【正文】 華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 41 參考文獻(xiàn) [1] 徐興福 .ADS2020 射頻電路設(shè)計(jì)與仿真實(shí)例 .電子工業(yè)出版社， 2020. [2] 張玉興 ,楊玉梅 ,陳瑜 . 射頻模擬電路與系統(tǒng) [M]. 成都：電子科學(xué)大學(xué)出版社 ,2020. [3] 市川裕一 ,青木勝 . 高頻電 路設(shè)計(jì)與制作 [M]. 卓圣鵬譯 . 北京 ： 科學(xué)出版社 ,2020. [4] Thomas . CMOS 射頻集成電路設(shè)計(jì) [M]. 余志平 ,周潤(rùn)德譯 . 北京：電子工業(yè)出版社 , 2020. [5] 顧繼慧 . 微波技術(shù) [M]. 北京：科學(xué)出版社 , 2020. [6] 孟林 ,楊勇 ,牛磊等 . 射頻低噪聲放大器的 ADS設(shè)計(jì) [J]. 電子質(zhì)量 , 2020. [7] 齊凱 ,蔡理 . 全差 CMOS 低噪聲放大器設(shè)計(jì) [J]. 微電子學(xué) , 2020. [8] 清華大學(xué)電子學(xué)教研組 . 模擬電子技術(shù)基 礎(chǔ) [M]. 北京：高等教育出版社 , 2020. [9] 王軍 . 低噪聲放大器模塊化分析與設(shè)計(jì)的等效噪聲模型法 [J]. 電子學(xué)報(bào) , 2020. [10] 陳艷 華 ,李朝輝 ,夏瑋 . ADS 應(yīng)用詳解 —— 射頻電路設(shè)計(jì)與仿真 [M]. 北京：人民郵電出版社 , 2020. [11] 黃玉蘭 . ADS 射頻電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與典型應(yīng)用 [M]. 北京 ： 科學(xué)出版社 .2020. [12] 魏玉香 ,李富華 . ADS 下 CMOS 低噪聲放大器的設(shè)計(jì)優(yōu)化 [J]. 現(xiàn)代電子技術(shù) . 2020, (3):176— 178. [13] 臧威 , 李緒誠(chéng) , 劉 橋 . CMOS 低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)分析與設(shè)計(jì) [J]. 重慶工學(xué)院學(xué)報(bào)， 2020. [14] 夏煒 , 李柏渝 , 周力等 . 基于 ADS 仿真的低噪聲放大器設(shè)計(jì) [J]. 微處理機(jī) , 2020. [15] 黃玉蘭 . 射頻電路理論與設(shè)計(jì) [M]. 北京 ： 人民郵電出版社， 2020. [16] 趙桂清 . 低噪聲放大器的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn) [J]. 電子元器件應(yīng)用 , 2020, 10(3):56— 59. [17] 陳冠 , 陳向東 , 石念 . 低噪聲放大器設(shè)計(jì) [J]. 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī) . 2020. [18] 陳邦媛 .射 頻通信電路 [M]. 北京 :科學(xué)出版社 , 2020 [19] 張士化，何子述． s波段低噪聲放大器的分析與設(shè)計(jì) [J]．現(xiàn)代電子技術(shù)， 2020， (18)：7583． [20] 唐海嘯，張玉興，楊陳慶，楊玉梅．利用 ADS 軟件設(shè)計(jì) X頻段低噪聲放大器 [J]．電華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 42 訊技術(shù)， 2020. [21] 劉壕俘 }，費(fèi)元春． S波段低噪聲放大器 CAD 設(shè)計(jì) [J]．現(xiàn)代雷達(dá)， 2020. [22] 邵松．超寬帶雷達(dá)接收前端的集成化射頻模塊研究 [D]．北京：北京理工大學(xué)， 2020． [23] 馮新宇，車向前，穆秀春等， ADS 射頻電路設(shè)計(jì)與仿真 .電子工業(yè)出版社， 2020 [24] 鄭林苓 , 湯清華 , 吳國(guó)安 , 射頻寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與仿真 . 華中科技大學(xué) ,2020 [25] 劉暢 ,梁曉新 ,閻躍鵬 ,射頻寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì) . 電子測(cè)量與儀器學(xué)報(bào) ,2020 [26] 錢可偉，田 忠 , 0． 1 2． 8 GHz 超寬帶低噪聲放大器的研制 . 電子元件與材料 ,2020 [27] 張海波，葉曉慧，王杰玉 , 一種低噪聲放大器的自適應(yīng)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)模型的設(shè)計(jì) . 計(jì)算機(jī)測(cè)量與控制 ,2020. [28] 詹福春 ,王文騏 ,李長(zhǎng)生 . 集成低噪聲放大器的設(shè)計(jì) . 