綜合課程設(shè)計(jì)報(bào)告--微波元件設(shè)計(jì)、仿真與測(cè)試(參考版)
2025-03-26 12:05本頁(yè)面
【正文】 。 在這門課程的學(xué)習(xí)中，自己的動(dòng)手能力、EDA軟件操作能力都得到了一定的鍛煉。此外，學(xué)習(xí)了利用Protel產(chǎn)生版圖的方法，并實(shí)際操練了如何利用頻譜儀測(cè)量微波器件的頻率特性。這其中也存在測(cè)量器件的誤差可能，比如端口阻抗不是準(zhǔn)確的50Ω等。S21和S31即直通端和耦合端的傳輸損耗都比仿真結(jié)果略大，這可能是由于仿真中沒有考慮實(shí)物存在的一些損耗，如輻射損耗等。實(shí)物的中心頻率與理想的3GHz存在一定偏差，這除了工藝精度的問題，還有可能是由于仿真中選取的仿真頻率值之間存在一定跨度，對(duì)中心頻率的仿真本身存在誤差。圖 S41測(cè)試結(jié)果七、分析與討論將實(shí)物測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，可以得到如下幾點(diǎn)結(jié)論。圖 S31測(cè)試結(jié)果，傳輸損耗比到直通端的略大。圖 S21測(cè)試結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)實(shí)物的中心頻率與理論值3GHz略有偏差。相應(yīng)的仿真結(jié)果為：左上為傳輸特性曲線左下為反射特性最右為相位傳輸特性依照此設(shè)計(jì)電路，在P
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