貴金屬納米顆粒電磁場仿真分析(參考版)
2025-06-19 14:51本頁面
【正文】 不同材質(zhì)納米顆粒的表面電場分布 :半徑為 30nm的銀和二氧化硅 (a) Silver (b) Silica 圖 2 不同材質(zhì)納米顆粒的表面電場分布 （ a） The incident light parallel to the axis (b） The incident light perpendicular to the axis 圖 7 d=10nm時兩個顆粒的表面電場分布 圓環(huán)狀納米粒子光譜 ? 對一圓環(huán)狀納米金環(huán)在真空介質(zhì)環(huán)境為 ，金環(huán)壁厚為 15nm，高 20nm，外半徑為 60nm，有效半徑為 ，在入射光波長為 6001311nm時。而且對于在連續(xù)光譜下的消光問題，需要將入射光源設置為高斯脈沖或者修正高斯脈沖來模擬一定波段光源的頻譜，而結(jié)果通過傅里葉變換將時域的結(jié)果轉(zhuǎn)化為頻域的結(jié)果，優(yōu)點是可以實時的仿真納米顆粒與光作用的過程，可以很方便的輸出納米顆粒周圍的電場分布圖。 ? Rem公司開發(fā)的基于 FDTD的電磁學仿真軟件，可以應用于分析貴金屬納米顆粒的 LSPR現(xiàn)象。 FDTD ? FDTD方法最早是由 1966年提出的，用變量離散的，含有有限個未知數(shù)的差分方程近似的替代連續(xù)變量的微分方程。由于銀納米顆粒容易被空氣中的氧氣氧化，化學性質(zhì)不夠穩(wěn)定，因此只能在某些惰性溶液中應用。結(jié)果表明，納米顆粒的 LSPR吸收峰波長都與環(huán)境介質(zhì)的折射率成線性關系。 金包銀 300 400 500 600 700 8000 .00 .20 .40 .60 .81 .01 .21 .4Si l v e r(R =5 n m )G o l d (R =1 0 n m )C o re sh e l l (R 1 =1 0 n m , R 2 =5 n m )Extinction efficiencyW a v e l e n g t h (n m )(a )銀包金 300 400 500 600 700 8000 .50 .00 .51 .01 .52 .02 .53 .03 .54 .0Extinction Efficency W a v e l e n g t h (n m ) C o re sh e l
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