電鏡的成像過程ppt課件(參考版)
2025-05-04 18:20本頁面
【正文】 。對(duì)環(huán)境及低真空掃描電鏡做了介紹。 探測(cè)系統(tǒng)常用的為背散射電子探測(cè)器，現(xiàn)在也出現(xiàn)了可變壓力二次電子探測(cè)器和低真空二次電子探測(cè)器 低真空掃描電鏡和環(huán)境掃描電鏡的成像技術(shù)，突破了電子束成像必須高真空的限制，擴(kuò)展了掃描電鏡的應(yīng)用范圍。 電鏡的介紹 高真空模式 ： 103—105Pa 掃描電鏡技術(shù)發(fā)展的另一個(gè)方向是擴(kuò)展樣品的測(cè)試范圍，如不導(dǎo)電樣品、不耐真空 樣品的直接觀察 低真空模式 : 1—500Pa 環(huán)境模式 : 500—3000Pa （ 低真空掃描電鏡和環(huán)境掃描電鏡也稱可變壓力 /可變氣氛掃描電鏡） 有些不導(dǎo)電樣品在低真空環(huán)境中可以不蒸鍍金屬膜亦能觀察，甚至有些低含水量的樣品也可以直接觀察，得到更真實(shí)的形貌。 如右圖平均原子序數(shù)相差大的兩種材料之間有一相邊界的情況，雖然在原子尺度上界限是分明的，但邊界兩側(cè)背散射電子系數(shù)是逐漸變化的，這是由于相互作用去區(qū)有一定的體積造成的。m 10mm) 實(shí)際束斑直徑 ： dP=(dk2+dS2+dC2+dd2) 189。 MbR m in? 高斯直徑 ： dk=(ⅰ/B ?2） 189。 亮度公式 : 建立了這個(gè)束流與可以得到的最小探測(cè)尺寸和孔徑角的關(guān)系。如果視場(chǎng)中物體形成不了這 個(gè)反差值，就不可能將物體與隨機(jī)起伏的背景區(qū)分開。tf是幀掃時(shí)間 從閾值公式我們可以看出，在規(guī)定的幀掃描和收集效率下，檢測(cè)圖 像中兩點(diǎn)的反差值 C，可算出必須利用的最低束流。有人研 究了噪音對(duì)圖像的影響，導(dǎo)出了一個(gè)公式： 閾值公式： ⅰ b4 1012/ε c2tf ib是束流 ε 是接收效率 。 167。在垂直入射 θ=00時(shí)，分布遵循余弦定律，而在 θ00時(shí)，這個(gè)分布在向 前散射的方向上趨于一個(gè)明顯的峰。在普通的掃描電子顯微技術(shù)中形貌反差 是最重要的反差。 二次電子信號(hào)成分反差不明顯，因二次電子系數(shù)不隨原 子序數(shù)而顯著變化。如 AL和 Si的反差為 ，Al和 Au的反差為 ，當(dāng)原子序數(shù)增加時(shí)，原子序數(shù)反差減少，這是由于 η和 Z的關(guān)系曲線的斜率隨 Z的增加而下降所致。 （背散射電子信號(hào)） 利用背散射電子信號(hào)能夠得到樣品中不同區(qū)域內(nèi)平均原子序數(shù)的相 對(duì)差別，這種反差稱為“成分反差”。 C為正數(shù) 0≤C≤1 反差代表與樣品性質(zhì)有關(guān)信號(hào)中的信息，這些性質(zhì)是我們要測(cè)定的。 樣品電流探測(cè)器 陰極熒光探測(cè)器 樣品電流探測(cè)器、陰極熒光探測(cè)器、 CCD相機(jī)、 EBSD采集等等 167。 2）可以靠近樣品放置，提供高效幾何效率。 利用高能電子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生的電子空穴對(duì)研制出的固 體探測(cè)器。二次電子的收集 效率為 50%；背散射電子收集效率為 1%——10%。 。閃爍體上覆蓋著一層鋁，偏置 +10v電壓，用于加速收集的二次電子。 工作模式：一個(gè)高能電子轟擊閃爍體材料，這一電子產(chǎn)生許多光子，通過一個(gè)光管將它們導(dǎo)入光電倍增管中。 42 探測(cè)器 從樣品出射的電子可以分為兩大類： ——平均能量為 35ev ——從樣品出射時(shí)有一個(gè)能量分布， 0≤E≤E0 E0為入射電子束能量，對(duì)中高原子序數(shù)的材料，背散射電子能 量分布的峰值在 E0處。為了計(jì)算景深，必須知道在最佳焦點(diǎn)的上、下方多少距離內(nèi)電子束變寬到致使重疊上足夠的象素，從而產(chǎn)生離焦。
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