結(jié)型場效應(yīng)管ppt課件(2)(參考版)
2025-05-06 04:06本頁面
【正文】 例 ：設(shè)： D D PV 1 8 , 1 , 0 .5 , 0D S SV V V I m A ?? ? ? ?試確定 Q點(diǎn)？ g 3 g 1 g 2R = 1 0 M ,R = 2 M ,R = 4 7 k , 3 0 , 2R d k R k? ? ? ? ? ? ?解：由于 IG=0, 在靜態(tài)時(shí)無電流流過 Rg3, VG的大小僅取決于 Rg Rg1對(duì) VDD的分壓，而與 Rg3無關(guān)，因此有 212 gG S G S D D DggRV V V V I RRR? ? ??假設(shè) JFET工作在飽和區(qū) , 則有 20 .5 (1 ) ( )1GSD VI m A? ? ?4 7 1 8( 2 ) ( )2 0 0 0 4 7G S DV I V????dSRg 1RdRCv+VD DgRg 2RTb 1Cb 2Ivo+g 3+所以 2D0 .5 (1 0 .4 2 ) ( )DI I m A? ? ? S SI m A?0 .4 2 0 .2 2G S Q D QV I V? ? ? ?ID不應(yīng)該大于 IDSS，由此可得： G8 .1 0 .2 2 ( 1 ) 0 .7 8D S Q S Q PV V V V V V V? ? ? ? ? ? ?計(jì)算結(jié)果表明： (0 .9 5 0 .6 4 )DI m A??( ) 8 .1D S Q D D D Q dV V I R R V? ? ? ? m A?JFET工作在飽和區(qū)，假設(shè)成立 作業(yè)： 。 MOSFET只能用測試儀，不能用萬用表。 為了避免上述事故，關(guān)鍵要減小外界感應(yīng)的影響，避免柵極的懸空，在保存 IGFET 時(shí)，可選用導(dǎo)線將三個(gè)電極繞在一起等到已經(jīng)形成柵極直流通路后再解開纏繞的導(dǎo)線，還應(yīng)使用外殼接地良好的電烙鐵，最好是焊接時(shí)不加交流電，利用電烙鐵余熱（外殼仍接地）更為安全。 MOSFET管的襯底和源極常連在一起，若需分開，則襯源電壓使襯源的 PN結(jié)反偏。 場效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng) 電源極性按規(guī)定接入，注意不能超過極限 參數(shù)的規(guī)定數(shù)值。 FET的輸入電壓動(dòng)態(tài)范圍較大 （ 可達(dá)幾伏 ） ， 三極管一般小于幾百毫伏 ， 但三極管的輸出電壓動(dòng)態(tài)范圍較大 ， 因?yàn)樗娘柡蛪航祪H零點(diǎn)幾伏 ， 而 FET上升區(qū)轉(zhuǎn)入恒流區(qū)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)處的電壓約有幾伏的緣故 。 IGFET比三極管噪聲低， J
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