mos反向器ppt課件(參考版)
2025-01-17 04:25本頁面
【正文】 （準(zhǔn)恒定電源電壓理論） 也是 CE理論的修正，電源電壓及其他量按 變化 ?。 tf=?（公式 ） 兩部分組成： 1）：電容電壓 Vo從 VDDVTN所需時(shí)間 2）：電容電壓 Vo從 VDDVTN下降到 與下降時(shí)間類似 功耗 分為： 1）靜態(tài)功耗 PD CMOS反相器靜態(tài)功耗幾乎為零 2）動態(tài)功耗 PS ，動態(tài)功耗又可分為： 開關(guān)的瞬態(tài)電流造成的功耗 PA 負(fù)載電容的充電放電造成的功耗 PT 靜態(tài)內(nèi)部反相器的設(shè)計(jì) 靜態(tài) CMOS反相器的設(shè)計(jì)： 1）對稱波形設(shè)計(jì)準(zhǔn)則 要求 kp=kn 2）準(zhǔn)對稱波形設(shè)計(jì)準(zhǔn)則 要求 kp與 kn滿足一定的比例 動態(tài)反相器 D ф D和 Ф同時(shí)為 1， M1,M2同時(shí)導(dǎo)通 Y的值為 M1,M2的寬長比決定的地 電平 VOL值 Ф1 Ф2 D Ф1 和 Ф2是兩個(gè)互不重迭的時(shí)鐘 Ф1叫預(yù)充時(shí)鐘 Ф2叫求值時(shí)鐘 按比例縮小理論 分為 CE理論， CV理論， QCV理論 CE理論（恒定電場理論） 基本特點(diǎn)：器件尺寸，電源電壓縮小為 1/α倍 襯底濃度增加為原來的 α倍。 上升時(shí)間 tr：波形從它的穩(wěn)態(tài)值的 10％上升到90％所需時(shí)間。 CMOS反相器 P管 N管 Vi為低電平時(shí)： N管截止， P管導(dǎo)通， Vo=VDD Vi為高電平時(shí)： N管導(dǎo)通， P管截止， Vo=0 電流方程如下： 截止 飽和 線性 截止 飽和 線性 22220( ) ( )[ 2( ) ][ 2( ) ( ) ( ) ]D D TP ip G S TP p i D D TP o TP i D D TPD SPp G S TP D S D Sp i D D TP o D D o D D i o TPV V Vk V V k V V V V V V V VIk V V V Vk V V V V V V V V V V????? ? ? ? ? ? ? ? ? ??? ?? ? ? ??? ? ? ? ? ? ? ? ??－－－－－－－－－－－－－－－－－－ －－－ －－ 22220( ) ( )[ 2( ) ][ 2( ) ]i T Nn G S T N N i T N T N i o T ND SNN G S T H D S D SN i T N o o o T N iVVk V V k V V V V V VIk V V V Vk V V V V V V V???? ? ? ? ? ??? ?? ? ??? ? ? ? ??－－－－－－－－－－－－－－－－ －－－－－－－－－－ A區(qū)： N管截止， P管工作于線性區(qū) 輸出 Vo=VDD B區(qū)： P管工作在線性區(qū)， N管飽和 0 i TNVV??/2TN i D DV V V??22( ) ( )D S N n G S TN N i TNI k V V k V V? ? ? ?2[ 2 ( ) ( ) ( ) ]D S P p i D D T P o D D o D DI k V V V V V V V? ? ? ? ? ? ?DSP DSNII??...oV
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