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正文內(nèi)容

封裝論文led封裝與工藝研究(參考版)

2025-06-09 12:24本頁面
  

【正文】 林祥堅 有 機硅材料 20210525 期刊 。 王炎偉 。 王公應(yīng) 。 張帆 。 李茹 。 李瑞菲 。 青雙桂 。 邱化 玉 。 董紅 。 劉勝 半導(dǎo)體 光電 20211230 期刊 [4] LED封裝用有機硅材料的研究進展 楊雄發(fā) 。 羅小兵 。大的耗散功率,大的發(fā)熱量,高的出光效率給我們的封裝工藝封裝設(shè)備和封裝材料提出了新的更高的要求。大功率 LED 器件代替小功率 LED 器件成為主流半導(dǎo)體照明器件是必然的。 要獲得高品質(zhì)高功率的 LED,新的固晶工藝隨之而發(fā)展出來,其中一種就是利用共晶焊接技術(shù),先將晶粒焊接于一散熱基板( soubmount)或熱沉( heat sink)上,然后把整件晶粒連散熱基板再焊接于封裝器件上,這樣就可增強器件散熱能力,令發(fā)光功率相對地增加。大尺度芯片集成是取得更大功率 LED的可行方法,倒裝芯片布局的集成,長處或許更多一些。小芯片工藝相對老練,各種高熱導(dǎo)絕緣夾層的鋁基板便于芯片集成和散熱。 當前大尺度芯片封裝還存在發(fā)光的均勻和散熱等問題亟待處理。 熒光粉質(zhì)量和涂敷工藝是保證白光 LED質(zhì)量的要素。 LED UV LED配上三色熒光粉供給了另一個方向,白光色溫穩(wěn)定性較好,使其在許多高品質(zhì)需求的運用場合(如節(jié)能臺燈)中得到運用。依據(jù)美國 Lumileds公司的成果,芯片倒裝約增加出光功率 。在 p電極上做上厚層的銀反射器,然后顛末電極凸點與基座上的凸點鍵合。 封裝技術(shù) 發(fā)展趨勢與先進封裝工藝 用 1x1 mm2 的大尺度芯片替代現(xiàn)有的 mm2 的小芯片封裝,在芯片注入電流密度不能大幅度進步的情況下,是一 種首要的技術(shù)發(fā)展趨勢。 由于 LED光源壽命長,維護成本低,因此對 LED燈具的封裝可靠性提出了較高的要求。 為提高 LED燈具的出光效率,除了需要合適的 LED電源外,還必須采用高效的散熱結(jié)構(gòu)和工藝,以及優(yōu)化內(nèi) /外光學(xué)設(shè)計,以提高整個系統(tǒng)效
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