電子元件檢驗(yàn)要求分析(參考版)
2025-06-26 05:50本頁面
【正文】 具體封裝這不多作解說，我們只要能認(rèn)識(shí)就OK。常用的集成電路如小功率音頻放大器LM386就因?yàn)楹缶Y不同而有許多種。一般是由前綴、數(shù)字編號(hào)、后綴組成。數(shù)字IC多用＋5V的工作電壓，模擬IC工作電壓各異。※ 集成電路使用注意事項(xiàng)：大部份IC采用CMOS元件為核心集成；對于CMOS型IC，特別要注意防止靜電擊穿IC，最好也不要用未接地的電烙鐵焊接?！半p列直插”和“單列直插”的最為常見。集成電路根據(jù)內(nèi)部的集成度分為大規(guī)模中規(guī)模小規(guī)模三類。在電路中用“U”表示。對于其它相關(guān)認(rèn)識(shí)，我不做細(xì)說，只要大家能認(rèn)識(shí)就行了。為區(qū)分之，可用手分別觸摸GG2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。 將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。交換表筆重測量，SD之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。 將萬用表撥于R100檔，首先確定柵極。最好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。在測量時(shí)應(yīng)格外小心，并采取相應(yīng)的防靜電感措施。因此出廠時(shí)各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷?！?場效應(yīng)分類使用注意事項(xiàng)及檢測方法：MOS場效應(yīng)管比較“嬌氣”。它們性質(zhì)的差異使結(jié)型場效應(yīng)管往往運(yùn)用在功放輸入級(jí)（前級(jí)），絕緣柵型場效應(yīng)管則用在功放末級(jí)（輸出級(jí)）。場效應(yīng)管的G、D、S極與晶體管的b、c、e極有相似的功能。絕緣柵型場效應(yīng)管的襯底（B）與源析（S）連在一起，它的三個(gè)極分別為柵極（G）、漏極（D）和源極（S）。當(dāng) VGSVT 并取不同數(shù)值時(shí)，反型層的導(dǎo)電能力將改變，在相同的 VDS 下也將產(chǎn)生不同的 IDS , 實(shí)現(xiàn)柵源電壓 VGS 對源漏電流 IDS 的控制。當(dāng) VDS ≠ 0 時(shí)，源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過。當(dāng)柵 G 電壓 VG 增大時(shí)， p 型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。般中小功率的三極管都是遵守左向右依次為e b c（條件是中小功率塑料三極管按圖使其平面朝向自己，三個(gè)引腳朝下放置，則從左到右依次為e b c）※ 場效應(yīng)管：MOS場效應(yīng)管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（MetalOxideSemiconductor FieldEffectTransistor），屬于絕緣柵型。6)按外形封裝的不同可分為金屬封裝三極管、玻璃封裝三極管、陶瓷封裝三極管、塑料封裝三極管等。4)按工作頻率分有低頻三極管、高頻三極管和超高頻三極管。 2)按功率分有小功率三極管、中功率三極管、大功率三極管。第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。表示二極管時(shí)：AN型鍺材料、BP型鍺材料、CN型硅材料、DP型硅材料。第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目?！?三極管作用：三極管在電路中主要起電流放大和開關(guān)作用；也起隔離作用?！?三極管：三極管就是由二個(gè)PN結(jié)構(gòu)成三個(gè)極的電子元件，基極（B）集電極（C）、發(fā)射極（E）。其測量電路如圖11所示。用萬用表測光電池兩端電壓的變化情況。正是由于其發(fā)射的紅外光人眼看不見，所以利用上述可見光LED的檢測法只能判定其PN結(jié)正、反向電學(xué)特性是否正常，而無法判定其發(fā)光情況正常否。通常單只紅外發(fā)光二極管發(fā)射功率只有數(shù)mW，不同型號(hào)的紅外LED發(fā)光強(qiáng)度角分布也不相同。如果測得VF=0或VF≈3V，且
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