場效應(yīng)管ppt課件(參考版)
2025-01-17 13:19本頁面
【正文】 因而 u0＝ 15 *5 ＝ 4V 但是， uGS ＝ 10V時的預(yù)夾斷電壓為 uDS= uGS – UT=(104)V=6V 可見，此時管子工作在可變電阻區(qū) 從輸出特性曲線可得 uGS ＝ 10V時 ds之間的等效電阻 (D在可變電阻區(qū)，任選一點(diǎn)，如圖 ) dsdsDuR Ω K Ωi 33( ) 31 1 0 =? 180。 IDM 例 2 電路如圖 ，其中管子 T的輸出特性曲線如圖 。 當(dāng)漏極電流 ID 急劇上升產(chǎn)生雪崩擊穿時的 UDS 。 三、極限參數(shù) 3. 漏極最大允許耗散功率 PDM U(BR)DS 4. 柵源擊穿電壓 U(BR)GS 由場效應(yīng)管允許的溫升決定 。 極間電容愈小 ， 則管子的高頻性能愈好 。 二、交流參數(shù) 1. 低頻跨導(dǎo) gm 2. 極間電容 用以描述柵源之間的電壓 uGS 對漏極電流 iD 的控 制作用。 輸入電阻很高。 為增強(qiáng)型場效應(yīng)管的一個重要參數(shù)。 （ 4） 在使用場效應(yīng)管時 , 要注意漏源電壓、 漏源電流及耗散功率等 , 不要超過規(guī)定的最大允許值。 （ 2） 有些場效應(yīng)晶體管將襯底引出 , 故有 4個管腳 , 這種管子漏極與源極可互換使用。 MOS管 的夾斷電壓 UGS(off)＞ 0 UGS 可在正、負(fù)值的一定范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對 iD的控制 ， 漏 源之間應(yīng)加負(fù)電源電壓。 UGS(off)稱為夾斷電壓 圖 N 溝道耗盡型 MOS 管特性 工作條件： UDS 0； UGS 正、負(fù)、零均可。 即使 UGS = 0 也會形成 N 型導(dǎo)電溝道 。 UT 2UT IDO uGS /V iD /mA O 圖 (a) 圖 (b) iD/mA uDS /V O UUG S G S( t h= ）預(yù)夾斷軌跡 恒流區(qū) 可變電阻區(qū) 夾斷區(qū)。 3. 特性曲線與電流方程 (a)轉(zhuǎn)移特性 (b)輸出特性 UGS UGS(th) ， iD = 0； UGS ≥ UGS(th) ， 形成導(dǎo)電溝道 ， 隨著 UGS 的增加 ，ID 逐漸增大 。 a. UDS UGS – UGS(th) ， 即 UGD = UGS – UDS UGS(th) P 型襯底 N+ N+ B G S D VGG VDD P 型襯底 N+ N+ B S D VGG VDD P 型襯底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夾斷區(qū) D P型襯底 N+ N+ B G S VGG VDD P型襯底 N+ N+ B G S D VGG VDD P型襯底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夾斷區(qū) 圖 UDS 對導(dǎo)電溝道的影響 (a) UGD UGS(th) (b) UGD = UGS(th) (c) UGD UGS(th) 在 UDS UGS – UGS(th)時，對應(yīng)于不同的 uGS就有一個確定的 iD 。 b. UDS= UGS – UGS(th)， UGD = UGS(th) 靠近漏極溝道達(dá)到臨界開啟程度 ， 出現(xiàn)預(yù)夾斷 。 ? ? ? N 型溝道 (4) UDS 對導(dǎo)電溝道的影響 (UGS UGS(th)) 導(dǎo)電溝道呈現(xiàn)一個楔形 。 使溝道剛剛形成的柵 源電壓稱為 開啟電壓 UGS(th)。 VGG ? ? ? ? ? ? (3) UDS = 0， UGS ≥ UGS(th) 當(dāng) UGS增大時 ， 耗盡層變寬 ， 同時將襯底的自由電子吸引到耗盡層與絕緣層之間 ，形成一個 N型薄層 ， 稱為 反型層 。 (1)UGS = 0 漏源之間相當(dāng)于兩個背靠背的 PN 結(jié) ， 無論漏源之間加何種極性電壓 ， 總是不導(dǎo)電 。 類型 N 溝道 P 溝道 增強(qiáng)型 耗盡型 增強(qiáng)型 耗盡型 UGS = 0 時漏源間存在導(dǎo)電溝道稱 耗盡型場
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