【正文】 在滿足工藝生產(chǎn)前提下，選。系統(tǒng)的抗干擾措施該系統(tǒng)從軟件與硬件兩個方面來增強(qiáng)抗干擾措施，主要手段有：(1)外部輸入信號與控制系統(tǒng)信號不共地；(2)有的外部輸入信號輸入到單片機(jī)內(nèi)部之前都經(jīng)過嚴(yán)格的光耦電路加以隔離；(3)優(yōu)化PCB布線結(jié)構(gòu)，減少過孔，以降低寄生電容雜散電感的影響；(4)保證整個系統(tǒng)可靠接地；(5)外部信號采用屏蔽電纜線傳輸；(6)軟件上增加軟件濾波、看門口定時器與軟件陷阱等措施，保證軟件在出現(xiàn)死機(jī)、跑飛等故障時能夠自我恢復(fù)；(7)系統(tǒng)重要保護(hù)如限位保護(hù)均從軟件與硬件上加以雙重保護(hù)，以提高其可靠性。主循環(huán)程序不斷檢測系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài)，如果滿足復(fù)位條件便發(fā)出指令轉(zhuǎn)入復(fù)位子程序，迅速將電池板轉(zhuǎn)到適當(dāng)?shù)奈恢煤蟠龣C(jī)以等待新的指令；校驗子程序?qū)ο到y(tǒng)重新進(jìn)行校驗，并將新的位置檢驗值存儲到單片機(jī)內(nèi)部自帶的E2PROM中作為新的位置基準(zhǔn)，他可以用來消除系統(tǒng)的累積誤差，同時也方便了系統(tǒng)的安裝與調(diào)試；系統(tǒng)通常運(yùn)行在自動跟蹤狀態(tài)，單片機(jī)時刻檢測太陽與電池板實際位置間的差值并結(jié)合啟動條件發(fā)出相應(yīng)的PWM脈沖，來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動；此外主循環(huán)程序還不斷檢測當(dāng)前太陽與電池板的位置，將位置信息通過數(shù)據(jù)總線與RS 232分別送到液晶顯示與PC機(jī)監(jiān)控軟件系統(tǒng)中，并將有關(guān)位置參數(shù)及時存到單片機(jī)的E2PROM中?？刂茊卧浖O(shè)計軟件是該控制系統(tǒng)的核心，除一些保護(hù)自鎖功能通過硬件實現(xiàn)外，大部分功能均通過軟件來實現(xiàn)，整個軟件采用C語言模塊化編程方式，易于系統(tǒng)的移植與集成。 (5)系統(tǒng)的保護(hù)功能主要包括大風(fēng)保護(hù)、電網(wǎng)掉電保護(hù)、振動過大保護(hù)、限位開關(guān)與接近開關(guān)保護(hù)組成，單片機(jī)檢測到保護(hù)信號產(chǎn)生時，便發(fā)出指令將系統(tǒng)停放在安全的位置上，確保整個系統(tǒng)不受損壞?？刂茊卧布O(shè)計由于采用了單片機(jī)作為主控制單元，大部分工作都由單片機(jī)在軟件中實現(xiàn)，從而簡化了控制電路的硬件設(shè)計，簡要說明主要控制部分的實現(xiàn)過程。系統(tǒng)功能說明如下：單片機(jī)循環(huán)檢測光伏陣列的位置，并將其與計算出的此時本地太陽的高度角與方位角進(jìn)行比較來確定光伏陣列是否跟蹤上太陽的位置，如果沒有且啟動信號滿足啟動條件，單片機(jī)就發(fā)出指令驅(qū)動電機(jī)轉(zhuǎn)動；保護(hù)信號是保證系統(tǒng)在外界以及其他非人為因素情況下所執(zhí)行的一種操作指令，以確保系統(tǒng)不受損壞，從而提高了整個系統(tǒng)的可靠性。自動太陽跟蹤器的控制方式主要有微處理器控制、PLC控制、DSP控制與模擬電路控制4種形式，根據(jù)以上原理，本項目選擇性價比較高的PIC16F877A單片機(jī)為控制核心，系統(tǒng)實現(xiàn)的具體原理框圖如圖所示：整個控制器主要由控制單元與驅(qū)動執(zhí)行機(jī)構(gòu)2部分組成。太陽赤緯角與時角可以由本地時間確定，而對確定的地點(diǎn)，本地的緯度角也是確定，因此只要輸入當(dāng)?shù)叵嚓P(guān)地理位置與時間信息就可以確定此時此刻的太陽位置。 該系統(tǒng)時刻檢測太陽與光伏陣列的位置并將其輸入到控制單元，控制單元對這2個信號進(jìn)行比較并產(chǎn)生相應(yīng)的輸出信號來驅(qū)動旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，使太陽光時刻垂直入射到光伏陣列的表面上。