mems微機電系統(tǒng)ppt課件(參考版)
2025-05-08 18:19本頁面
【正文】 ； ，適用于工業(yè)生產(chǎn) 謝謝！ 。通過控制等離子體的電離程度來控制離子束密度，從而控制刻蝕速率。 反應(yīng)離子束刻蝕（ RIBE） RIBE是改進(jìn)的離子束刻蝕（ IBE） .它采用加入離子源的氣體代替惰性氣體，通過柵電極從等離子體中萃取離子形成離子束，避免了硅片與等離子的直接接觸。 IBE刻蝕特點 – 方向性好，各向異性，陡直度高 – 分辨率高，可達(dá)到 – 不受刻蝕材料限制（金屬 or化合物，無機物 or有機物，絕緣體 or半導(dǎo)體均可） – 刻蝕過程中可改變離子束入射角 θ來控制圖形 輪廓 – 加工過程中，損傷比較嚴(yán)重 – 加工精度不容易控制 離子束刻蝕速率影響因素 C .離子束流密度 IBE相關(guān)刻蝕數(shù)據(jù) 離子能量： 350eV 離子能量： 350eV ? 由于 IBE刻蝕對材料無選擇性，對于那些無法或者難以通過化學(xué)研磨、電介研磨難以減薄的材料，可以的通過 IBE來進(jìn)行減薄。高密度等離子源產(chǎn)生于電感耦合或 ECR ? 可實現(xiàn)的指標(biāo)： ? 深寬比： ? 30： 1（ 90177。 RIE的優(yōu)點： ， 一個 RIE的 工藝 包括以下六個步驟 : 分離 ：氣體由等離子體分離為可化學(xué)反應(yīng)的 元素； 擴散 ：這些元素擴散并吸附到硅片表面； 表面擴散 ：到達(dá)表面后，四處移動； 反應(yīng) ：與硅片表面的膜發(fā)生反應(yīng)； 解吸 ：反應(yīng)的生成物解吸，離開硅片表面； 排放 ：排放出反應(yīng)腔。適用于微米級線寬刻蝕。 ? 分類： ? 平行電極等離子體刻蝕（ PE） ? 反應(yīng)等離子刻蝕 (RIE) ? 深反應(yīng)等離子刻蝕（ DIRE） ? 離子束刻蝕（ IBE） ? 反應(yīng)離子束刻蝕（ RIBE） 平行電極等離子刻蝕（ PE） PE 是比較早期的刻蝕方法，腐蝕氣體分子在高頻電場（標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)頻率 ）作用下，發(fā)生電離形成輝光放電，產(chǎn)生等離子體，利用離子與薄膜間的化學(xué)反應(yīng)，生成揮發(fā)性物質(zhì)，由真空抽走，達(dá)到刻蝕的目的。 其腐蝕反應(yīng)方
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