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寬帶直流低噪聲放大器設(shè)計(jì)電子類畢業(yè)設(shè)計(jì)論文(參考版)

2025-06-23 05:40本頁面
  

【正文】 。致 謝衷心感謝我的導(dǎo)師趙老師,他在的畢業(yè)設(shè)計(jì)過程提供了理論與硬件上的幫助,讓我受益匪淺,在做完畢業(yè)設(shè)計(jì)的同時(shí)也學(xué)到了很多書本上學(xué)不到的知識(shí)。[16]郁有文、常健、:西安電子科技大學(xué)出版社,2003:1146。[14] ,2008,40(1):149152。[12] 張博、楊揚(yáng)、190(1):4548。[10] 周荷琴、:中國(guó)科技大學(xué)出版社,2008:5302。[8] :北京航空航天大學(xué)出版社,2000:120247。[6] 趙新民、:哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社,2007:3693。[4] 李先允、:中國(guó)電力出版社,2007:1130。[2]張慰兮、王穎. :南京大學(xué)出版社,2005:1200。同時(shí)可以進(jìn)一步提高系統(tǒng)的人機(jī)界面,優(yōu)化系統(tǒng)的操作。同時(shí)系統(tǒng)的增益預(yù)置由于采用的DA位數(shù)有限,如果采用更高位數(shù)的DA系統(tǒng)的增益預(yù)置有望能無限接近線性。由于實(shí)驗(yàn)室所用的信號(hào)源帶寬有限,所用不能準(zhǔn)確測(cè)出系統(tǒng)截止頻率。經(jīng)過測(cè)試發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)在80 dB時(shí)候雖然有些失真,但是如果能有效抑制系統(tǒng)高增益時(shí)的噪聲時(shí),系統(tǒng)的高增益效果還是能較好的實(shí)現(xiàn)。測(cè)試性能總結(jié)從指標(biāo)來看我們各方面的指標(biāo)都達(dá)到或超過了本次課題的要求。但噪聲電平滿足題目要求。但高增益測(cè)試時(shí)(80dB),輸出噪聲達(dá)到 ,波形有些不理想??垢蓴_措施考慮完備,利用屏蔽、數(shù)模隔離、電源隔離、濾波及去耦等措施和在PCB板設(shè)計(jì)使用閉路環(huán)等技術(shù),有效減少了噪聲和干擾。其中輸入選用OPA642型運(yùn)放構(gòu)成跟隨器,提高了輸提高了輸入阻抗,低噪聲可變?cè)鲆娣糯笃鰽D603,低噪聲功率放大器OPA603和高速緩沖器BUF634搭配,設(shè)計(jì)方案論證充分,各級(jí)電路指標(biāo)選擇、性能權(quán)衡理,系統(tǒng)的增益、帶寬等主要指標(biāo)均達(dá)到課題的要求。表61 有效值為10mV正弦信號(hào)在60dB增益下放大信號(hào)0Hz10Hz100 Hz1kHz10 kHz100kHz1 MHz10MHz10mV V表62 0~60dB幅頻特性測(cè)試數(shù)據(jù)輸入信號(hào)/mV放大倍數(shù)/dB0 ~4MHz帶內(nèi)增益起伏/dB0 ~9MHz帶內(nèi)增益起伏/dB輸出噪聲/mV100101010201030104010501060第7章 總結(jié)與展望 總結(jié)本設(shè)計(jì)偏重于模擬電路處理,得到了很高的增益和較小的噪聲。頻帶測(cè)試:帶內(nèi)增益起伏均小于 1dB,3dB截頻點(diǎn)誤差不超過 10%。測(cè)試結(jié)果輸入阻抗:根據(jù)本次課題電路,電路的輸入阻抗要大于50W。電源紋波測(cè)試:用高精度的萬用表進(jìn)行測(cè)量,直流穩(wěn)壓電源的輸出電壓無偏差。測(cè)試方法及測(cè)試裝置測(cè)試條件:室溫25 攝氏度、工頻220V 交流電源;測(cè)試儀器:Tektronix TDS210 數(shù)字示波器 盛普 33120A 信號(hào)發(fā)生器 10MHZ UNIT 四位半數(shù)字式電壓表輸出噪聲測(cè)試 :將輸入端對(duì)地短接,輸出接于示波器查看波形,在 40dB 的增益時(shí),噪聲的峰峰值小于 300mV,滿足要求。