本項目伺服系統(tǒng)以PIC16F877A單片機(jī)為控制核心，設(shè)計了一種自動跟蹤太陽高度角與方位角轉(zhuǎn)動的自動太陽跟蹤器，該系統(tǒng)跟蹤準(zhǔn)確、能耗低、可靠性高、系統(tǒng)性能穩(wěn)定，發(fā)電效率提高35％以上。為了最大程度地利用太陽能，高效能的太陽能電池和先進(jìn)的太陽發(fā)電自動光源跟蹤系統(tǒng)（追日系統(tǒng)）必不可少。然而它也存在著間歇性、光照方向和強(qiáng)度隨時間不斷變化的問題, 這就對太陽能的收集和利用提出了更高的要求。組件測試：測試的目的是對電池的輸出功率進(jìn)行標(biāo)定，測試其輸出特性，確定組件的質(zhì)量等級。焊接接線盒：在組件背面引線處焊接一個盒子，以利于電池與其他設(shè)備或電池間的連接。邊框和玻璃組件的縫隙用硅酮樹脂填充。修邊：層壓時EVA熔化后由于壓力而向外延伸固化形成毛邊，所以層壓完畢應(yīng)將其切除。我們使用快速固化EVA時，層壓循環(huán)時間約為25分鐘。組件層壓：將敷設(shè)好的電池放入層壓機(jī)內(nèi)，通過抽真空將組件內(nèi)的空氣抽出，然后加熱使EVA熔化將電池、玻璃和背板粘接在一起；最后冷卻取出組件。敷設(shè)時保證電池串與玻璃等材料的相對位置，調(diào)整好電池間的距離，為層壓打好基礎(chǔ)。多出的焊帶在背面焊接時與后面的電池片的背面電極相連，將焊接好的電池串按正反順序排放到放有EVA的鋼化玻璃上。焊接用的熱源為一個紅外燈（利用紅外線的熱效應(yīng)）。以提高電池的利用率，做出質(zhì)量合格的電池組件。一、工藝流程電池檢測→自動焊接→敷設(shè)→層壓→去毛邊（去邊、清洗）→裝邊框（涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠）→焊接接線盒→高壓測試→組件測試→外觀檢驗→包裝入庫。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證，而且還增強(qiáng)了電池的抗擊強(qiáng)度。預(yù)燒結(jié)階段目的是使?jié){料中的高分子粘合劑分解、燃燒掉，此階段溫度慢慢上升；燒結(jié)階段中燒結(jié)體內(nèi)完成各種物理化學(xué)反應(yīng)，形成電阻膜結(jié)構(gòu)，使其真正具有電阻特性，該階段溫度達(dá)到峰值；降溫冷卻階段，玻璃冷卻硬化并凝固，使電阻膜結(jié)構(gòu)固定地粘附于基片上。當(dāng)銀電極和晶體硅在溫度達(dá)到共晶溫度時，晶體硅原子以一定的比例融入到熔融的銀電極材料中去，從而形成上下電極的歐姆接觸，提高電池片的開路電壓和填充因子兩個關(guān)鍵參數(shù)，使其具有電阻特性，以提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。由于漿料的粘性作用使印跡固著在一定范圍內(nèi)，印刷中刮板始終與絲網(wǎng)印版和基片呈線性接觸，接觸線隨刮刀移動而移動，從而完成印刷行程。其工作原理為：利用絲網(wǎng)圖形部分網(wǎng)孔透過漿料，用刮刀在絲網(wǎng)的漿料部位施加一定壓力，同時朝絲網(wǎng)另一端移動。制造電極的方法很多，而絲網(wǎng)印刷是目前制作太陽能電池電極最普遍的一種生產(chǎn)工藝。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當(dāng)?shù)奶岣?。一般情況下，使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。六、鍍減反射膜拋光硅表面的反射率為35%，為了減少表面反射，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要沉積一層氮化硅減反射膜。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸與二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子，這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為磷硅玻璃。五、去磷硅玻璃該工藝用于太陽能電池片生產(chǎn)制造過程中，通過化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸，以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。因為正是PN結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導(dǎo)線將電流引出，就是直流電。