核磁共振分析法ppt課件(參考版)
2025-01-20 06:39本頁(yè)面
【正文】 核磁： 圖為丁苯橡膠的 1HNMR譜圖，請(qǐng)根據(jù)圖中所給參數(shù)，寫(xiě)出該共聚物中苯乙烯單元和丁二烯單元的摩爾比表達(dá)式。 核磁矩： ?1H=。 積分臺(tái)階 ? 通過(guò)核磁共振譜不僅能 區(qū)分不同類(lèi)型的質(zhì)子 ， 還能確定不同類(lèi)型質(zhì)子的數(shù)目 。 可以根據(jù) J大小及其變化規(guī)律 ， 推斷分子的結(jié)構(gòu)和構(gòu)象 。 例： CH3不發(fā)生裂分 ClCH2CH2Cl 分子中 ， 單峰 ， 信號(hào)強(qiáng)度相當(dāng)于 4個(gè) H 核 （ 2） 一組相同氫核自旋裂分峰數(shù)目由相鄰氫核數(shù)目 n決定 裂分峰數(shù)目遵守 n+1規(guī)律 —— 相鄰 n個(gè) H， 裂分成 n+1峰 氫核相鄰一個(gè) H原子 ， H核自旋方向有兩種 ， 兩種自旋取向方式 ↑↓ （ ↑ 順著磁場(chǎng)方向 ， ↓ 反著磁場(chǎng)方向 ） （ 3）氫核鄰近有兩組偶合程度不等的 H核時(shí)，其中一組有 n個(gè)，另一組有 n′+1 個(gè)，則這組 H核受兩組 H核自旋偶合作用，譜線(xiàn)裂分成 (n+1)(n′+1) 重峰。 ? 自旋偶合 不影響化學(xué)位移 ，但會(huì)使吸收峰發(fā)生裂分，使譜線(xiàn)增多，簡(jiǎn)稱(chēng)自旋裂分。 氘代水 D2O 氘代二甲亞砜 (CD3)SO 氘代甲醇 CD3OH 核磁共振實(shí)驗(yàn)技術(shù) ? 溶劑選擇 常用氘代溶劑的共振位置 ? 化學(xué)位移在確定化合物結(jié)構(gòu)方面起很大作用 ? 將分子結(jié)構(gòu)與化學(xué)位移的對(duì)應(yīng)關(guān)系制成圖表，列出各種取代基上的甲基、亞甲基和次甲基氫核的化學(xué)位移 ? 列出化學(xué)位移值范圍是大致的，它與許多因素有關(guān) 二、 自旋 自旋偶合 ? 化學(xué)位移是磁性核所處化學(xué)環(huán)境的表征 ， 但是在核磁共振波譜中化學(xué)位移等同的核 ， 其共振峰并不總表現(xiàn)為一個(gè)單一峰 。 氘代丙酮（ D3)2CO , , 氘代苯 C6D6 177。 ? 一般在惰性溶劑的稀溶液中 ， 化學(xué)位移變化不大 CCl CDCl3 溶液濃度 ~〃L 1 溶劑 1H譜 (dH) 13C譜 (dC) H化合物 D化合物 氘代氯仿 CDCl3 177。 ? 同一試樣在 不同溶劑 中由于受到不同溶劑分子的作用 ， 化學(xué)位移發(fā)生變化 ， 稱(chēng)為溶劑效應(yīng) 。 化學(xué)位移值變大 ? 形成氫鍵傾向越強(qiáng)烈 ， 質(zhì)子受到的屏蔽效應(yīng)就越小 ， 因此在較低場(chǎng)發(fā)生共振 ， 即化學(xué)位移值較大 。 ?雙鍵 ? 電子的情況與苯環(huán)相似 ， 如乙烯的氫核處于去屏蔽區(qū) ， 其化學(xué)位移較大 三鍵的各向異性使乙炔的 H核處于屏蔽區(qū)， ?=， 化學(xué)位移較小 B 0電 子 環(huán) 流抗 磁 屏 蔽? 由于屏蔽或反屏蔽作用使吸收峰向高場(chǎng)或低場(chǎng)方向移動(dòng)，移動(dòng)的多少與氫核所處的化學(xué)環(huán)境有關(guān)，即分子結(jié)構(gòu)情況，有幾個(gè)化學(xué)環(huán)境，有幾組吸收峰 3. 氫鍵和溶劑的影響 ? 鍵合在雜原子上的質(zhì)子易形成氫鍵 。 + + － － 苯環(huán)上的 6個(gè) ?電子產(chǎn)生較強(qiáng)的誘導(dǎo)磁場(chǎng)，質(zhì)子位于其磁力線(xiàn)上，與外磁場(chǎng)方向一致，去屏蔽。 ? 原因 : 電子構(gòu)成的化學(xué)鍵，在外磁場(chǎng)作用下產(chǎn)生一個(gè) 各向異性 的次級(jí)磁場(chǎng)，使得某些位置上氫核受到屏蔽
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