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正文內(nèi)容

小功率調(diào)頻發(fā)射機高頻課程設(shè)計(參考版)

2025-06-29 19:04本頁面
  

【正文】 課程設(shè)計做完了,但我知道以后學(xué)習(xí)和工作中一定會有更多關(guān)于高頻方面的設(shè)計,這次設(shè)計給我打下了一個很好的基礎(chǔ), 我會繼續(xù)深入學(xué)習(xí),提高自己的動手設(shè)計能力。在實驗過程中,通過選取元件、確定電路形式、以及計算等 32 等,提高我們的動手能力,同時通過調(diào)試來發(fā)現(xiàn)自己的錯誤并分析及排除這些故障,使我們對小功率放大器的知識得到了加深!調(diào)頻發(fā)射是現(xiàn)在應(yīng)用最廣泛調(diào)制方式,調(diào)頻能很好的抑制寄生調(diào)幅,這次設(shè)計我也很好的理解它的抗干擾能力。通過這次實驗我們可以更好地鞏固和加深對小功率調(diào)頻發(fā)射機工作原理和非線性電子線路的進(jìn)一步理解。這次設(shè)計我最大的收獲就是學(xué)會了系統(tǒng)的計算電路的各個參數(shù),包括計算三極管的靜態(tài)工作點,阻抗匹配,求輸出阻抗,輸入阻抗,電壓增益,功率放大倍數(shù)等等。經(jīng)過兩周的努力,終于完成了這個小功率調(diào)頻發(fā)射課程設(shè)計,發(fā)射和接收時是高頻電子線路課程的核心內(nèi)容,我能夠設(shè)計出調(diào)頻發(fā)射機,心里高興。調(diào)節(jié)偏桿電阻可改變 T3 管的導(dǎo)通角?,F(xiàn)在來說說電路中一些元件的作用,其中 C3 為基極高頻旁路電容,RRRRR5 為 T1 管的偏置電阻,RR9 為變?nèi)荻O管提供直流偏置。用頻率計測出 TTT3 的發(fā)射極所發(fā)射的頻率是否在 12M HZ,如果不是,試著調(diào)節(jié) LLL3。學(xué)會基本的實驗技能,提高運用理論知識解決實際問題的能力。常用的輸出回路還有 L 型、T 型以及雙調(diào)諧回路等。調(diào)節(jié)偏置電阻可改變 T3 管的導(dǎo)通角。該級可工作于甲類以保證足夠的電壓放大。T2 緩沖放大級采用諧振放大,L2 和 C11 應(yīng)諧振在振蕩載波頻率上。調(diào)制音頻信號 加到變?nèi)荻O管改變振蕩頻率實現(xiàn)L調(diào)頻。調(diào)節(jié) CCP 可使高頻線性良好。采用分壓式偏置電路既有利于工作點穩(wěn)定,且振蕩建立后自給負(fù)偏置效應(yīng)有籃球振蕩幅度的穩(wěn)定。因要求的頻偏不大,故采用變?nèi)荻O管部份接入振蕩回路的直接調(diào)頻方式。 ??QoCf21 因 式中, ?QC——靜態(tài)時諧振回路的總電容,即 **543232???? 則回路總電容的變化量 pFfCfC oQm .??????? ??變?nèi)莨艿慕Y(jié)電容的最大變化量 pFpj 由變?nèi)荻O管 2CC1C 的 VCj?特性曲線可得,當(dāng) VQ4?時,特性曲線的斜率 kcj /./?,故調(diào)制信號的幅度Um853?? 則調(diào)制靈敏 FS為 kHzfF /? 元件清單 28 C1=、R1 為 10KΩ+20KΩ 電位器、R2=、R3=1KΩ、R4=1KΩ 3DG100 管子、C2=330PF、C3=750PF、C4=20PF、C5=20PF、L1=28uH、2CCIC 變?nèi)荻O管、C8=、C6= 、C7=5100pF 、ZL1=47uH、R5=150K Ω、R6=2 KΩ、 R7=10ΩK。高頻旁路電容 C7 應(yīng)對調(diào)制信號 Ui 呈現(xiàn)高阻,取 pFC50。隔離電阻 R5 應(yīng)遠(yuǎn)大于 RR 7,取 R5=150kΩ。則靜態(tài)時諧振回路的總電容為 )(7520***545432 pjQj ????????? 代入元件值可得 ?? 由公式 MHzLfQo521?? 可得 *41??? ③計算調(diào)頻電路元件值變?nèi)莨艿撵o態(tài)反偏壓 QV由電阻 6R與 7分壓決定,即 cRQ76?? 已知 VQ4,若取 ?k107,則 ?k206。則pFCj *15??? ,取標(biāo)稱值 FC205?。如果 C4 取幾十皮法,則 CC 3 在幾百皮法以上。比值 C2/ C3=F,決定反饋系數(shù)的大小,F(xiàn) 一般取 ~之間的值。本題給定變?nèi)荻O管為 2CC1C,并取變?nèi)莨莒o態(tài)反向偏壓 4?,由特性曲線可得變?nèi)莨艿撵o態(tài)電容 pFCjQ75?。