這種方法制出的PN結(jié)均勻性好，方塊電阻的不均勻性小于百分之十，少子壽命可大于10ms。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜鳎ㄟ^三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。去除硅片表面損傷層是太陽電池制造的第一道常規(guī)工序，主要是通過化學(xué)腐蝕，硅片化學(xué)腐蝕的主要目的是消除切片帶來的表面損傷，同時也能起到一定的絨面效果，從而減少光反射。二、表面制絨首先用堿（或酸）腐蝕硅片，以去除硅片表面機(jī)械損傷。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測之前，需要先對硅片的對角線、微裂紋進(jìn)行檢測，并自動剔除破損硅片。該組設(shè)備分自動上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個檢測模塊。一、硅片檢測硅片是太陽能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對來料硅片進(jìn)行檢測。④提高切割速度，實現(xiàn)自動化切割。②斷面完整性好，消除拉絲、刀痕和微裂紋。本項目采用多線切割工藝。切片工藝技術(shù)直接關(guān)系到硅片的質(zhì)量和成品率。因此，硅片的切割，即通常所說的切片，是整個硅片加工的重要工序。這一流程也包括了太陽能電池制造階段硅片的表面處理工序，在連續(xù)生產(chǎn)中可以歸并。同時坩堝工作臺緩慢下降，使凝固好的硅錠離開加熱區(qū)，維持固液界面有一個比較穩(wěn)定的溫度梯度，在這個過程中，要求工作臺下降非常平穩(wěn)，以保證獲得平面前沿定向凝固。工藝特點(diǎn)：工作臺通冷卻水，上置一個熱開關(guān)，坩堝則位于熱開關(guān)上。本項目生產(chǎn)所用結(jié)晶爐是采用熱交換與布里曼相結(jié)合的技術(shù)。布里曼法則是在硅料熔化后，將坩堝或加熱元件移動使結(jié)晶好的晶體離開加熱區(qū)，而液硅仍然處于加熱區(qū)，這樣在結(jié)晶過程中液固界面形成比較穩(wěn)定的溫度梯度，有利于晶體的生長。在實際生產(chǎn)中，太陽能電池多晶硅錠的定向凝固生長方法主要有澆鑄法、熱交換法（H EM）、布里曼（B ridgem an）法、電磁鑄錠法，其中熱交換法與布里曼法通常結(jié)合在一起。通常在熱過冷及自由凝固的情況下會形成等軸晶，其特點(diǎn)是晶粒細(xì)，機(jī)械物理性能各向同性。爐內(nèi)的傳熱、傳質(zhì)、流體力學(xué)、化學(xué)反應(yīng)等過程都直接影響到單晶的生長及生長成的單晶的質(zhì)量，拉晶過程中可直接控制的參數(shù)有溫度場、籽晶的晶向、坩堝和生長成的單晶的旋轉(zhuǎn)及提升速率，爐內(nèi)保護(hù)氣體的種類、流向、流速、壓力等。本項目采用中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所研發(fā)的擁有先進(jìn)技術(shù)的CZ900A型單晶爐，是一種軟軸提拉型單晶爐，在惰性氣體（氬氣）的保護(hù)環(huán)境中，以石墨電阻加熱器，將多晶硅材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶棒的設(shè)備。目前國內(nèi)太陽電池單晶硅硅片生產(chǎn)廠家大多采用這種技術(shù)。目前航天領(lǐng)域用的太陽電池所用硅片主要用這種方式生長。本項目確定生產(chǎn)單晶硅錠、多晶硅錠及硅片（WAFER）。第二節(jié) 單晶硅錠、多晶硅錠及硅片（WAFER）工藝技術(shù)方案目前世界太陽能電池產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，在所有安裝的太陽能電池中，超過90% 以上的是晶體硅太陽能電池，因此位于產(chǎn)業(yè)鏈前端的硅錠及硅片的生產(chǎn)對整個太陽能電池產(chǎn)業(yè)有著很重要的作用。五、基礎(chǔ)設(shè)施條件重點(diǎn)實施了污水處理廠、水廠、變電站、路橋、熱力、綠化、雨污泵站、土方回填等“十大工程”建設(shè)，完善了基礎(chǔ)設(shè)施配套體系，基本實現(xiàn)道路、供電、供排水、通訊等“七通一平”，配套十分方便。東營港、廣利港、飛機(jī)場和規(guī)劃建設(shè)中的黃東大鐵路、環(huán)渤海高速路和均近在遲遲，距濟(jì)南、青島、天津、北京分別為5小時的路程。