經(jīng)過試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)將數(shù)字地與模擬地利用磁珠隔離,將單片機(jī)數(shù)字系統(tǒng)與模擬系統(tǒng)電源分開提供,防止數(shù)字系統(tǒng)的干擾進(jìn)入模擬系統(tǒng),提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。系統(tǒng)地線處理:設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)電路中經(jīng)常產(chǎn)生不可靠的因素,導(dǎo)致電容不穩(wěn)定。我們采用每隔1dB修正一次的方法,在短時(shí)間開發(fā)內(nèi)可以達(dá)到要求。設(shè)計(jì)之初我們沒有注意到這個(gè)問題,在高增益放大時(shí)出現(xiàn)了較明顯的失真,由于AD603本身沒有設(shè)置調(diào)零控制端,所以只能在 AD603 之前再加一級(jí)直流偏移調(diào)零電路。當(dāng)后級(jí)增益較大時(shí),放大后的回波信號(hào)直流電位會(huì)大大偏離零點(diǎn),導(dǎo)致輸出信號(hào)波形的上半周或下半周被削去一部分,產(chǎn)生嚴(yán)重的非線性失真。最終經(jīng)過試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在兩級(jí)之間加入一級(jí) AD818 的濾波器電路作隔離,可以消除自激問題。最終經(jīng)過試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)。 電路設(shè)計(jì)中遇到的問題及解決方案在本課題中電路越到了一些問題,經(jīng)過認(rèn)真實(shí)踐過找出了切實(shí)可行的解決方案單片機(jī)MSP430在和鍵盤管理芯片ZLG7290連接造成I2C總線信號(hào)不穩(wěn)定問題:在設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)單片機(jī)在和ZLG7290的連接過程中,時(shí)常會(huì)發(fā)現(xiàn)I2C總線信號(hào)傳輸會(huì)受到干擾。在功率級(jí),此法可以有效地避免高頻輻射;所有信號(hào)耦合用電解電容兩端并接高頻瓷片電容以避免高頻增益下降;使用同軸電纜,輸入級(jí)和輸出級(jí)使用BNC接頭,輸入級(jí)和功率級(jí)之間用同軸電纜連接。在輸入級(jí),將整個(gè)運(yùn)放用較粗的地線包圍,可吸收高頻信號(hào)減少噪聲。我們采用下述方法減少干擾, 避免自激:電源隔離,各級(jí)供電采用電感隔離,輸入級(jí)和功率輸出級(jí)采用隔離供電,各部分電源通過電感隔離, 輸入級(jí)電源靠近屏蔽盒就近接上1000μF電解電容,電路中用到的去耦電容和濾波電容盡量用鉭電容配合高頻瓷片電容,通過這種方法可避免低頻自激 ;由于實(shí)驗(yàn)室電腦和儀器使用開關(guān)電源,電磁噪聲很大,會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生很強(qiáng)的電磁干擾。在單片機(jī)編程時(shí)先把C0H賦給SBUF寄存器,然后再賦FFH。MSP430F169單片機(jī)數(shù)據(jù)串行輸出采用方式 0 ,RXD端輸出數(shù)據(jù) , TXD端輸出移位脈沖。由于 MAX539是以16位塊的形式輸入數(shù)字量,而SPI和Microwire接口輸出數(shù)據(jù)是以8位塊的形式傳輸,因此需要 2個(gè)寫周期將數(shù)據(jù)送入DAC,而QSPI接口允許可變數(shù)據(jù)輸入(8位~16位) ,故能在一個(gè)寫周期內(nèi)將數(shù)字量裝入DAC。