array工藝技術(shù)基礎(參考版)
2025-05-10 18:03本頁面
【正文】 Temperature： 250℃ 下保持 20分鐘；將溫度降到 23℃ 用 7分鐘。 ② 胺類 （ MEA） 打破 PR與 Resin的 CrossLink結(jié)合 ③ 酮類 NMP (Normal Methyl 2Pyrrolidone : C5H9NO) Solubility將分掉的 Acid溶解 。5. Array Anneal的情 況。3. 找到FTIR（紅 外光譜儀），了解其測試項目。4. Wet Strip的參 數(shù)： 三、明天的工作計劃：1. 關注新進的ES Lot 1AAAE10001～ 0003。3. 如Lot 1AAAEZ0030在 ITO Wet Etch時三 、 、。2. 關于查到的Lot 1AAAEZ002 230三 個Lot的 情況，三個Lot在 Photo區(qū)曝 光時Scan Speed不太 確定，如Gate層時 有時為220mm/sec， 有時為210mm/sec， 對于這種情況，今天確認后的結(jié)果為因為測試的緣故，因為隨著光強的增加，曝光速度也會增加，標準照度應該為71 00 lu x。二、今天的工作總結(jié)：1. 通過追蹤Run sheet得知 1月3日 Array 產(chǎn)線 新進了1AAAE10001～ 0003三個 Lot，現(xiàn)在5Mask工 藝已經(jīng)做到了Gate Etch。2. 目前Photo工藝 Scan Speed不確 定及PR膠厚 度與之前Spec不同 的原因?；瘜W反應主要是把光刻膠的長鏈結(jié)構(gòu)斷開，從而達到去除的目的。 隨 著 Pressure增大， Uniformity也 會提高。 Pressure增大， → 基板中心部分 E/R增大； → 周 邊 部分 E/R減 小。 RF Power越大， SiNx與 Mo的 Selectivity越小。 RF Power增大，整體的 E/R也增大。利用該原理可進行干法刻蝕。 Process Chamber 利用 Plassma原理在反應艙中通入反應氣體，生成的反應氣體粒子撞擊鍍膜表面，達到刻蝕的目的。 Glass進入此Chamber以后， Valve關閉，開始抽真空。 Anisotropic ? Isotropic(各向同性 ):指各 個 方向的刻 蝕 率是相同的 ,所有的 Wet Etch和部分 Plasma Etch為 Isotropic, Substrate Oxide Oxide Oxide Resist Resist Resist ? Anisotropic(各向 異 性 ):指一 個 方向的刻 蝕 ,刻 蝕 后的 內(nèi) 壁基本 為 垂直的 , Anisotropic只能通過 Plasma Etch Substrate Oxide Oxide Resist Resist Resist ?? B2 Project Team Wet Etch Gate,SD,ITO 刻蝕液種類及配比： H3PO4 : CH3COOH : HNO3: H2O = 72 : 10 : 2 : 16 wt% Al： 4AL + 2HNO3 → 2AL2O3 + N2 + H2 2H3PO4 + AL2O3 → 2AL(PO4) + 3H2O Nd: 4Nd + 2HNO3 → 2Nd2O3 + N2 + H2
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