【正文】 第三階段（2001－2008）整理各種資料，作好項目技術總結報請項目驗收?！盚B－GaAs單晶成品率由現(xiàn)在的55%增加到70%，EPD5103cm－2?！　　〉诙A段（2001－20012）在進一步綜合優(yōu)化現(xiàn)有工藝技術基礎上，使Φ2”HB－GaAs單晶成品率由現(xiàn)在的75%增加到85%。使單晶生長長度由目前的600mm增加到650mm。企業(yè)現(xiàn)有生產(chǎn)場地面積約3000平方米，建有GaP生產(chǎn)車間、GaAs生產(chǎn)車間、加工車間，擁有砷化鎵單晶爐、純水供應設備、線切割機等生產(chǎn)設備，各種輔助設施齊全，原材料主要來自國內，供應渠道穩(wěn)定，具備進一步產(chǎn)業(yè)化基礎。國外另一重要用戶韓國的Prowtech認為該項目產(chǎn)品質量等同于日本住友電工公司的產(chǎn)品。、產(chǎn)業(yè)基礎本項目產(chǎn)品技術成熟，2005年通過了中科鎵英半導體有限公司質量管理部所做的測試報告，并于同年通過了中國有色金屬工業(yè)協(xié)會組織的科技成果鑒定，鑒定結果為產(chǎn)品技術、產(chǎn)品質量均達到國際先進水平，具備進一步擴大生產(chǎn)規(guī)模的技術條件。管理商，公司制定了“以人為本，科學管理，追求卓越，顧客至上，持續(xù)發(fā)展”的質量方針，尊重人才，通過培訓不斷提高員工素質，重視人力資源開發(fā)，倡導全員參與；采用現(xiàn)代的管理方法，使工作規(guī)范化、合法化，持續(xù)提高工作效率和質量；重視質量，通過推行科學的質量管理，持續(xù)改進產(chǎn)品質量、服務和管理水平；提供符合顧客要求的產(chǎn)品，達到并超過顧客滿意，爭取更多顧客，拓展市場；持續(xù)改進質量管理體系，使公司保持同行業(yè)前列。目前企業(yè)擁有HBGaAs單晶生產(chǎn)系統(tǒng)30臺及相應的晶片加工（切片機、磨片機、劃園機、倒角機、拋光機等）性能檢測設備。國瑞電子材料有限責任公司1999年12月注冊成立，由北京有色金屬研究總院和有研半導體材料股份有限公司共同出資組建。1991年原國家計委選定北京有研總院組建國家半導體材料工程研究中心，作為國家半導體材料工程化研發(fā)基地，加快了HBGaAs單晶材料的產(chǎn)業(yè)化步伐。研發(fā)能力強是本單位的固有優(yōu)勢，企業(yè)前身是北京有色金屬研究總院化合物半導體材料研究室。歷年來，在國內外學術刊物發(fā)表論文20余篇，出版專著（半導體材料，化學工業(yè)出版社，2004）一部，為相關工具書撰寫詞條、譯著等約10萬字。1990年以來先后主持國家863高技術研究項目兩項，“九五”國家科技攻關項目一項，國防科工委重大軍工項目兩項，國家工程研究中心項目一項，國家高技術產(chǎn)業(yè)化示范工程“水平砷化鎵單晶片產(chǎn)業(yè)化”一項等，獲部級成果四項。掌握英、日兩種外語，能熟練運用英語進行讀、寫、聽、說。1995年被聘為教授級高級工程師。技術負責人：鄭安生，公司總經(jīng)理，男，1962年5月出生，中共黨員，1988年畢業(yè)于蘭州大學，材料科學碩士學位；同年來北京有色金屬研究總院工作至今。其中“鋰離子電池及其電池材料的研究及產(chǎn)業(yè)化”獲中國有色工業(yè)科技進步一等獎；“黃金洞金礦浮選工藝優(yōu)化研究與應用”獲國家經(jīng)貿(mào)委科技進步一等獎。曾任北京有色金屬研究總院稀冶所所長、開發(fā)經(jīng)營部主任、基建辦公室主任、院長助理。1985年畢業(yè)于清華大學化工系，1988年在清華大學獲工學碩士學位。全部人員中，中高層管理人員8人，%，研發(fā)人員25人，%，銷售人員12人，%，生產(chǎn)人員45人，%，后勤人員8人，%，人員構成合理。同時，本項目的實施，將帶動相關產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，從而推動我國經(jīng)濟快速發(fā)展。但是由于國內沒有生產(chǎn)該產(chǎn)品的企業(yè)，使國內企業(yè)對該產(chǎn)品的需求主要依賴進口。 由以上財務數(shù)據(jù)可見，本項目投資回收期較短，投資利潤率、投資利稅率、內部收益率較高，即達到盈虧平衡。該項目投資回收期短，投資收益可觀，獲利能力很強。● 投資利稅率=年平均利稅/項目投資總額=（7613+3211+2512）/10/1000*100%=133%● 投資回收期=（累計凈現(xiàn)金流量出現(xiàn)正值的年份1）+∣上一年度累計凈現(xiàn)金流量∣/當年凈現(xiàn)金流量=（31）+∣147∣/549=(含建設期1年)預計在2009年4月即可收回全部投資?！?項目內部收益率84%。流動資金投資420萬元，主要用于原輔材料購置、燃料動力費、員工工資福利、咨詢、資料等費用。自籌資金主要來自企業(yè)貨幣資金。