變?nèi)荻O管 Cj 通過 C5 部分接入振蕩回路,有利于提高主振頻率 0f的穩(wěn)定性,減小調(diào)制失真。R 5為隔離電阻,為了減小調(diào)制信號 Ui 對 VQ 的影響,一般要求 R5遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于 R6 和 R7。QV?jC當(dāng)調(diào)制信號為正半周時,變?nèi)荻O管負(fù)極電位升高,即反偏增加時,變?nèi)荻O管的電容 減??;當(dāng)調(diào)制信號為負(fù)半周時,變?nèi)荻O管負(fù)jC極電位降低,即反偏減小時, 增大,其變化具有一定的非線性,j當(dāng)調(diào)制電壓較小時,近似為工作在 ~ 曲線的線性段,將隨調(diào)制jCR?電壓線 性變化,當(dāng)調(diào)制電壓較大時,曲線的非線性不可忽略,它j將給調(diào)頻帶來一定的非線性失真。 25 調(diào)頻電路設(shè)計變?nèi)荻O管利用 PN 結(jié)的結(jié)電容制成,在反偏電壓作用下呈現(xiàn)一定的結(jié)電容(勢壘電容) ,而且這個結(jié)電容能靈敏地隨著反偏電壓在一定范圍內(nèi)變化,其關(guān)系曲線稱 ~ 曲線,如圖所示。C 1 為基極旁路電容,可取 C1=。 VkmARIVVV cQBEBQEQ 31*34 ?????? VVRR RVccRR RV EQBQ 212212 ??????? uAmAII cQBQ ??? ?為了提高電路的穩(wěn)定性,取流過電阻 R2 上的電流 mAII BQ ?????? kmAVIVR BQ 22取標(biāo)稱值 R2=。為了使電路工作穩(wěn)定,振蕩器的靜態(tài)工作點取 , VCEQ6?,測得三極管的mAICQ 3?60??。I CQ 偏大,振蕩幅度增加,但波形失真嚴(yán)重,頻率穩(wěn)定性降低。晶體管 V1 選擇3DG100,其參數(shù)見表 22 所示。(2)三點式振蕩器設(shè)計:基極偏置電路元件R RR R C 1 的計算圖中,晶體管 V1 與 CC C C C j、L 1 組成改進(jìn)型電已調(diào)波輸出調(diào)制信號輸入 24 容三點式振蕩器,V 1 為共基組態(tài),C1 為基級耦合電容。將受到調(diào)制信號控制的可變電抗與諧振回路連接,就可以使振蕩頻率按調(diào)制信號規(guī)律變化,實現(xiàn)直接調(diào)頻。 23 圖 24 調(diào)頻振蕩器電路 LC 調(diào)頻振蕩器是直接調(diào)頻電路,是利用調(diào)制信號直接線性地改變載波瞬時頻率。發(fā)射機的頻率穩(wěn)定度由kHzfm 75??該級決定。元件清單C8=20pF C9= ?? kR ?? kR 99R10=500Ω Rw2 為 1kΩ 的電位器 晶體管為 3DG100 調(diào)頻振蕩器設(shè)計調(diào)頻振蕩電路的作用是產(chǎn)生頻率 MHzfo5?的高頻振蕩信號。???? kIVVRBQBQcc 108取標(biāo)稱值 R8=。根據(jù)已知條件選取 ICQ=5mA,,V CEQ==7V,則???????? kmAVVcVRR EQccw 712IIVCQCQEQ210(2)RR w2: 取 R10=500Ω,R w2 為 1kΩ 的電位器。表 22 3DG100 參數(shù)表PCM ICM VCES hfe fT AP100mW 30mA 30~200 ≥ 150MHzβ0=60。 21 圖 23 射極輸出器電路估算偏置電路元件(1)已知條件:Vcc=+12V,負(fù)載電阻 RL=425Ω(寬帶放大器輸入電阻) ,輸出電壓振幅等于高頻寬帶放大器輸入電壓振幅,即Uom=1V,晶體管為 3DG100(3DG6 ) 。如圖 23 所示。電路形式由于待傳輸信號是高頻調(diào)頻波,主要考慮的是輸入抗高,傳輸系數(shù)大且工作穩(wěn)定。一般盡可能從低阻抗點取出信號,并加入隔離、緩沖級如射極輸出器,以減弱外接負(fù)載對振蕩器幅度、波形以及頻率穩(wěn)定度的影響。還可在輸出變壓器次級與負(fù)載之間插入 20 LC 濾波器,以改善負(fù)載輸出波形。此外,還可以在直流電源 VCC 支路上加高頻電源去耦濾波網(wǎng)絡(luò),通常采用 LC 的 Π 型低通濾波器。(3)高頻旁路電容 C10=。 ???? ? 20??若取交流負(fù)反饋電阻為 20Ω,則??425iR(8)本級輸入電壓振幅 UimVPRU iiim 0
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