【摘要】數(shù)字電子技術基礎(脈沖)復習題1一、填空題1、數(shù)字量取值是離散的,我們常用________和_______兩個數(shù)字來表示輸入和輸出信號的狀態(tài)。2、完成下列數(shù)制轉(zhuǎn)換(1)()10=()2 (2)(4F)16=()10(3)()2=()103、邏輯代數(shù)的三種基本運算是________、_____
2025-04-20 01:11
【摘要】1《數(shù)字電子技術基礎》復習題知識點:基礎知識數(shù)制轉(zhuǎn)換1.()10=()2=()162.(3AB6)16=(0011101010110110)2=(35266)83.()10=()2=()164.()16=(010000110010.10110111)2=(2062.556)85.(100001000)BCD=(
2024-11-11 07:12
【摘要】《企業(yè)財務管理》綜合復習題一.單選1、財務決策是指在財務預測的前提下,對若干個財務方案所進行的()A、批評和排斥 B、計劃和控制C、評價和選擇 D、分析和估算2、進行財務分析的目的是()A、揭示財務活動中存在的矛盾和問題B、檢查企業(yè)預算完成情況C、評價企業(yè)財務狀況和經(jīng)營成果D、聯(lián)系企業(yè)的某些決策進行預測3、一般認為速動比率在(
2025-05-14 23:13
【摘要】第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴,少數(shù)載流子為自由電子,不能移動的雜質(zhì)離子帶負電。2、三極管的內(nèi)
2025-04-20 01:43
【摘要】中國石油大學(華東)現(xiàn)代遠程教育《數(shù)字電子技術》綜合復習資料第一章一、填空題(每空2分)。1.22=()2。2.=()2。3.16)9(A=()2。4
2024-11-11 10:37
【摘要】《數(shù)字電子技術》復習一、主要知識點總結和要求1.數(shù)制、編碼其及轉(zhuǎn)換:要求:能熟練在10進制、2進制、8進制、16進制、8421BCD、格雷碼之間進行相互轉(zhuǎn)換。舉例1:()10=()2=()16=()8421BCD解:()10=()2=()16=()8421BCD2.邏輯門電路:(1)基本概念
2025-04-20 01:44
2025-06-08 21:22
【摘要】復習1:一、判斷題1、8421碼0001比大1001。()2、若兩個函數(shù)具有相同的真值表,則兩個邏輯函數(shù)必然相等。()3、三態(tài)門的三種狀態(tài)分別為:高電平、低電平、不高不低的電壓。()4、液晶顯示器可以在完全黑暗的工作環(huán)境中使用。()5、由兩個TTL或非門構成的基本RS
2024-10-24 09:56
【摘要】第一篇:數(shù)字電子技術復習資料4 第四章自我檢查題 一、填空題 。2編碼器按功能不同分為三種:,:,,共輸出個最小項。 ,其輸出標準與或表達式共有 ,它們分別為,;輸出端有兩個,分別為、7.數(shù)...
2024-11-09 22:13
【摘要】模擬電子技術期末復習期 末 復 習模擬電子技術期末復習通 知期末考試時間:12月26日(星期一)上午8:30~10:30 地點:力行樓2304教室 主要內(nèi)容:第2章、第6~10章模擬電子技術期末復習第十章 直流電源重點: 直流穩(wěn)壓電源的組成及各部分的作用①電源變壓器(或分壓電路):將
2025-02-02 19:30
【摘要】1.離散的,不連續(xù)的信號,稱為(B)A、模擬信號B、數(shù)字信號2.組合邏輯電路通常由(A)組合而成。A、門電路B、觸發(fā)器C、計數(shù)器3.十六路數(shù)據(jù)選擇器的地址輸入(選擇控制)端有(C)個A、16B、2C、4D、84.一位8421BCD碼譯碼器的數(shù)據(jù)輸入線與
2024-10-26 00:50
【摘要】1課程編號:21202024北京理工大學2020-2020學年第一學期數(shù)字電子技術基礎B期末試題(B卷)注:試題答案必須寫在答題紙上,在試卷和草稿紙上答題無效班級學號姓名成績一、(10分)判斷以下各題正確性,正確畫“√”,
2024-10-26 00:58
【摘要】第一章半導體二極管一.半導體的基礎知識---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結構的半導體。----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。*P
2024-10-29 11:37
【摘要】電工電子技術復習資料一、填空練習題1、正弦電壓和電流統(tǒng)稱為正弦量,正弦量的特征分別用幅值、角頻率和初相位來表示。2、晶體三極管是由_三__個電極、__兩___個PN結組成的,按結構不同可分為__NPN_______型和___PNP___型兩大類。3、理想電壓源具有兩個基本特征,其
2025-04-20 07:39
【摘要】電力電子技術復習資料一、簡答題1、晶閘管導通的條件是什么?(1)晶閘管陽極和陰極之間施加正向陽極電壓(2)晶閘管門極和陰極之間必須施加適當?shù)恼蛎}沖電壓和電流2、有源逆變實現(xiàn)的條件是什么?(1)晶閘管的控制角大于90度,使整流器輸出電壓Ud為負(2)整流器直流側有直流電動勢,其極性必須和晶閘管導通方向一致,其幅值應大于變流器直流側的平均電壓
2024-08-22 03:32