mosfet直流特性ppt課件(參考版)
2025-05-08 18:16本頁面
【正文】 PaoSah 模型是一個精確的電荷模型，薄層電荷模型可以看成是 PaoSah 模型的簡化。 模型的缺陷（ 2） 解決的辦法 1：引入導(dǎo)通電壓 Von，當(dāng) VGSVon時，強反型方程有效，當(dāng) VGSVon時，弱反型方程有效。 降低界面陷阱密度 Dit oxitoxdCCCC ??? 1?亞閾值電流 （ 4） 理論上， S的最小值為 ： Smin=60 (mV/decade) 現(xiàn)代典型工藝 S值的范圍 ： 70～ 120 (mV/decade) 為什么要求 S小？ ?設(shè)計者需要用它來保證 MOST處在“關(guān)”態(tài)所需要的柵壓。 降低 NB。半對數(shù)坐標(biāo)系中的亞閾值電流為直線。 ?定義為亞閾值電流每變化 10倍（一個數(shù)量級）所要求的柵壓的變化量 *。 )()(m a x yCyQ soxb ????))(2()()2()( m a xyVVVCyQVVVCYQsyFFBGSoxbYFFBGSoxi????????????????SByfs VVy ??? ?? 2)(體電荷模型（ Bulk charge Model） ]})2()2[(32){()(23230SBFFDSDSDSFFBGSoxsVYioxsDSVV S BVVVVVLWCdVYQLWCIDS?????????? ???????22 ???? ????????? SBFBGSFFBGSD s a t VVVVVVSPICE LEVEL 2級模型中的電流方程 考慮 體電荷效應(yīng) 得到的 IDS、 Vdsat比薩之唐方程計算的結(jié)果要小。 截止區(qū) 線性區(qū) 飽和區(qū) TnGSD s a t VVV ??平方律理論 體電荷模型（ Bulk charge Model） 基本假設(shè)：保留 1～ 10項假設(shè)，撤銷第 11項假設(shè)，該假設(shè)認(rèn)為沿溝道長度方向 Qb是不變的。(0 LD satDS VV ?0 39。 SPICE中用 溝道長度調(diào)制系數(shù) λ表示飽和區(qū) VDS對 IDS的影響程度。 對于短溝道器件，溝道長度調(diào)制 使得 MOST 工作在飽和區(qū)時，漏電流 IDS隨 VDS增加而緩慢增加。LL一級近似模型： MOSFET飽和區(qū) LL ???P夾斷的條件 ： ① Qi(Y=L)=0 ② 漏電流達(dá)到最大 夾斷時的源漏電壓 ： VDS=VDsat=VGSVTn 夾斷后， VDS再增加 ： ? 增加的部分全部降落在夾斷區(qū) ? 夾斷點向源端方向移動，夾斷區(qū)展寬 ? 夾斷區(qū)是耗盡區(qū) ? 若 L ?L，漏電流維持在 IDsat 一級近似模型： MOSFET飽和區(qū) 0???D
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