mosfet基礎(chǔ)1mos結(jié)構(gòu),cv特性(參考版)
2025-04-29 08:59本頁(yè)面
【正文】 CV特性 界面陷阱的影響 :反型狀態(tài) 例圖 :需要額外犧牲三個(gè)正電荷來(lái)中和界面態(tài)的負(fù)電 ,所以閾值電壓升高 _ _ _ ++++++ 受主態(tài)容易接受電子帶負(fù)電 47 48 小節(jié)內(nèi)容 ? 氧化層電荷及界面態(tài)對(duì) CV曲線的影響 ? 氧化層電荷影響及曲線 ? 界面態(tài)概念 ? 界面態(tài)影響概念曲線 ? 實(shí)例 ? 如何測(cè) CV曲線 ? 如何看圖解釋出現(xiàn)的現(xiàn)象 49 。例圖 :如果 Qss均為正電荷 ,需要額外犧牲負(fù)電荷來(lái)中和界面的正電 ,所以平帶電壓更負(fù) ++ 39。此時(shí)，耗盡層寬度乃至耗盡層電容基本不隨柵壓變化而變化。)in v(39。CxV dG38 CV特性 強(qiáng)反型狀態(tài) (低頻 ) 加大的正柵壓且柵壓變化較慢，反型層電荷跟得上柵壓的變化 平帶 本征 oxoxox tCC???)in v(39。平帶 本征 37 CV特性 耗盡狀態(tài) 加小的正柵壓，表面耗盡層電荷隨柵壓的變化而變化，出現(xiàn)耗盡層電容 平帶 本征 C’相當(dāng)與 Cox與 Csd’串聯(lián) ? ?m i n39。?? ?閾值電壓典型值 金屬 半導(dǎo)體功函數(shù)差 30 MOS電容 表面反型層電子密度與表面勢(shì)的關(guān)系 316316cm101K300cm103??????????sfpsfpanTN???反型實(shí)例：31 MOS電容 表面空間電荷層電荷與表面勢(shì)的關(guān)系 半導(dǎo)體表面狀態(tài)的變化時(shí)襯底型 ?GSVSip堆積 平帶 耗盡 弱反型 強(qiáng)反型 32 小節(jié)內(nèi)容 ? 電荷分布 ? 分布圖 ? 閾值電壓 ? 概念 ? 電中性條件 ? 與誰(shuí)有關(guān) ?如何理解 ? ? N型 P型及摻雜的關(guān)系 33 ? 理想情況 CV特性 ? 頻率特性 ? 氧化層電荷及界面態(tài)的影響 ? 實(shí)例 34 CV特性 什么是 CV特性 ？ )(VfdVdQC ??平帶 電容 電壓特性 35 CV特性 堆積狀態(tài) 加負(fù)柵壓，堆積層電荷能夠跟得上柵壓的變化，相當(dāng)于柵介質(zhì)平板電容 oxoxox tCC???)acc(39。(39。| m a x單位面積柵氧化層電容 平帶電壓 閾值電壓 MOS電容 n型襯底與 p型襯底的比較 dTdSD xeNQ ?|39。 fpgmms eE ???? ????oxssmsFB CQV /39。CQV ???－29 )239。|2|39。 |m ss
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