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正文內(nèi)容

計(jì)算機(jī)組成原理試卷及答案(參考版)

2025-06-27 05:52本頁(yè)面
  

【正文】 。 R2中的內(nèi)容是內(nèi)存地址 從內(nèi)存取出數(shù)→D暫存器 暫存器C和D中的數(shù)相加后送R1 解: 采用水平微指令格式,且直接控制方式,順序控制字段假設(shè)4位,其中一位判別測(cè)試位:AS0 AS1 S1 S2 BS0 BS1 LDR1,LDR2 ,LDR3 P μAR1,μAR2,μAR3 2位 2位 2位 3位 1位 3位 ←——————————直接控制———————————→ ←——順序控制 當(dāng)P = 0時(shí),直接用μAR1——μAR3形成下一個(gè)微地址。 解:(1)各功能部件聯(lián)結(jié)成如圖所示數(shù)據(jù)通路:移位器 D C PC IR R3 R2 R1 R0 MAR M MDR ALU (2)此指令為RS型指令,一個(gè)操作數(shù)在R1中,另一個(gè)操作數(shù)在R2為地址的內(nèi)存單元中,相加結(jié)果放在R1中。指令周期流程圖如下: 解:(8K*8)/(4K*4)=4 圖略。其中源操作數(shù)地址在R1中,所以是R1間接尋址。(5) CPU的R / W 信 號(hào)與SRAM的WE端連接,當(dāng)R / W = 1時(shí)存儲(chǔ)器執(zhí)行讀操作, 當(dāng)R / W = 0時(shí),存儲(chǔ)器執(zhí)行寫操作。由此可得存儲(chǔ)器方案要點(diǎn)如下:(1) 組內(nèi)地址 :A12 ——A0 (A0為低位);(2) 組號(hào)譯碼使用2 :4 譯碼器;(3) RAM1 ,RAM 2 各用兩片SRAM芯片位進(jìn)行并聯(lián)連接,其中一片組成高8位,另一片組成低8位。 (3)一個(gè)操作數(shù)在源寄存器(共16個(gè)),另一個(gè)操作數(shù)在存儲(chǔ)器中(由變址寄存器內(nèi)容 + 偏移量決定),所以是RS型指令。 0000——1011:二地址指令 11000000——11110111:?jiǎn)蔚刂分噶? 111110000000——111111111111:零地址指令五、綜合解: (1)操作碼字段為6位,可指定 26 = 64種操作,即64條指令。其中直接映射所需電路最少,但是操作過(guò)程中Cache與主存數(shù)據(jù)替換過(guò)程中沖突率最高,是它的缺點(diǎn)。解:(1)浮點(diǎn)乘法規(guī)則: N1 N2 =( 2j1 S1) (2j2 S2) = 2(j1+j2) (S1S2)(2) 碼求和: j1 + j2 = 0 (3) 尾數(shù)相乘: 被乘數(shù)S1 =,令乘數(shù)S2 = ,尾數(shù)絕對(duì)值相乘得積的絕對(duì)值,積的符號(hào)位 = 0⊕0 = 0。其功能如下: S1S2 = 00時(shí),ALU輸出 = A S1S2 = 01時(shí),ALU輸出 = A + B S1S2 = 10時(shí),ALU輸出 = A – B S1S2 = 11時(shí),ALU輸出 = A⊕B 請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)控制運(yùn)算器通路的水平微指令格式。 移位器 IR PC C D R0 R1 R2 R3 MDR M MAR運(yùn)算器結(jié)構(gòu)如下圖所示,R1 ,R2,R3 是三個(gè)寄存器,A和B是兩個(gè)三選一的多路開關(guān),通路的選擇由AS0 ,AS1 和BS0 ,BS1端控制,例如BS0BS1 = 11時(shí),選擇R3 ,BS0BS1 = 01時(shí),選擇R1……,ALU是算術(shù) / 邏輯單元。(1) 請(qǐng)將各邏輯
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