅仍然處于加熱區(qū)，這樣在結(jié)晶過(guò)程中液固界面形成比較穩(wěn)定的溫度梯度，有利于晶體的生長(zhǎng)。在實(shí)際生產(chǎn)中，太陽(yáng)能電池多晶硅錠的定向凝固生長(zhǎng)方法主要有澆鑄法、熱交換法（H EM）、布里曼（B ridgem an）法、電磁鑄錠法，其中熱交換法與布里曼法通常結(jié)合在一起。通常在熱過(guò)冷及自由凝固的情況下會(huì)形成等軸晶，其特點(diǎn)是晶粒細(xì)，機(jī)械物理性能各向同性。爐內(nèi)的傳熱、傳質(zhì)、流體力學(xué)、化學(xué)反應(yīng)等過(guò)程都直接影響到單晶的生長(zhǎng)及生長(zhǎng)成的單晶的質(zhì)量，拉晶過(guò)程中可直接控制的參數(shù)有溫度場(chǎng)、籽晶的晶向、坩堝和生長(zhǎng)成的單晶的旋轉(zhuǎn)及提升速率，爐內(nèi)保護(hù)氣體的種類(lèi)、流向、流速、壓力等。本項(xiàng)目采用中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所研發(fā)的擁有先進(jìn)技術(shù)的CZ900A型單晶爐，是一種軟軸提拉型單晶爐，在惰性氣體（氬氣）的保護(hù)環(huán)境中，以石墨電阻加熱器，將多晶硅材料熔化，用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶棒的設(shè)備。目前國(guó)內(nèi)太陽(yáng)電池單晶硅硅片生產(chǎn)廠(chǎng)家大多采用這種技術(shù)。目前航天領(lǐng)域用的太陽(yáng)電池所用硅片主要用這種方式生長(zhǎng)。本項(xiàng)目確定生產(chǎn)單晶硅錠、多晶硅錠及硅片（WAFER）。第二節(jié) 單晶硅錠、多晶硅錠及硅片（WAFER）工藝技術(shù)方案目前世界太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，在所有安裝的太陽(yáng)能電池中，超過(guò)90% 以上的是晶體硅太陽(yáng)能電池，因此位于產(chǎn)業(yè)鏈前端的硅錠及硅片的生產(chǎn)對(duì)整個(gè)太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)有著很重要的作用。五、基礎(chǔ)設(shè)施條件重點(diǎn)實(shí)施了污水處理廠(chǎng)、水廠(chǎng)、變電站、路橋、熱力、綠化、雨污泵站、土方回填等“十大工程”建設(shè)，完善了基礎(chǔ)設(shè)施配套體系，基本實(shí)現(xiàn)道路、供電、供排水、通訊等“七通一平”，配套十分方便。東營(yíng)港、廣利港、飛機(jī)場(chǎng)和規(guī)劃建設(shè)中的黃東大鐵路、環(huán)渤海高速路和均近在遲遲，距濟(jì)南、青島、天津、北京分別為5小時(shí)的路程。萬(wàn)元生產(chǎn)總值能耗、二氧化硫和化學(xué)需氧量排放繼續(xù)下降。經(jīng)濟(jì)總量邁上新臺(tái)階。地?zé)豳Y源主要分布在渤海灣南新戶(hù)、太平、義和、孤島、五號(hào)樁地區(qū)及廣饒、利津部分地區(qū)，地?zé)岙惓^(qū)1150平方公里，1010立方米，1015千焦耳，108噸。沿海淺層鹵水儲(chǔ)量2億多立方米，深層鹽礦、鹵水資源主要分布在東營(yíng)凹陷地帶，推算儲(chǔ)量達(dá)1000多億噸。礦產(chǎn)資源主要有石油、天然氣、鹵水、煤、地?zé)帷⒄惩?、貝殼等。黃河是境內(nèi)主要客水水源，多年平均徑流量為358億立方米，年際間豐枯變化較大，近幾年年均引水量10億立方米左右，基本滿(mǎn)足了區(qū)域工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)用水和生態(tài)用水需要。水資源，多集中在夏季，大部分排入海洋，利用率較低。其中耕地、園地、林地、%；居民點(diǎn)、%；，%。近海在黃河及其它河流作用下，含鹽度低，含氧量高，有機(jī)質(zhì)多，餌料豐富，適宜多種魚(yú)蝦類(lèi)索餌、繁殖、洄游。