萬元生產(chǎn)總值能耗、二氧化硫和化學(xué)需氧量排放繼續(xù)下降。經(jīng)濟(jì)總量邁上新臺階。地?zé)豳Y源主要分布在渤海灣南新戶、太平、義和、孤島、五號樁地區(qū)及廣饒、利津部分地區(qū)，地?zé)岙惓^(qū)1150平方公里，1010立方米，1015千焦耳，108噸。沿海淺層鹵水儲量2億多立方米，深層鹽礦、鹵水資源主要分布在東營凹陷地帶，推算儲量達(dá)1000多億噸。礦產(chǎn)資源主要有石油、天然氣、鹵水、煤、地?zé)?、粘土、貝殼等。黃河是境內(nèi)主要客水水源，多年平均徑流量為358億立方米，年際間豐枯變化較大，近幾年年均引水量10億立方米左右，基本滿足了區(qū)域工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)用水和生態(tài)用水需要。水資源，多集中在夏季，大部分排入海洋，利用率較低。其中耕地、園地、林地、%；居民點(diǎn)、%；，%。近海在黃河及其它河流作用下，含鹽度低，含氧量高，有機(jī)質(zhì)多，餌料豐富，適宜多種魚蝦類索餌、繁殖、洄游。東營海域為半封閉型，大部岸段的潮汐屬不規(guī)則半日潮，每日2次，~2米，大潮多發(fā)生于3~4月和7~11月，潮位最高超過5米。海水溫度、鹽度受大陸氣候和黃河徑流的影響較大。沿岸海底較為平坦，%，%?！?”。以黃河為分界線，黃河以南屬淮河流域，有小清河及其支流淄河、陽河、泥河子、預(yù)備河，支脈河及其支流小河子、武家大溝、廣蒲河、五干排，廣利河及其支流溢洪河、東營河、老廣蒲河、五六干合排、六干排，永豐河及其支流三排溝，張鎮(zhèn)河、小島河20條河流；黃河以北屬海河流域，有潮河及其支流褚官河、太平河，馬新河，沾利河，草橋溝，草橋溝東干流，挑河，神仙溝及其支流新衛(wèi)東河10條河流。比多年平均值少17%,屬枯水枯沙年份。1999年后，黃河水利委員會加大對沿黃地區(qū)引水的管理力度，斷流現(xiàn)象趨緩，2000~2007年實現(xiàn)不斷流。據(jù)利津水文站1950~2001年實測資料，(1964年)，(1997年)；最大流量為10400立方米每秒(1958年7月)，最小流量為斷流干河；，最大21億噸(1958年)，(1997年)。河流黃河?xùn)|營段上起濱州界，自西南向東北貫穿東營市全境，在墾利縣東北部注入渤海，全長138公里。黃河穿境而過，背河方向近河高、遠(yuǎn)河低，背河自然比降為1/7000，河灘地高于背河地2~4米，形成“地上懸河”。地勢沿黃河走向自西南向東北傾斜。地形、地貌及地質(zhì)東營市地處華北坳陷區(qū)之濟(jì)陽坳陷東端，地層自老至新有太古界泰山巖群，古生界寒武系、奧陶系、石炭系和二疊系，中生界侏羅系、白堊系，新生界第三系、第四系；缺失元古界，古生界上奧陶統(tǒng)、志留系、泥盆系、下古炭統(tǒng)及中生界三疊系?！妫瑹o霜期長達(dá)206天，≥10℃的積溫約4300℃，可滿足農(nóng)作物的兩年三熟。主要?dú)庀鬄?zāi)害有霜凍、干熱風(fēng)、大風(fēng)、冰雹、干旱、澇災(zāi)、風(fēng)暴潮災(zāi)等。二、自然條件氣候條件東營市地處中緯度，背陸面海，受亞歐大陸和西太平洋共同影響，屬暖溫帶大陸性季風(fēng)氣候，氣候溫和，四季分明。東、北臨渤海。07 ′～119176。55′～38176。良好的基礎(chǔ)，可保證項目的順利實施、有效運(yùn)轉(zhuǎn)；項目的廠址選擇充分考慮企業(yè)的實際能力和長遠(yuǎn)發(fā)展，做到了統(tǒng)籌兼顧、經(jīng)濟(jì)合理、優(yōu)化配置、節(jié)省資源。綜合分析廠址方案，認(rèn)為具有以下優(yōu)勢：符合規(guī)劃：本工程廠址位于XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX符合開發(fā)區(qū)的規(guī)劃要求。二、產(chǎn)品方案太陽能級晶體硅片規(guī)格：厚度200微米，邊長125mm及以上的準(zhǔn)方形片或方形片產(chǎn)量：年產(chǎn)硅片約100 MW質(zhì)量指標(biāo)：型號電阻率(Ω㎝)厚度(m)尺寸(mm)氧含量碳含量TV(m)TTV(m)P180200125*125及以上準(zhǔn)方形11018 /㎝351016 /cm32030晶體硅太陽能電池片規(guī)格：125*125mm及以上產(chǎn)量：年產(chǎn)晶體硅太陽能電池片25 MW電池組件規(guī)格：單晶125系列 單晶156系列 多晶156系列