畢業(yè)論文——調(diào)頻發(fā)射機(jī)設(shè)計(jì)(參考版)
2025-06-22 18:40本頁面
【正文】 由于時(shí)間蒼促，設(shè)計(jì)之中難免出現(xiàn)不足之處，希望指導(dǎo)老師指正，在此，感謝指導(dǎo)老師對本次設(shè)計(jì)的指導(dǎo)并且提出寶貴意見。例如：如何解決發(fā)射機(jī)非線性失真問題；如何讓頻率穩(wěn)定。 九、總結(jié): 通過本次畢業(yè)設(shè)計(jì)，我進(jìn)一步掌握了小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)的原理及其主要技術(shù)指標(biāo)。 因計(jì)算調(diào)制信號的幅度為達(dá)到最大頻偏的要求，調(diào)制信號的幅度，可由下列關(guān)系式求出。低頻調(diào)制信號Ui的耦合支路電容C6及電感ZL1應(yīng)對Ui提供通路，一般的頻率為幾十赫至幾十千赫茲，故取，（固定電感）。實(shí)際運(yùn)用時(shí) 可用10kΩ電阻與47kΩ電位器串聯(lián)，以便調(diào)整靜態(tài)偏壓。電容CC3由反饋系數(shù)F及電路條件C2CC3C4 決定，若取C2=330pF，由F= C2/ C3= ~=750pF。取標(biāo)稱值。因接入系數(shù)，一般接入系數(shù)，為減小振蕩回路輸出的高頻電壓對變?nèi)菥w管的影響，p值應(yīng)取小，但p值過小又會(huì)使頻偏達(dá)不到指標(biāo)要求，可以先取p=。為了減小晶體管極間電容對振蕩器振蕩頻率的影響，CC3的值要大。②計(jì)算主振回路元件值：CCCCL1CCCCCj、L1組成并聯(lián)諧振回路，其中C3兩端的電壓構(gòu)成振蕩器的反饋電壓，滿足相位平衡條件。變?nèi)荻O管的接入系數(shù)，式中，Cj為變?nèi)荻O管的結(jié)電容，它與外加電壓的關(guān)系為 ( Cj0 為變?nèi)莨?偏時(shí)結(jié)電容,UD 為其PN結(jié)內(nèi)建電位差,γ 為變?nèi)葜笖?shù)) ①變?nèi)荻O管參數(shù)選擇測變?nèi)荻O管的特性曲線，設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)。C6和高頻扼流圈ZL1對Ui相當(dāng)于短路，C7為濾波電容。調(diào)頻電路設(shè)計(jì)調(diào)頻電路由變?nèi)荻O管Cj和耦合電容C5組成，R6和R7 為變?nèi)荻O管提供靜態(tài)時(shí)的反向偏置電壓VQ。 C1為基極旁路電容，可取C1=。 為了提高電路的穩(wěn)定性，取流過電阻R2上的電流 取標(biāo)稱值R2=。為了使電路工作穩(wěn)定，振蕩器的靜態(tài)工作點(diǎn)取,測得三極管的。ICQ偏大，振蕩幅度增加，但波形失真嚴(yán)重，頻率穩(wěn)定性降低。晶體管V1選擇3DG100，其參數(shù)見表14所示。(2)三點(diǎn)式振蕩器設(shè)計(jì)：基極偏置電路元件RRRRC1的計(jì)算圖中，晶體管V1與CCCCCj、L1組成改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩器，V1為共基組態(tài)，C1為基級耦合電容。將受到調(diào)制信號控制的可變電抗與諧振回路連接，就可以使振蕩頻率按調(diào)制信號規(guī)律變化，實(shí)現(xiàn)直接調(diào)頻。圖43 調(diào)頻振蕩器電路 LC調(diào)頻振蕩器是直接調(diào)頻電路，是利用調(diào)制信號直接線性地改變載波瞬時(shí)頻率。發(fā)射機(jī)的頻率穩(wěn)定度由該級決定。元件清單C8=20pF C9= R10=1kΩ Rw2為1kΩ的電位器 晶體管為3DG100【三】、調(diào)頻振蕩器設(shè)計(jì)調(diào)頻振蕩電路的作用是產(chǎn)生頻率的高頻振蕩信號。取標(biāo)稱值R8=。根據(jù)已知條件選取ICQ=4mA,，VCEQ==6V，則 (2)RRw2： 取R10=1kΩ，Rw2為1kΩ的電位器。表43 3DG100參數(shù)表PCMICMVCEShfefTAP100mW30mA30~200≥150MHzβ0=60。 圖42 射極輸出器電路估算偏置電路元件(1)已知條件：Vcc=+12V，負(fù)載電阻RL=325Ω(寬帶放大器輸入電阻)，輸出電壓振幅等于高頻寬帶放大器輸入電壓振幅，即Uom=，晶體管為3DG100（3DG6）。如圖42所
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