金屬化與多層互連(1)(參考版)
2025-05-03 12:25本頁面
【正文】 CMP工藝 VLSI與多層互連 CMOS IC的多層互連 1） PECVD Nitride CMOS IC的多層互連 2） PECVD USG 3） PECVD Etch Stop Nitride 4） PECVD USG 5） Photoresist Coating CMOS IC的多層互連 Via 1 Mask 6） Via 1 Mask Exposure and Development 7） Etch USG, Stop on Nitride CMOS IC的多層互連 8） Strip Photoresist 9） Photoresist Coating Metal 1 Mask 10） Metal 1 Mask Exposure and Development CMOS IC的多層互連 11） Etch USG and Nitride 12） Strip Photoresist 13） Deposit Tantalum Barrier Layer 14） Deposit Copper CMOS IC的多層互連 15） CMP Copper and Tantalum 16） PECVD Seal Nitride 。 銅金屬化（ Copper Metallization） 多層 Cu互連 多晶硅及硅化物 ? 多晶硅： CMOS多晶硅柵、局域互連線； 多晶硅柵技術(shù) ? 特點：源、漏自對準(zhǔn) ? CMOS工藝流程（圖 ） ? 多晶硅柵取代 Al柵： p溝道MOS器件的 VT降低 （通過降低 Ф MS）； ? VT降低提高了器件性能： ①工作頻率提高；②功耗降低；③集成度提高； ? 多晶硅柵的優(yōu)點：①實現(xiàn)自對準(zhǔn)的源漏；②降低 VT ? 互連延遲時間常數(shù) : RC=RL2 ε ox/tox R、 l 互連線方塊電阻和長度， ε ox、 tox介質(zhì)層的介電常數(shù)和厚度； ? 局限性：電阻率過高， 只能作局部互連 ； 多晶硅互連及其局限性 多晶硅及硅化物 VLSI與多層互連 ? 多層互連的提出： 互連線面積占主要； 時延常數(shù) RC占主要。 ④ Cu的 CMP平整化 ⑤ 大馬士革（鑲嵌式）結(jié)構(gòu)的互連工藝 ⑥ 低 K介質(zhì)和 Cu互連的可靠性 Cu互連工藝流程
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