然后進(jìn)入的是待轉(zhuǎn)換數(shù)字量的最高位(D11位) ,其次是次高位 ,接著數(shù)字量順次進(jìn)入,最后進(jìn)入的是最低位(D0位)。圖515 MAX539的接口時(shí)序圖當(dāng)CS為低電平時(shí),DIN在 SCLK時(shí)鐘信號(hào)的控制下,16位數(shù)據(jù)在SCLK的上升沿送入串行移位寄存器。這16位串行數(shù)據(jù)可隨串行時(shí)鐘進(jìn)入DAC。MAX539 采用的三線串行接口可與SPITM、QSPITM、MicrowireT M接口標(biāo)準(zhǔn)相兼容。圖514 按位下載數(shù)據(jù)且譯碼指令其中A3 ~A0為顯示緩存編號(hào)(范圍為:0000B~ 0111B,對(duì)應(yīng)DpRam0~DpRam7,無效的編號(hào)不會(huì)產(chǎn)生任何作用),DP=1時(shí)點(diǎn)亮該位小數(shù)點(diǎn),F(xiàn)lash=1時(shí)該位閃爍顯示,F(xiàn)lash=0 時(shí)該位正常顯示,D4~D0為要顯示的數(shù)據(jù),按以下表規(guī)則進(jìn)行譯碼。圖513 寄存器位尋址指令當(dāng)On =1 時(shí),第S(S2~S0)位置1;當(dāng)On =0時(shí),第S位清0。執(zhí)行指令01000001B后,DpRamB~DpRam0=“216543”,“3”閃爍。與循環(huán)左移指令類似,只是移動(dòng)方向相反?!?”閃爍,高兩位無顯示。例:DpRamB~DpRam0=“87654321”其中“4”閃爍,ScanNum =5(“87”不顯示)。(3) 循環(huán)左移指令如圖511所示。執(zhí)行指令 00100001B后,DpRamB~DpRam0=“6543”。圖510 右移指令與左移指令類似,只是移動(dòng)方向?yàn)樽宰笙蛴?,移?dòng)后,左邊N位((N3~N0 )+1)無顯示。執(zhí)行指令00010001B后,DpRamB DpRam0= “4321”。圖59 左移指令該指令使與ScanNum相對(duì)應(yīng)的顯示數(shù)據(jù)和顯示屬性(閃爍)自右向左移動(dòng) N 位((N3~N0)+1)移動(dòng)后,右邊N位無顯示,與ScanNum不相關(guān)的顯示數(shù)據(jù)和顯示屬性則不受影響。一個(gè)完整的指令須在一個(gè)I2C幀中(起始信號(hào)和結(jié)束信號(hào)間)連續(xù)傳輸?shù)矫罹彌_區(qū)(CmdBuf0~CmdBuf1)中,否則會(huì)引起錯(cuò)誤。如實(shí)現(xiàn)寄存器的位操作,對(duì)顯示緩存循環(huán),移位,對(duì)操作數(shù)譯碼等操作。 ZLG7290提供兩種控制方式:寄存器映象控制和命令解釋控制,寄存器映象控制是指直接訪問底層寄存器(除通信緩沖區(qū)外的寄存器)實(shí)現(xiàn)基本控制功能,請(qǐng)參考寄存器詳解部分。復(fù)位值00H ~00H。FunctionKey對(duì)應(yīng)位的值=0表示對(duì)應(yīng)功能鍵被壓按( ~~S57)。用于區(qū)別出單擊鍵或連擊鍵,判斷連擊次數(shù)可以檢測(cè)被按時(shí)間。連擊次數(shù)計(jì)數(shù)器(RepeatCnt)地址02H,復(fù)位值00H。Key表示被壓按鍵的鍵值。有效的按鍵動(dòng)作消失后或讀Key后, KeyAvi 位自動(dòng)清0。芯片功能寄存器如下:統(tǒng)寄存器保存ZLG7290系統(tǒng)狀態(tài),可對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行狀態(tài)進(jìn)行配置。ZLG7290 的從地址(slave address)為 70H(01110000B)。在這種傳輸中,可能有不同的讀寫格式結(jié)合。0表示發(fā)送,寫1表示請(qǐng)求數(shù)據(jù)讀數(shù)據(jù)傳輸一般由主機(jī)產(chǎn)生的停止位P終止。在起始條件S后,發(fā)送了一個(gè)從機(jī)地址。