薄膜的圖形化技術(shù)ppt課件(參考版)
2025-05-07 12:08本頁面
【正文】 7. 討論：在使用 193nm或 13nm波長的紫外光源暴光的情況下，由光刻技術(shù)可以獲得的線寬。 5. 嘗試解釋離子輔助刻蝕方法能夠獲得高的刻蝕速率的原因。 3. 說明：高密度等離子體光刻技術(shù)逐漸取代早期的反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)的原因。 思 考 題 1. 對比等離子體光刻技術(shù)與 PECVD技術(shù)的異同點(diǎn)。 ? 等離子體刻蝕的微觀機(jī)制可以被分為四類（或五類），它們的主要區(qū)別在于發(fā)揮作用的活性基團(tuán)和它們的作用機(jī)制。 ? 與薄膜材料的 PECVD方法相對應(yīng)，等離子體刻蝕技術(shù)可被用于對薄膜材料進(jìn)行表面刻蝕。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 刻蝕得到的微型 Si 模具 微型模腔 ? ?微型模腔 微型塑料部件很好地重現(xiàn)了微型模具的外形尺寸 由 Si 模具制造的微型塑料部件及其外形圖 . Jo et al. / Surface amp。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 未涂層 PPCF 涂層 PPFC 涂層處理可顯著提高 Si 表面的接觸角 —— 賦予其憎水性，使脫模過程更為容易 ? 鋪展開的液珠 ? 未鋪展開的液珠 利用 UV光固化技術(shù)，可制備塑料微型部件 Si 模具用于微型塑料部件的制造 . Jo et al. / Surface amp。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 Si 的刻蝕與側(cè)壁鈍化的機(jī)制 刻蝕： 在等離子體中電子的作用下， SF6 被分解為 F 原子和 SF5+ 離子： F 原子與 Si 發(fā)生如下的刻蝕反應(yīng)： 鈍化： 另一方面，在等離子體中， C4F8 則被分解為 CF2 等化學(xué)基團(tuán)： CF2 活性基團(tuán)在被固相表面吸附以后，則進(jìn)一步形成聚四氟乙烯類的聚合物薄膜： 為了優(yōu)化刻蝕與鈍化兩者的效率，可將刻蝕與鈍化兩者從時(shí)間上分割開：一段時(shí)間內(nèi)進(jìn)行刻蝕，另外一段時(shí)間內(nèi)進(jìn)行側(cè)壁鈍化 改進(jìn)的 側(cè)壁鈍化 刻蝕工藝 . Jo et al. / Surface amp。 Coatings Technology 188–454 –189 (2022) 452–458 ? RF 襯底偏壓 ? ICP 等離子體 壓力 20 mTorr ? 同一技術(shù)還被用于薄膜的沉積 SF6/C4F8氣體 ? 用 Bosch 工藝進(jìn)行了 Si 的刻蝕： SF6 刻蝕 (60s， ?80V)； C4F8 側(cè)壁鈍化 (30s， 0V)。下一代光刻技術(shù)據(jù)說將使用波長為 157nm 的 F2激光、 13nm的極紫外光 ? 有興趣的同學(xué)可以查閱： “ The ending of optical lithography and the prospects of its successors”, Burn J. Lin, Microelectronic Engineering, 83(2022)604613 納米光刻技術(shù) 為了半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，需要克服的難題包括： ? 發(fā)展更短波長的光源（極深紫外、 X射線、電子束、 離子束） ? 芯片的平整化技術(shù) ? 移相式 （ phaseshifting） 暴光方法的改進(jìn) ? 短波長光學(xué)器件 (投影、反射器件 )的發(fā)明 ? 適用的光刻膠體系 ? 掩膜的制造技術(shù) ? 適宜的表面刻蝕方法 …… 例一： Si 的刻蝕與微型 Si 模具的制造 ? 不僅僅是集成電路，各種機(jī)械部件的尺寸也在不斷減小 ? 微型部件的制造需要有制造良好的微型模具 ? Si 的干刻蝕技術(shù)具有各向異性的特點(diǎn)；其中， Bosch 刻蝕工藝以其對側(cè)壁的鈍化能力，可被用于大深寬比的微型模腔的刻蝕 光刻技術(shù)、刻蝕技術(shù)相結(jié)合，可制
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