【正文】 抗干擾措施 。 如果負載所需的電流比較大，則需要在數(shù)字電路的輸出端與負載之間接入一個功率驅(qū)動器件。要使這些機電系統(tǒng)正常工作，必須擴大驅(qū)動電路的輸出電流以提高帶負載能力，而且必要時要實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)移。 在數(shù)字電路或系統(tǒng)的設(shè)計中，往往將 TTL和 CMOS兩種器件混合使用，在這兩種器件連接時，要滿足驅(qū)動器件和負載器件以下兩個條件： 2)驅(qū)動器件必須對負載器件提供足夠大的拉電流和灌電流（屬于門電路的扇出數(shù)問題）。 AL G 2 L RE amp。 1 Y 0 Y 1 Y 2 Y 3 Y 4 Y 5 Y 6 Y 7 D 0 D 1 D 2 D 3 D 4 D 5 D 6 D 7 IC L EN AL G 1 G 2 控制電路 0?AL 1?RE邏輯門等效符號強調(diào)低電平有效 L=0 基本邏輯門電路的等效符號及其應(yīng)用 RE amp。 L A B? ? amp。 amp。 B A amp。 B A amp。 B A L = A + B BAABL ???BABAL ???? amp。 B A 基本邏輯門電路的等效符號及其應(yīng)用 amp。 低電平有效，輸入端加小圓圈；高電平有效，輸入端不加 小圓圈。 集電極開路門和三態(tài)門電路 三態(tài)與非門 (TSL ) 當(dāng) EN= 1時 EN 數(shù)據(jù)輸入端 輸出端 L A B 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 三態(tài)與非門真值表 集電極開路門和三態(tài)門電路 當(dāng) EN= 0時 EN 數(shù)據(jù)輸入端 輸出端 L A B 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 高阻 高電平 使能 ? ? 高阻狀態(tài) 與非邏輯 Z L ABL EN = 0 ____ EN =1 真值表 集電極開路門和三態(tài)門電路 正負邏輯問題 邏輯描述中的幾個問題 基本邏輯門的等效符號及其應(yīng)用 ◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎ 正負邏輯問題 正負邏輯的規(guī)定 0 1 1 0 正邏輯 負邏輯 邏輯描述中的幾個問題 正邏輯體制 :將高電平用邏輯 1表示，低電平用邏輯 0表示 負邏輯體制 :將高電平用邏輯 0表示，低電平用邏輯 1表示 A B L 1 1 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 與非門 A B L 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 某電路輸入與輸出電平表 A B L L L H L H H H L H H H L 采用正邏輯 或非門 采用負邏輯 與非 ? 或非 負邏輯 正邏輯 正負邏輯等效變換 與 ? 或 非 ? 非 基本邏輯門電路的等效符號及其應(yīng)用 基本邏輯門電路的等效符號 ABL ?L A B? ? amp。 BAL ??邏輯表達式 TTL邏輯門電路 vOH vOL 存在問題： 輸出為低電平的邏輯門輸出級的損壞 集電極開路門和三態(tài)門電路 集電極開路門電路 V CC ( 5V ) R b1 4k Ω R c2 Ω R c 4 130 Ω T 4 A B C T 1 T 2 D R e2 1k Ω T 3 V CC ( 5V ) R b1 4k Ω R c2 Ω R c 4 130 Ω T 4 A B C T 1 T 2 D R e2 1k Ω T 3 集電極開路門和三態(tài)門電路集電極開路與非門電路 邏輯功能 L = A B OC門輸出端連接實現(xiàn)線與 VCC T1 Re2 Rc2 Rc4 Rb1 T2 T3 T4 D A B L VCC T1 Re2 Rc2 R b1 T2 T3 A B L VCC C D R P V DD L A B amp。 T4和 D飽和， 輸出為高電平。 輸出端接負載電容 CL時， b)輸出級對提高開關(guān)速度的作用 TTL反相器的基本電路 TTL與非門電路 多發(fā)射極 BJT T 1 e e b c e e b c TTL邏輯門電路 A amp。 ?O由低到高電平跳變的瞬間，CL充電，其時間常數(shù)很小使輸出波形上升沿陡直。 T1管射極電流（ 1+?1 ） iB1很快地從 T2的基區(qū)抽走多余的存儲電荷而截止。 vO=vC3=VCES3= TTL反相器的基本電路 結(jié)論： 輸入為 高 電平， 輸出為低電平 。 （ 2）當(dāng)輸入為高電平（ ?I = V） T T3飽和導(dǎo)通 T1:倒置的放大狀態(tài)。用于提高電路的開關(guān)速度 反相器的基本電路2. TTL反相器的工作原理（邏輯關(guān)系、性能改善） （ 1）當(dāng)輸入為低電平（ ?I = V） TTL反相器的基本電路 VB1=VI+VBE1=+= T1的發(fā)射結(jié)導(dǎo)通 Vcc?Rb1?T1?輸入端 電流流向： T3截止； T2截止 ?T D導(dǎo)通 ? ?輸出為高電平。用于提高開關(guān)速度和帶負載能力。 BJT反相器的動態(tài)性能 若帶電容負載 故需設(shè)計有較快開關(guān)速度的實用型 TTL門電路 。 TTL邏輯門 BJT的開關(guān)特性 基本 BJT反相器的動態(tài)特性 TTL反相器的基本電路 TTL邏輯門電路 集電極開路門和三態(tài)門 * BiMOS門電路 ◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎◎ TTL邏輯門 BJT的開關(guān)特性 iB?0， iC?0， vO＝ VCE≈VCC， c、 e極之間近似于開路 vI=0V時 : iB? VCC / ? Rc ， iC? VCC / Rc， vO＝ VCE≈， c、 e極之間近似于短路 vI=5V時 : BJT的開關(guān)條件 iC＝ ICS≈ VRCCc很小，約為數(shù)百歐，相當(dāng)于開關(guān)閉合 可變 很大，約為數(shù)百千歐，相當(dāng)于開關(guān)斷開 c、 e間等效內(nèi)阻 VCES ≈