半導(dǎo)體技術(shù) , 2020. [29] 萬(wàn)建崗，高玉良，左治方， 基于反饋技術(shù)的寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì) .電現(xiàn)技術(shù)， 2020. [30] Tang. A, Yuan. F, Law. E. A New CMOS LowNoise Amplifier with Automatic Gain Control[J]． 49th IEEE International Midwest Symposium on， 2020. [20] Yang Tao． Design of a GHz low noise amplifier in CMOS technology[J]． Microwave, Antenna, Propagation and EMC Technologies for Wireless Communications． 2020 International Symposium on， 2020， — 395． [31] WongSun Kim， Xiaopeng Li, Ismail． M． A GHz CMOS low noise amplifier using an interstage matching inductor[J]. Circuits and Systems. 42nd Midwest Symposium on， 1999， 2： 1040— 1043． [32] Challal． M， Azrar． A， Bentarzi． H et al． Microstrip design of low noise amplifier for application in narrowband and wideband[J]． Signals, Circuits and Systems． SCS 2020. 2nd International Conference on， 2020， — 4． [33] A Thesis Presented to The Faculty of the College of Engineering and Technology Ohio University. In Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree Masterof Science. By Tiow HengTary August, 1991 [34] ReinholdLudwig. RFCircuit Design: Theory andApplI cations[M]. NewJersey: PrenticHal,l 1998. 華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 43 [35] DPozar. Microware Engineering[M]. NewYork: John Wiley, 1998. [36] Reinhold Ludwig,Pavel Bretchko ． RF CircuitDesign ： Theory and Application[M]．北京：電子 I)Ik出版社， 2020． 42— 45． [37] AleksandarTasic。在本文編寫(xiě)的最后階段，雖然經(jīng)受各種事情煩雜的侵?jǐn)_，有了父母的體貼，所有煩惱和苦痛都一掃而空。愿我們的友誼長(zhǎng)存。 因此，我要真心地感謝華北電力大學(xué)所有曾經(jīng)傳授給我知識(shí)，教給我人生哲理的親愛(ài)的老師們，謝謝你們讓我擁有了一段充實(shí)的、精彩的學(xué)習(xí)生活。在工作過(guò)程中，更加深化了對(duì)知識(shí)的了解，拓寬了眼界，是大學(xué)生活不可多得的寶貴財(cái)富。 同時(shí)，我也要感謝 同學(xué)在整個(gè)畢業(yè)設(shè)計(jì)期間給我的幫助，在我整個(gè)畢業(yè)設(shè)計(jì)期間出現(xiàn)的很多的問(wèn)題都一一的為我解答，還有為我提供了很多得參考書(shū)目和文獻(xiàn)資料。在老師的幫助下，我得以改進(jìn)工作方法，順利地完成對(duì)本課題的設(shè)計(jì)。 羅光孝 老師以其豐富的知識(shí)和舉重若輕的工作風(fēng)格為我樹(shù)立了良好的榜樣。 本文討論了一種增強(qiáng)型 EPHEMT 管的寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)， 介紹了設(shè)計(jì)的具體流程和方法，并充分利用 ADS 仿真軟件的各項(xiàng)功能對(duì)低噪聲放大器進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，省去了復(fù)雜的華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 39 理論分析計(jì)算，大大簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)過(guò)程，提高了工作效率，對(duì)低噪聲放大器的 CAD 設(shè)計(jì)具有很大的現(xiàn)實(shí)意義。