礦物材料現(xiàn)代測試技術(shù)(武漢理工大學)2x射線分析2(參考版)
2024-10-19 19:48本頁面
【正文】 3. 實際測得某一斜方晶系晶體的 d201=, d310=, d073=；試求該晶體的晶胞參數(shù)。通過化學分析，實際測定的化學成分為：Al2O3 , BeO , SiO2 %wt。分別以圖示的形式畫出它們的 5種不同面網(wǎng)符號的面網(wǎng)，并計算其面網(wǎng)間距。 實際化學式為： 。 下面為對 長石（ KAlSi3O8)進行化學式計算： 陰離子的總體加和為 。 d100=a 第二章 . 晶體結(jié)構(gòu)概述 武漢理工大學資環(huán)學院 管俊芳 23 5 晶胞中的原子個數(shù)及晶胞體積 (1) 1) 晶胞中的原子個數(shù) a) 角頂上 1/8 b) 晶棱上 1/4 c）晶面上 1/2 d) 晶胞內(nèi)部 1 2) 單位晶胞所含分子個數(shù) （ Z） 如右圖 NaCl晶體 Na：八個角頂： 1/8 8=1 六個面心： 1/2 6=3 Cl: 12個晶棱： 1/4 12=3 體心： 1 Z＝ 4 第二章 . 晶體結(jié)構(gòu)概述 武漢理工大學資環(huán)學院 管俊芳 24 5 晶胞中的原子個數(shù)及晶胞體積 (2) 3) 晶胞體積的計算 第二章 . 晶體結(jié)構(gòu)概述 武漢理工大學資環(huán)學院 管俊芳 25 6 晶體結(jié)構(gòu)描述 (1) 1) 空間群 ：晶體內(nèi)部對稱要素的組合。 而斜方晶系： d010=b。 d331= 第二章 . 晶體結(jié)構(gòu)概述 武漢理工大學資環(huán)學院 管俊芳 22 4 面網(wǎng)間距 （ distance of s） （ 6） 4）不同晶系的獨立面網(wǎng)間距數(shù)量不同 對稱越高的晶體，所具有的獨立面網(wǎng)間距數(shù)量越少；對稱越低的晶體，則獨立面網(wǎng)間距數(shù)量越多。 d311=。用CuKα 射線測量時，我們能測得的面網(wǎng)間距只有： d100=。 a） 最大面網(wǎng)間距： 不能超出晶胞的大小和尺寸； b) 最小面網(wǎng)間距： 等于我們所使用的光源的單色光 波長的一半，具體原因后面章節(jié)要講述。 整個 X射線衍射就是針對面網(wǎng)間距進行的。 a）等軸晶系 a=b=c α=β=?=90 b) 四方晶系 a=b≠c α=β=?=90 c) 斜方晶系 a≠b≠c α=β=?=90 第二章 . 晶體結(jié)構(gòu)概述
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