這個(gè)情況用從機(jī)在第一個(gè)字節(jié)后沒有產(chǎn)生響應(yīng)來表示,機(jī)使數(shù)據(jù)線保持高電平,主機(jī)產(chǎn)生一個(gè)停止或重復(fù)起始條件,時(shí)序如圖57所示。主機(jī)然后產(chǎn)生一個(gè)停止條件終止傳輸或者產(chǎn)生重復(fù)起始條件開始新的傳輸。當(dāng)然,必須考慮建立和保持時(shí)間。圖56 起始和終止條件數(shù)據(jù)傳輸必須帶響應(yīng),相關(guān)的響應(yīng)時(shí)鐘脈沖由主機(jī)產(chǎn)生在響應(yīng)的時(shí)鐘脈沖期間,發(fā)送器釋放SDA線(高)。如果連接到總線的器件合并了必要的接口硬件 那么用它們檢測(cè)起始和停止條件十分簡(jiǎn)便。此時(shí)的起始條件S和重復(fù)起始 Sr 條件在功能上是一樣的。 總線在起始條件后被認(rèn)為處于忙的狀態(tài),在停止條件的某段時(shí)間后總線被認(rèn)為再次處于空閑狀態(tài)。其中一種情況是在SCL線是高電平時(shí)SDA線從高電平向低電平切換這個(gè)情況表示起始條件。穩(wěn)壓管VS是為了防止外部高電壓損壞CPU的I2C總線輸出端的內(nèi)部電路。因?yàn)镃PU的I2C總線輸出端口內(nèi)部電路形式為集電極開路(或漏極開路)形式,所以在CPU的I2C總線輸出端必須通過上拉電阻R接+5V電源,為CPU的I2C總線輸出端口的內(nèi)部電路供電。I2C在硬件上有直接式和隔離式,本課題所用的I2C總線采用直接式。而存儲(chǔ)器則既可以接收又可以發(fā)送數(shù)據(jù),除了發(fā)送器和接收器外,器件在執(zhí)行數(shù)據(jù)傳輸時(shí)也可以被看作是主機(jī)或從機(jī)。每個(gè)器件都有一個(gè)唯一的地址識(shí)別,無論是微控制器LCD驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器或鍵盤接口。C語言中用到總線操作必須添加頭文件“”,可使用取字模軟件將字符或圖片轉(zhuǎn)為一系列二進(jìn)制數(shù)據(jù)。所謂的兩種方法差別正在設(shè)置的起始頁地址和Y地址的不同。如圖54所示。(4)清屏(向DDRAM所有地址寫0)顯示一幅新圖片前必須清屏,否則之前顯示的數(shù)據(jù)仍存在于液晶上??砂蠢ㄌ?hào)內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)行初始化。讀數(shù)據(jù)到data ,data=RD1或者data=RD2。下面簡(jiǎn)單介紹程序編寫的流程(1)定義所有總線地址define WI1 XBYTE[0xF4FF] //向左半屏寫命令 define WD1 XBYTE[0xF5FF] //向左半屏寫數(shù)據(jù)define RI1 XBYTE[0xF6FF] //讀左半屏命令define RD1 XBYTE[0xF7FF] //讀左半屏數(shù)據(jù)define WI2 XBYTE[0xF8FF] //向右半屏寫命令define WD2 XBYTE[0xF9FF] //向右半屏寫數(shù)據(jù)define RI2 XBYTE[0xFAFF] //讀右半屏命令define RD2 XBYTE[0xFBFF] //讀右半屏數(shù)據(jù)(2)編寫底層程序(查忙,寫數(shù)據(jù),讀數(shù)據(jù))查忙(讀BF標(biāo)志即DB7總線,亦即讀命令)BF=1表示模塊在內(nèi)部操作,此時(shí)模塊不接受外部指令和數(shù)據(jù); BF=0時(shí)模塊為準(zhǔn)備狀態(tài),隨時(shí)可接受外部指令和數(shù)據(jù);b=RI1 或者 b=RI2,觀察b中最高位是否為0,否則忙。如向左半屏寫數(shù)據(jù)0xFF:WD1=0xFF。即0xF5FF。電路設(shè)計(jì)液晶部分圖412例,A11~A8對(duì)應(yīng)CSCSR/W、RS,未用的地址線為高。例如點(diǎn)亮128*64的屏中(20
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