【正文】 有制作工藝復雜的缺點。微電子學是一門綜合性很強的邊緣學科，包含了很多領域。第三章：1. IC的性能主要指哪三個方面？解釋每一個性能的含義？集成度：單塊芯片上所容納的元件數(shù)目。優(yōu)點是選擇性好、重復性好、生產(chǎn)效率高、設備簡單、成本低3. 干法刻蝕有幾種?4. 二氧化硅的主要性質(zhì)和作用有哪些?SiO2是一種十分理想的電絕緣材料，它的化學性質(zhì)非常穩(wěn)定，室溫下它只與氫氟酸發(fā)生化學反應。成本較高，周期較長，單元修改和更新費用較大，芯片面積利用率不高。：系統(tǒng)功能設計、邏輯和電路設計完成后，在優(yōu)化每個器件的電路參數(shù)和器件參數(shù)的情況下，通過人機交互圖形系統(tǒng)，人工設計版圖中的各個器件和連線以獲得最佳性能和最小芯片尺寸。（4）CMOS電路的自鎖效應：防止和限制電流作用。？什么是價帶？什么是禁帶？價帶以上的能帶基本上是空的，其中最低的沒有被電子填充的能帶通常稱為導帶。（BiMOS）集成電路：同時包括雙極和MOS晶體管的集成電路為BiMOS集成電路。信息技術發(fā)展只能依賴于微電子技術的支撐才能成為現(xiàn)實。集成電路的功耗延遲積：電路的延遲時間與功耗相乘。，器件的組成部分，離子注入的(有時與光刻膠、Si3N4層一起使用)阻擋層5. 離子注入的主要優(yōu)點有哪些?：小于600℃。：采用任意形狀的單元，且沒有布線通道的概念，單元可以放在芯片的任意位置。（CD：設計開發(fā)費用 CP：每片硅片的工藝費用 CT：芯片的成本 V：生產(chǎn)數(shù)量 y:成品率 n:每篇硅片上的芯片數(shù)量）8. 集成電路的設計方法主要有哪些？簡要說明每種設計的方法和特點。（3）靜態(tài)CMOS邏輯門：研究與非、或非門及各種邏輯。7. 什么是共有化運動？原子組成晶體后，由于電子殼層的交疊，電子不