功率mosfet應(yīng)用ppt課件(參考版)

【摘要】MPS功率MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域2022-8-4：QS2QS1Q1Vin(~)85V~305VQ2Q3HV-ICGateVGateVVout(DC)PFCStageLLCStage在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用一般用在較大功率的產(chǎn)品上，一般為100W～300W,且輸出直流為低電壓，會(huì)采用

2025-01-17 09:27

功率mosfet之基礎(chǔ)篇(參考版)

【摘要】功率MOSFET之基礎(chǔ)篇老梁頭2022年1月銳駿半導(dǎo)體簡(jiǎn)介自從上世紀(jì)90年代，功率MOSFET技術(shù)取得重大進(jìn)步，極大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展，尤其是開(kāi)關(guān)電源工業(yè)。由于MOSFET比雙極型晶體管具有更快的開(kāi)關(guān)速度，使用MOSFET時(shí)開(kāi)關(guān)頻率可以達(dá)到幾百KHz，甚至上MHz。使得開(kāi)關(guān)電源的功率

2025-07-21 11:47

mosfet直流特性ppt課件(參考版)

【摘要】§3、MOSFET的直流特性本節(jié)內(nèi)容推導(dǎo)長(zhǎng)溝道MOSFET的電流－電壓之間的數(shù)學(xué)關(guān)系，包括：?線性區(qū)的I-V關(guān)系?飽和區(qū)的I-V關(guān)系?亞閾值區(qū)的I-V關(guān)系?溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)基本方程半導(dǎo)體器件的特性一般由下面三組方程決定siozyxzyxequationspoission

2025-05-08 18:16

mosfet概念深入ppt課件(參考版)

【摘要】第12章MOSFET概念的深入?12．1非理想效應(yīng)?12．2MOSFET按比例縮小理論?12．3閾值電壓的修正?12．4附加電學(xué)特性?12．5輻射和熱電子效應(yīng)*1非理想效應(yīng)亞閾值電流:定義亞閾值電流TGVV?區(qū)半導(dǎo)體表面處于弱反型fpsfp???2??2

2025-05-04 23:38

mosfet放大電路ppt課件(參考版)

【摘要】MOSFET放大電路MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算2.圖解分析3.小信號(hào)模型分析*帶PMOS負(fù)載的NMOS放大電路MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算（1）簡(jiǎn)單的共源極放大電路（N溝道）共源極放大電路直流通路MOSFET放大電路1.

2025-05-08 18:16

mosfet的閾電壓ppt課件(參考版)

【摘要】MOSFET的閾電壓定義：使柵下的硅表面處開(kāi)始發(fā)生強(qiáng)反型時(shí)的柵電壓稱為閾電壓（或開(kāi)啟電壓），記為VT。定義：當(dāng)硅表面處的少子濃度達(dá)到或超過(guò)體內(nèi)的平衡多子濃度時(shí)，稱為表面發(fā)生了強(qiáng)反型。在推導(dǎo)閾電壓的表達(dá)式時(shí)可近似地采用一維分析，即認(rèn)為襯底表面下耗盡區(qū)及溝道內(nèi)的空間電荷完全由柵極與

2025-05-08 18:16

mosfet基本原理ppt課件(參考版)

【摘要】5-5MOSFET基本原理?5-5-1基本特性?5-5-2MOSFET的線性壓?5-5-3線性區(qū)電流討論5-5-1基本特性：?當(dāng)柵極無(wú)外加偏壓時(shí)源到漏柵電極之間可視為兩個(gè)背對(duì)背相接的PN結(jié)，而由源極流向漏極的電流有反向漏電流。?當(dāng)外加一足夠大的正電壓于柵極上時(shí)，MOS結(jié)構(gòu)均將被反型

2025-05-08 18:16

功率mosfet雪崩擊穿問(wèn)題分析(參考版)

【摘要】功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時(shí)MOSFET雪崩擊穿過(guò)程不存在“熱點(diǎn)”的作用，而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在MOSFET的雪崩擊穿中起著決定性的作用，寄生晶體管的激活導(dǎo)通是其雪崩擊穿的主要原因。在MOSFET發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，器件內(nèi)部能量的耗散會(huì)使器件溫度急劇升高

2025-06-10 17:00

額定功率實(shí)際功率ppt課件(參考版)

