dsp原理與應用---第3章emif(參考版)
2025-01-24 12:43本頁面
【正文】 /* Begin transfer */ EDMA_close (myEdma)。 /* Defines a DMA_Handle object, myEdma */ /* Once defined, the CSL handle object is initialized by a call to PER_open.*/ myEdma = EDMA_open (EDMA_CHA0, EDMA_OPEN_RESET)。 使用函數(shù) PER_close()來關閉設備。符號值的詳細信息請參見附錄 B： CSL Registers PER_REG_FIELD_DEFAULT 域的缺省值，復位操作后對應的寄存器值或者復位失效后歸零。 通用 CSL宏 PER_ADDRH (h, REG ) Returns the address of a memorymapped register for a given handle. PER_RGETH (h, REG ) Returns the value of a register for a given handle. PER_RSETH (h, REG, x ) Sets the register value to x for a given handle. PER_FGETH (h, REG, FIELD ) Returns the value of the field for a given handle. PER_FSETH (h, REG, FIELD, x ) Sets the field value to x for a given handle. PER_FSETSH (h, REG, FIELD, SYM ) Sets the field value to the symbol value for a given handle. CSL符號常量值 PER_REG_DEFAULT 寄存器的缺省值，復位操作后對應的寄存器值或者復位失效后歸零。 PER_REG_ADDR(REG ) 功能：如果可用，取得外設寄存器（ REG）的內(nèi)存地址（或子地址） PER_FSETS(REG, FIELD, sym ) 功能：將符號值寫入外設指定域中。 PER_FGET(REG, FIELD ) 功能：返回外設寄存中指定域（ FIELD） 的值 。 PER_FMK(REG, FIELD , fieldval ) 功能：可與其他 _FMK宏的結果進行 或 (OR)操作后，生成移位的 fieldval 值，對 REG寄存器進行初始化。 PER_RGET(REG ) 功能：返回外設寄存器值。首先指定域參數(shù)的最高有效位（ MSB），不管用到與否，必須包含所有可寫域的值。 通用 CSL宏 PER 表示外設，如 EDMA REG 表示寄存器名，如 PRICTL0， AUXCTL FIELD 表示寄存器域，如 ESIZE regval 表示外設域生成宏 PERFMK()產(chǎn)生的整型常量，整型變量，符號常量 (PER_REG_DEFAULT)，或者融合域值 fieldval 表示的是整常量，整型變量，或者符號常數(shù)(PER_REG_FIELD_SYMVAL) x 表示整型常量，整型變量 sym 表示符號常量 通用 CSL宏 PER_REG_RMK( fieldval_n, . . . fieldval_0 ) 功能：產(chǎn)生外設寄存器值； _RMK宏基于位域，使構建寄存器值變得很簡單。 PERconfigArgs() 允許將個別寄存器的值傳給函數(shù)的變量，然后將獨立的值傳給寄存器。 … PER_config(amp。每一個外設模塊都定義了他的配置結構數(shù)據(jù)類型，包括 PERconfig()函數(shù)。這個函數(shù)需要一個地址來作為他的參數(shù)。通道寄存器恢復上電初始值，清除所有未執(zhí)行的中斷。 PER_reset( [handle] ) 功能：復位外設，將其所有值恢復到上電缺省值。 PER_configArgs( [handle,] regval_1, . . . regval_n ) 功能：寫值 (regval_n) 到外設寄存器。 PER_config( [handle,] *configStructure ) 功能：將配置結構的值寫入外設寄存器。使用通道前必須調(diào)用此函數(shù)，返回一個唯一的設備句柄用于后續(xù) API調(diào)用。 7 ns tELQV Flash 片選 CE到輸出延時 90 ns tEHQZ Flash 片選 CE變高電平到輸出變高阻態(tài) 55 ns Flash 接口配置 EMIF到 FLASH的寫時序 交流特性 器件 定義 Min Max 單位 tAVAV Flash 寫周期時間 90 ns tELEH Flash CE的低脈沖寬度 50 ns tEHEL Flash CE的高脈沖寬度（沒有在下面圖形中顯示） 30 ns Flash 接口配置 EMIF到 FLASH的讀時序 異步 1配置寄存器 (A1CR)各字段的數(shù)值計算如下： ① R_STROBE = (tD + tELQV + tSU) * fEM_CLK 1 = (7ns + 90ns + ) * 100MHz 1= ② R_HOLD = tH * fEM_CLK 1= 1ns * 100MHz 1= R_HOLD字段必須與 TA字段結合起來，滿足 Flash的 CE高電平到高阻態(tài)之間的時間 tEHQZ： R_HOLD + TA = (tD + tEHQZ) * fEM_CLK – 2 = (7ns + 55ns) * 100MHz – 2 = 對 TA字段編程的最大值是 3h，因此得到下面的值： R_HOLD = 2 TA = 3 ③ 對于寫操作，為滿足 Flash的 CE脈沖寬度 (tELEH)的限制，要對 W_STROBE字段進行設置： W_STROBE = tELEH * fEM_CLK – 1 = 50ns * 100MHz – 1 = 4 ④ 當連續(xù)操作時， W_SETUP 與 W_HOLD字段結合起來滿足 Flash CE脈沖寬度的限制 tEHEL： W_SETUP + W_HOLD = tEHEL * fEM_CLK – 2 = 30ns * 100MHz – 2 = 1 另外，整個寫訪問長度必須滿足 Flash的最小寫周期時間 (tAVAV)的要求： W_SETUP + W_STROBE + W_HOLD = tAVAV * fEM_CLK – 3 = 90ns * 100MHz – 3 = 6 在寫操作時，通過解上面的方程，求得各字段的值為： W_SETUP = 1 W_STROBE = 5 W_HOLD = 0 Flash 接口配置 在這個例子中，在每個周期 (除了 TA早就達到最大值 )之間
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1