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正文內(nèi)容

微電子概論思考題及答案(參考版)

2025-06-23 05:38本頁面
  

【正文】 8 / 8。:用戶通過生產(chǎn)商提供的通用器件自行進行現(xiàn)場編程和制造,或者通過對與或矩陣進行掩膜編程,得到所需要的專用集成電路。:采用任意形狀的單元,且沒有布線通道的概念,單元可以放在芯片的任意位置。特點:單元數(shù)、壓焊塊數(shù)、通道間距取決于功能要求和芯片要求,布線自由度大。特點:以人工設計為主,錯誤率高,周期長,成本高,:在一個芯片上把形狀和尺寸相同的單元格排列成陣列的形式,每個單元內(nèi)部包含若干個器件,單元之間留有布線通道,通道寬度和位置固定,并預先完成接觸孔和連線以外的所有芯片加工步驟,形成母片,然后根據(jù)不同的應用,設計出不同的接觸孔板和金屬連線版,在單元內(nèi)部連線以實現(xiàn)某種門的功能,再通過單元之間連線實現(xiàn)所需的電路功能。(CD:設計開發(fā)費用 CP:每片硅片的工藝費用 CT:芯片的成本 V:生產(chǎn)數(shù)量 y:成品率 n:每篇硅片上的芯片數(shù)量)8. 集成電路的設計方法主要有哪些?簡要說明每種設計的方法和特點。每個尺寸之間沒有必然的比例關系,各尺寸可以獨立選擇,從而使每一尺寸的合理程度得到大大提高。把大多數(shù)尺寸約定為λ的倍數(shù),然后再根據(jù)工藝線的分辨率,給出與工藝相容的λ值。(4)集成電路在一個芯片上集成了數(shù)以萬計、億計的器件,這些器件既要求相互隔離又要求按一定功能相互連接,而且還需要考慮設計提出、設計驗證及設計實現(xiàn)過程中所包含的各方面因素。(2)集成電路外引出端的數(shù)目不可能與芯片內(nèi)器件的數(shù)目同步增加。,器件的組成部分,離子注入的(有時與光刻膠、Si3N4層一起使用)阻擋層5. 離子注入的主要優(yōu)點有哪些?:小于600℃。接觸式曝光 接近式曝光 投影式曝光2. 什么是濕法腐蝕?其優(yōu)點是什么?利用液態(tài)化學試劑或溶液通過化學反應進行刻蝕的方
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