在寬帶放大器的設(shè)計(jì)和仿真中 , 本文描述的電路原理圖仿真和電磁仿真的結(jié)果表明各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到了要求。 華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 38 PCB 的設(shè)計(jì)與其電路的仿真 原理圖 PCB 圖 本文描述了一種射頻寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)過(guò)程 , 采用負(fù)反饋技術(shù)和穩(wěn)定性措施滿足了增益平坦度和絕對(duì)穩(wěn)定性要求 , 同時(shí)還簡(jiǎn)要介紹了輸入輸出 匹配和級(jí)間匹配的設(shè)計(jì)過(guò)程。 圖 323 仿真結(jié)果圖 由圖 323 噪聲 系數(shù) 矩形圖中關(guān)于 nf(2)d 的曲線可以看出，寬頻低噪聲放大器的噪聲系數(shù)在要求的頻率范圍內(nèi)（ ～ ）噪聲系數(shù)都在 以下 ，滿足設(shè)計(jì)要求；穩(wěn)定系數(shù)矩形圖中 StatbFct1 的曲線可以看出，穩(wěn)定系數(shù) K 在 頻率范圍內(nèi)大 于 1，說(shuō)明放大器在此頻率范圍內(nèi)穩(wěn)定；駐波比系數(shù)矩形圖中， 可以看出駐波比 VSRW1 和 VSWR2 在頻率范圍內(nèi)大致小于 2，滿足設(shè)計(jì)要求。并經(jīng)過(guò)多次調(diào)試，得到兩級(jí)低噪聲寬頻放大器 如圖 322所示 。 單擊 S 參數(shù)仿真控件，點(diǎn)擊【 Noise】把“ Calculate noise”選項(xiàng)勾上。 圖 319輸入阻抗 匹配電路 （ 9）同上步驟求出兩級(jí)放大器的輸出匹配電路 ，輸出阻抗匹配電路如圖 320 所示。 （ 8） 單擊【 Build ADS Circuit】按鈕，即可以生成相應(yīng)的電路。 圖 317 加入源和負(fù)載阻抗的 Smith Chart Marching 采用 LC分立器件匹配過(guò)程如圖 318所示。 圖 316 “ Network Terminations”對(duì)話框 華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 35 （ 7）在圖 5中，需要把“ Enable Source Termination”和“ Enable Load Termination”的選項(xiàng)勾 選上， 它 們是為 了配合 “ Smith Chart Matching Network” 對(duì)話框的“ SourceEnable=True”和“ LoadEnable=True”，這樣在圖 3 里面設(shè)置的源和負(fù)載阻抗直接導(dǎo)入“ Network Termination”對(duì)話框。 （ 4） 在原理圖設(shè)計(jì)窗口里，執(zhí)行菜單命令【 Tools】 →【 Smith Chart】，彈出“ Smartponent Sync”對(duì)話框，選擇“ Update Smart Component from Smith Chart Utility”選項(xiàng)后，單擊【 ok】按鈕，彈出“ Smith Chart Utility”對(duì)話框，如圖 315所示。 （ 3） 雙擊 DA— SmithChartMatching 控件，設(shè)置控件的相關(guān)參數(shù)，如圖 314 所示。 （ 2） 在元器件面板列表中選擇“ Smith Chart Matching”，單擊控件圖標(biāo)，在原理圖里添加“ DA— SmithChartMatching”控件，使用時(shí)需要考慮方向，如圖 313 所示。 圖 311 兩級(jí)放大電路的輸出阻抗匹配電路 華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 32 分立 LC 阻抗匹配網(wǎng)絡(luò) 在原理圖中可以看到端口和 Sparameters 的空間已經(jīng)添加好了，如圖 312 所示 圖 312Sparameters （ 1） 雙擊 Term 端口，彈出設(shè)置對(duì)話框，分別把 Term1 設(shè)置成 Z=50 Ohm， Term2 設(shè)置成Z=+j* Ohm。 圖 310 SSMtch的子電路 （ 6） 同步驟（ 2）、（ 3）、（ 4）設(shè)計(jì)輸出阻抗的匹配電路。其中 T接頭為計(jì)算時(shí)考慮阻抗突變引入的。 （ 5）設(shè)計(jì)完成后，單擊工具欄中的 Push Into Hierarchy 按鈕，進(jìn)入 SSMtch 的子電路如圖 39所示。 華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 31 （ 4）選中 SSMtch 電路，并單擊菜單欄中的 DesignGuide 然后單擊 Passive Curcuit，此時(shí)系統(tǒng)彈出 Passive Curcuit DesignGuide 窗口。雙擊 MUSB 控件，按照下面的內(nèi)容設(shè)置微帶線參數(shù)： H=，表示微帶線所在的基板厚度為 Er=，表示微帶線的相對(duì)介電常數(shù)為 M