半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)思考題(參考版)
2025-06-10 17:25本頁面
【正文】 室溫條件下，求：（1）勢壘區(qū)接觸電勢差；（2）分別計算在熱平衡和反向偏壓10V時的勢壘區(qū)寬度和單位面積上的電容；（3）計算熱平衡下的最大電場強(qiáng)度。解：（1）（2） =300K時，硅片中均勻摻入的施主雜質(zhì)，在溫度T=300K時保持熱平衡條件不變，取，求：（1） 計算熱平衡狀態(tài)下的電子和空穴的濃度；（2） 該半導(dǎo)體的；（3） 該半導(dǎo)體硅片的電阻率；（4） 該半導(dǎo)體硅片中的少子擴(kuò)散系數(shù) ；（5） 該半導(dǎo)體硅片中的少子擴(kuò)散長度 。求：（1）室溫條件下勢壘區(qū)接觸電勢差；（2）計算下列電壓下的勢壘區(qū)寬度和單位面積上的電容：①10V；②0V；③。求： 1) 非平衡少數(shù)載流子的擴(kuò)散長度；2) 半導(dǎo)體中非平衡少數(shù)載流子的分布；3) 在距表面多遠(yuǎn)處非平衡少數(shù)載流子濃度等于表面非平衡少數(shù)載流子濃度的。（3）：室溫下，一均勻摻雜的p型半導(dǎo)體樣品，電子的壽命為，電子的遷移率，在樣品的一端有光照均勻產(chǎn)生非平衡載流子。注：300K下硅。（2），摻磷的n型硅，摻雜的濃度為。注：300K硅。解：室溫時：
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