東營(yíng)海域?yàn)榘敕忾]型，大部岸段的潮汐屬不規(guī)則半日潮，每日2次，~2米，大潮多發(fā)生于3~4月和7~11月，潮位最高超過(guò)5米。海水溫度、鹽度受大陸氣候和黃河徑流的影響較大。沿岸海底較為平坦，%，%?！?”。以黃河為分界線(xiàn)，黃河以南屬淮河流域，有小清河及其支流淄河、陽(yáng)河、泥河子、預(yù)備河，支脈河及其支流小河子、武家大溝、廣蒲河、五干排，廣利河及其支流溢洪河、東營(yíng)河、老廣蒲河、五六干合排、六干排，永豐河及其支流三排溝，張鎮(zhèn)河、小島河20條河流；黃河以北屬海河流域，有潮河及其支流褚官河、太平河，馬新河，沾利河，草橋溝，草橋溝東干流，挑河，神仙溝及其支流新衛(wèi)東河10條河流。比多年平均值少17%,屬枯水枯沙年份。1999年后，黃河水利委員會(huì)加大對(duì)沿黃地區(qū)引水的管理力度，斷流現(xiàn)象趨緩，2000~2007年實(shí)現(xiàn)不斷流。據(jù)利津水文站1950~2001年實(shí)測(cè)資料，(1964年)，(1997年)；最大流量為10400立方米每秒(1958年7月)，最小流量為斷流干河；，最大21億噸(1958年)，(1997年)。河流黃河?xùn)|營(yíng)段上起濱州界，自西南向東北貫穿東營(yíng)市全境，在墾利縣東北部注入渤海，全長(zhǎng)138公里。黃河穿境而過(guò)，背河方向近河高、遠(yuǎn)河低，背河自然比降為1/7000，河灘地高于背河地2~4米，形成“地上懸河”。地勢(shì)沿黃河走向自西南向東北傾斜。地形、地貌及地質(zhì)東營(yíng)市地處華北坳陷區(qū)之濟(jì)陽(yáng)坳陷東端，地層自老至新有太古界泰山巖群，古生界寒武系、奧陶系、石炭系和二疊系，中生界侏羅系、白堊系，新生界第三系、第四系；缺失元古界，古生界上奧陶統(tǒng)、志留系、泥盆系、下古炭統(tǒng)及中生界三疊系?！妫瑹o(wú)霜期長(zhǎng)達(dá)206天，≥10℃的積溫約4300℃，可滿(mǎn)足農(nóng)作物的兩年三熟。主要?dú)庀鬄?zāi)害有霜凍、干熱風(fēng)、大風(fēng)、冰雹、干旱、澇災(zāi)、風(fēng)暴潮災(zāi)等。二、自然條件氣候條件東營(yíng)市地處中緯度，背陸面海，受亞歐大陸和西太平洋共同影響，屬暖溫帶大陸性季風(fēng)氣候，氣候溫和，四季分明。東、北臨渤海。07 ′～119176。55′～38176。良好的基礎(chǔ)，可保證項(xiàng)目的順利實(shí)施、有效運(yùn)轉(zhuǎn)；項(xiàng)目的廠(chǎng)址選擇充分考慮企業(yè)的實(shí)際能力和長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展，做到了統(tǒng)籌兼顧、經(jīng)濟(jì)合理、優(yōu)化配置、節(jié)省資源。綜合分析廠(chǎng)址方案，認(rèn)為具有以下優(yōu)勢(shì)：符合規(guī)劃：本工程廠(chǎng)址位于XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX符合開(kāi)發(fā)區(qū)的規(guī)劃要求。二、產(chǎn)品方案太陽(yáng)能級(jí)晶體硅片規(guī)格：厚度200微米，邊長(zhǎng)125mm及以上的準(zhǔn)方形片或方形片產(chǎn)量：年產(chǎn)硅片約100 MW質(zhì)量指標(biāo)：型號(hào)電阻率(Ω㎝)厚度(m)尺寸(mm)氧含量碳含量TV(m)TTV(m)P180200125*125及以上準(zhǔn)方形11018 /㎝351016 /cm32030晶體硅太陽(yáng)能電池片規(guī)格：125*125mm及以上產(chǎn)量：年產(chǎn)晶體硅太陽(yáng)能電池片25 MW電池組件規(guī)格：?jiǎn)尉?25系列 單晶156系列 多晶156系列產(chǎn)量：年產(chǎn)太陽(yáng)能電池組件約200 MW質(zhì)量指標(biāo)：執(zhí)行國(guó)際IEC6121617美國(guó)UL、CE、VDE、ISO