本企業(yè)計劃在項目執(zhí)行期內新增投資500萬元，主要用于部分生產(chǎn)設備購置、研發(fā)費用、原輔材料費購置、工資福利費等。因此，本項目產(chǎn)品不存在市場風險。本項目產(chǎn)品具有很強的競爭優(yōu)勢。目前，國內外市場對本項目產(chǎn)品供不應求，而國內只有本項目單位在從事HBGaAs單晶研究開發(fā)生產(chǎn)，并已有部分產(chǎn)品銷售。市場風險應對措施：本項目產(chǎn)品近年來大量用于紅外LED（波長800900nm）和高亮度（High brightHB）LED—即AlGaInP/GaAs高亮度紅、橙、黃色LED，是目前生產(chǎn)量和需求量最大、增長率最快的化合物半導體器件之一。培訓是企業(yè)塑造人才，提高競爭優(yōu)勢的重要手段之一。和諧的競爭機制能夠使員工在和諧的交流和合作中感受到競爭壓力，從而不斷超越自我，增強工作的挑戰(zhàn)性?！?在員工群體中導入和諧的競爭機制?！?完善企業(yè)的績效管理制度，及時開展績效溝通。薪酬從作用上來劃分，大致可分為兩部分，一部分就是員工勞動價值的回報，這一部分主要表現(xiàn)為保障員工及其家屬的基本物質生活，主要起保健作用；另一部分就是對員工起激勵作用的獎勵。為減少人員流失對公司造成的損失，公司采取如下措施： ☆ 建立激勵型薪酬體系。人員風險應對措施：企業(yè)或項目的成功運作離不開人力資本，尤其是高新技術企業(yè)，高科技人才的重要性顯得更為突出。項目目前已有部分產(chǎn)品銷售國內外，用戶中包括日本住友電工公司、韓國Prowtech公司等世界知名企業(yè)和中科鎵英公司等國內用戶，對該產(chǎn)品用戶一致反映良好。技術風險應對措施：項目承擔單位國瑞公司前身是北京有色金屬研究總院化合物半導體材料研究室，從1958年就開始水平GaAs單晶研究，已有40多年研究開發(fā)經(jīng)驗，擁有一支由該領域知名專家教授及長期從事該項目研究的高工組成的研發(fā)隊伍，這支隊伍對該項目產(chǎn)品擁有絕對技術優(yōu)勢。2007年預計產(chǎn)品可出口創(chuàng)匯200萬美元，隨著項目生產(chǎn)規(guī)模的擴大，該產(chǎn)品市場占有率將進一步增加，預計五年后本項目產(chǎn)品同類商品市場占有率將達到15%。目前產(chǎn)品已經(jīng)被日本住友電工和韓國Prowtech企業(yè)，他們認為該項目產(chǎn)品質量等同于日本住友電工公司的產(chǎn)品。由于本項目產(chǎn)品各項技術性能指標達到國外同類產(chǎn)品指標，而價格遠遠低于國外產(chǎn)品，因此本產(chǎn)品自進入市場以來受到客戶的青睞，目前產(chǎn)品市場占有率達到10%。因此，僅在半導體照明方面的應用，其市場前景就不可限量。目前的白光LED雖以GaN基LED的磷光體轉換為主，但高質量的白光LED光源仍應用三基色LED“合成”。目前由于成本較高，它在照明方面的應用所占比重還較小，但卻是它發(fā)展最快的應用領域；據(jù)預測，2002——2007年間，高亮度LED年復合增長率為21%，而在照明應用方面應用量年復合增長率為44%。僅汽車用高亮度LED約需HBGaAs單晶6~9t。以每輛車用200300支LED計算，全球汽車年產(chǎn)量約為6000萬輛，則每年僅汽車用高亮度LED就達120180億支。2008年可望達到9億美元。今后仍將保持平均20%的年增長率，2008年高亮度LED市場將達到60億美元。第四章 市場需求情況和風險分析本項目產(chǎn)品近年來大量用于紅外LED（波長800900nm）和高亮度（High brightHB）LED—即AlGaInP/GaAs高亮度紅、橙、黃色LED，是目前生產(chǎn)量和需求量最大、增長率最快的化合物半導體器件之一。EPD(cm2)≤1104≤1104該項目利用本單位獨創(chuàng)的石英舟預處理技術、生長系統(tǒng)設計和制造技術、固液界面特種加熱爐設計和制造技術，研究開發(fā)了φ2””水平砷化鎵單晶生長工藝技術及晶片加工工藝技術。177。177。177。、價格、性能等情況該項目產(chǎn)品質量優(yōu)良，價格低于國外同類產(chǎn)品，各項性能指標均達到或優(yōu)于國外同類產(chǎn)品，市場前景廣闊。國外另一重要用戶韓國的Prowtech認為該項目產(chǎn)品質量等同于日本住友電工公司的產(chǎn)品。具備進一步擴大生產(chǎn)規(guī)模的技術條件。通過提高單晶單爐產(chǎn)量和成品率，提高晶片加工成品率，實現(xiàn)了水平砷化鎵單晶材料的產(chǎn)業(yè)化，達到了預期的目標。第三章 項目成熟程度、鑒定及用戶使用情況本項目產(chǎn)品技術成熟，2005年通過了中科鎵英半導體有限公司質量管理部所做的測試報告，報告顯示：國瑞公司向本公司提供的SiN型HBGaAs單晶和摻ZnP型HBGaAs單晶與國瑞公司所提供的產(chǎn)品所有參數(shù)完全一致。注冊資金3500