【摘要】實(shí)際功率實(shí)際電壓：用電器工作時(shí)實(shí)際兩端所加的電壓為實(shí)際電壓,一般用Ｕ實(shí)表示額定電壓：用電器正常工作時(shí)的電壓叫做額定電壓用Ｕ額表示實(shí)際功率：用電器在實(shí)際電壓下工作時(shí)的功率叫實(shí)際功率,用Ｐ實(shí)表示額定功率：用電器在額定電壓下正常工作時(shí)的功率叫額定功率,用Ｐ額表示額定電壓和額定功率

2025-05-10 12:02

大功率電源中mosfet熱設(shè)計(jì)(參考版)

【摘要】電源工程師指南：大功率電源中MOSFET功耗的計(jì)算摘要：功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說(shuō)明了上述概念。?也許，今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨

2025-07-02 23:25

153功率ppt課件(參考版)

【摘要】一樓有一桶水，需要運(yùn)到三樓，我們可以采用幾種方法運(yùn)上去？導(dǎo)入新課這兩種方法做的有用功一樣多嗎？有什么區(qū)別？有一批磚，準(zhǔn)備運(yùn)到新建的樓房上去，有哪些方法？方法1：搬運(yùn)工分批搬，需3h；方法2：用一臺(tái)起重機(jī)提升，用時(shí)1min；方法3：用兩臺(tái)起重機(jī)提升，用時(shí)30s。以上

2025-08-08 01:34

功率特性ppt課件(參考版)

【摘要】1第四章雙極型晶體管的功率特性1P-N結(jié)2直流特性3頻率特性4功率特性5開(kāi)關(guān)特性（6，7結(jié)型和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）8噪聲特性大電流(大注入)高電壓(擊穿)大功率集電極最大允許工作電流ICM基區(qū)大注入效應(yīng)對(duì)電流放大系數(shù)的影響(基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制)有

2025-05-09 12:06

電功率ppt課件(參考版)

【摘要】自動(dòng)感應(yīng)干手機(jī)在許多高級(jí)娛樂(lè)場(chǎng)所的洗手間里,都安裝有自動(dòng)感應(yīng)干手機(jī)。只要手處于紅外線感應(yīng)范圍內(nèi)，就立即吹出熱風(fēng)，將手烘干。它的快捷、方便和舒適，深受大家的喜愛(ài)。自動(dòng)感應(yīng)干手機(jī)你認(rèn)為自動(dòng)感應(yīng)干手機(jī)內(nèi)部有哪些主要的裝置？M電熱絲電動(dòng)機(jī)自動(dòng)感應(yīng)開(kāi)關(guān)干手機(jī)工作時(shí)，是將電能轉(zhuǎn)化為什么形式的能？電能內(nèi)能機(jī)械能

2025-08-08 09:36

大功率的mosfet和igbt驅(qū)動(dòng)芯片(參考版)

【摘要】關(guān)鍵詞：IGBT；驅(qū)動(dòng)與保護(hù)；IXDN404引言絕緣柵晶體管IGBT是近年來(lái)發(fā)展最快而且很有前途的一種復(fù)合型器件，并以其綜合性能優(yōu)勢(shì)在開(kāi)關(guān)電源、UPS、逆變器、變頻器、交流伺服系統(tǒng)、DC/DC變換、焊接電源、感應(yīng)加熱裝置、家用電器等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，在其使用過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)了不少影響其應(yīng)用的問(wèn)題，其中之一就是IGBT的門極驅(qū)動(dòng)與保護(hù)。目前國(guó)內(nèi)使用較多的有富士公司生產(chǎn)的EXB系列，三菱

2024-09-11 12:07

mosfet器件回顧與展望mosfethistoryperspective(參考版)

【摘要】MOSFET器件:回顧與展望肖德元中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所中芯國(guó)際集成電路(上海)有限公司系統(tǒng)芯片研發(fā)中心2022年11月2日內(nèi)容?微電子技術(shù)成就?MOSFET器件發(fā)展歷程?典型CMOS工藝流程模塊?典型CMOS制作工藝流程?MOSFET器件面

2025-01-24 18:40

功率mosfet應(yīng)用ppt課件(存儲(chǔ)版)

功率mosfet應(yīng)用ppt課件-文庫(kù)吧在線文庫(kù)

功率mosfet應(yīng)用ppt課件(完整版)

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功率mosfet應(yīng)用ppt課件(專業(yè)版)