結(jié)構(gòu)缺陷及固溶ppt課件(參考版)
2025-05-02 03:40本頁面
【正文】 內(nèi)部空位 表面（晶界）位置 材料科學(xué)基礎(chǔ)晶格位置 材料科學(xué)基礎(chǔ) 對于任何晶體中生成弗倫克爾缺陷，都可以用上式表示生成的缺陷濃度 材料科學(xué)基礎(chǔ)平衡常數(shù)表示為 ??弗倫克爾缺陷 點缺陷的化學(xué)平衡 Ca2+進入間隙位置， Cl占據(jù)晶格位置 材料科學(xué)基礎(chǔ)③ 材料科學(xué)基礎(chǔ)② 材料科學(xué)基礎(chǔ)① ③ Ca2+取代 K+， Cl進入 Cl晶格位置：② 陷 帶電性正離子取代高價取代低價 正離子空位或負離子填隙 負電低價取代高價 正離子填隙或負離子空位 正電負離子取代高價取代低價 負離子空位或正離子填隙 正電低價取代高價 負離子填隙或正離子空位 負電材料科學(xué)基礎(chǔ)寫出 CaCl2溶解在 KCl中的缺陷反應(yīng)式 材料科學(xué)基礎(chǔ)3電荷守恒：在缺陷反應(yīng)前后晶體必須保持電中性缺陷反應(yīng)式兩邊必須具有相同數(shù)目總有效電荷 材料科學(xué)基礎(chǔ)材料科學(xué)基礎(chǔ) 在無機材料中，發(fā)生缺陷反應(yīng)時以質(zhì)點取代（置換）的情況為常見 材料科學(xué)基礎(chǔ)③ 位置上的空位，不存在質(zhì)量。VM質(zhì)量平衡：? 缺陷方程的兩邊必須保持質(zhì)量平衡? 缺陷符號的下標只是表示缺陷位置，對質(zhì)量平衡沒有作用?= 1:(2x)實際上， 生成了 x 個 位置比仍為 1:2 材料科學(xué)基礎(chǔ)② 位置的數(shù)目成一個正確的比例， a/b = 定值 位置關(guān)系： 在化合物 MaXb 中， M材料科學(xué)基礎(chǔ) 與化學(xué)反應(yīng)式類似，必須遵守一些基本原則，其中有些規(guī)則與化學(xué)反應(yīng)所需遵循的規(guī)則完全等價 材料科學(xué)基礎(chǔ)① 締合中心： 一個帶電的點缺陷與另一個帶相反電荷的點缺陷相互締合形成一組或一群新的缺陷，它不是原來兩種缺陷的中和消失，這種新缺陷用締合的缺陷放在括號內(nèi)表示。材料科學(xué)基礎(chǔ)⑦ Zr4+形成Ca2+取代 不同價離子之間的替代就出現(xiàn)帶電缺陷，如 帶電缺陷：材料科學(xué)基礎(chǔ)⑥ 在某些缺陷上缺少電子，這就是電子空穴，也不屬于某一個特定的原子所有，也不固定在某個特定的原子位置。自由電子 e?溶質(zhì)處在 X位置SX表示
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