晶原生產(chǎn)工藝流程、設(shè)備及真空泵(參考版)
2025-06-27 12:36本頁面
【正文】 。 實(shí)際應(yīng)用產(chǎn)業(yè)有：半導(dǎo)體制程真空、液晶顯示器制程真空、電子廠中央真空系統(tǒng)、醫(yī)院中央真空系統(tǒng)、食品醫(yī)藥制程真空、燈具制程真空、冷凍空調(diào)制程真空、線路板壓合制程真空、光學(xué)鏡片、金屬鍍膜真空、VCDamp。 ADS 602 H, ADS 1202 H, ADS 1802 H 灰化，玻璃拆封，電介質(zhì)，線蝕刻，注入源，介質(zhì)化學(xué)氣相沉淀l ADP 122 P, ADS 602 P, ADS 1202 P, ADS 1802 P 真空進(jìn)片室，傳送室，物理氣相沉淀，鍍膜l ADP 122 LM, ADS 602 LM 冶金 :真空熔化,成型,燒結(jié) 半導(dǎo)體鍍膜技術(shù) : CVD,PVD, 等離子刻蝕,反應(yīng)離子刻蝕,離子注入,氣阿爾卡特典型應(yīng)用工藝：l○○○○●○○○○●●●●●●●SE65501903單相RV1250/60Hz115/220240VSE65301903單相RV550/60Hz115/220240VRV8EDWARDS真空泵：型號：RV3QMB500,系列EH4200EDWARDSEH1200,EH250,RV12EDWARDS愛德華EHRV5,ELab2EDWARDS愛德華RVE2M175,E2M40,E2M28,E2M18E2M8,E2M2,E2M1,E1M275,E1M80,E1M30,E1M12,E1M5,EMEdwards的iGX干式泵具有能耗低的特點(diǎn)，能夠應(yīng)用于大量中小功率的設(shè)備，包括：真空進(jìn)樣室、傳送裝置、計(jì)量、平版印刷術(shù)、PVD工藝和預(yù)清潔、RTA、帶材/粉末、氧化物、硅材料和金屬的蝕刻以及注入源等等供應(yīng)英國BOC的完整和連線的連接性干式機(jī)械真空泵的應(yīng)用是廣泛的，主要有以下幾個(gè)方面：1）低壓化學(xué)氣相沉積中的多晶硅制備工藝中；2）半導(dǎo)體刻蝕工藝。 2最后進(jìn)行退火處理，以保證整個(gè) 光刻和離子刻蝕，定出 PAD 位置 濺鍍（ Sputtering Deposition ） 1光刻技術(shù)定出 VIA 孔洞，沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構(gòu)。（2） （1） 1濺鍍第一層金屬 1沉積摻雜硼磷的氧化層 1利用 PECVD 離子，形成 NMOS 的源漏極。 1表面涂敷光阻，去除 P 阱區(qū)的光阻，注入砷 1LPCVD 1熱磷酸去
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