【正文】 4EH 這個命令使主機向 DS18B20 的暫存器寫入 3 個字節(jié)的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)傳輸開始于字節(jié) 0 的最低有效位，通過 暫存器持續(xù)讀取直到第九個字節(jié)（字節(jié) 8循環(huán)冗余校驗碼）被讀取。寄生電源方式下這種傳遞方式不能使用，因為總線電平在轉(zhuǎn)換期外文翻譯（譯文） 23 間被拉高。s 內(nèi)主機必須允許保持上拉單總線。 44H 這個命令啟動溫度轉(zhuǎn)換，隨后轉(zhuǎn)換結(jié)果被存入中間結(jié)果暫存器的兩個字節(jié)溫度寄存器中，然后 DS18B20 又返回到低壓休閑狀態(tài)。 （ 3） DS18B20 功能命令 在總線主機使用 ROM 命令尋址所希望進行通信的 DS18B20 后，主機必須發(fā)出 DS18B20 的一個功能命令。這個命令使主機能夠確定 DS18B20 在最近的溫度轉(zhuǎn)換時是否處于告警狀態(tài)。如果總線上有多個從機同時試圖傳送數(shù)據(jù)，跳過 ROM 命令后跟隨的讀暫存器命令就 會引發(fā)數(shù)據(jù)沖突。注意只有在總線上僅有一個從機設(shè)備情況下跳過 ROM 命令后才能跟隨讀暫存器命令。 ROM 命令 CCH 主機能采用此命令同時訪問總線上所有設(shè)備，無需發(fā)出任何 ROM 碼。若所有從機同時試圖響應主機信號外文翻譯（譯文） 22 時就會發(fā)生數(shù)據(jù)沖突。 ROM 命令 33H 這個命令只能用于總線上僅有一個從機的情況。主機通 過淘汰過程獲得 ROM 碼，這需要主機執(zhí)行多次搜索命令循環(huán)（搜索后是數(shù)據(jù)交換）直到檢測所有的從機設(shè)備。 ROM 命令操作流程表在圖中給出。共有五種 ROM 命令，每一個命令均是 8 位長。這些命令的運行基于每一個從機設(shè)備的唯一 64 位 ROM 碼，當總線上有多個設(shè)備存在時能使主機能夠檢測出特定的設(shè)備。應答脈沖時主機知道從機設(shè)備（例如 DS18B20）在總線上并已準備好工作。 （ 1）初始化 單總線上的所有數(shù)據(jù)交換都開始于初始化序列。此規(guī)則的例外就是是搜索命令和告警搜索命令。接下來的單總線系統(tǒng)討論分為三個題目：硬件接法，處理順序，和單線信號（信號類型與定時）。當總線上只有一個從機時，系統(tǒng)被稱為“單站”體系，如果總線上有多個從機，系統(tǒng)就被稱為“多站”體系。 位 7 位 6 位 5 位 4 位 3 位 2 位 1 位 0 TM R1 R0 1 1 1 1 1 圖 R0 R1 分辨率 溫度最大轉(zhuǎn)換時間（ ms） 0 0 1 1 0 1 0 1 9 位 10 位 11 位 12 位 375 750 表 一線總線系統(tǒng)使用單總線主控來控制一個或多個從機設(shè)備。在分辨率和轉(zhuǎn)換時間之間有個直接的折衷。用戶能通過 表 2 中 寄存器 R0 和 R1 位來設(shè)置 DS18B20 的轉(zhuǎn)換精度。為了把暫存器中的 TH、 TL 和配置寄存器的數(shù)據(jù)傳輸?shù)紼EPROM 中，主機必須發(fā)出復制暫存器命令。為了檢驗數(shù)據(jù)完整性，在數(shù)據(jù)被寫入之后可以讀取暫存器（使用讀暫存器命令）。 DS18B20使用 CRC 產(chǎn)生一節(jié)中的方法形成這個 CRC 碼。字節(jié) 4包含配置寄存器數(shù)據(jù)，字節(jié) 6 和 7 是為設(shè)備內(nèi)部使用而預留 的，不可以被重寫。這些字節(jié)是只讀的。如果 DS18B20 不使用告警功能，那么 TH、 TL 和配置寄存器就作為通用寄存器使用。 8 位 CRC 編號 48 位序列號 8 位產(chǎn)品系列編碼 圖 位激光 ROM 碼 DS18B20 的存儲器如同圖 4 中那樣被組織。最高 8 位包含一個循環(huán)冗余校驗（ CRC）字節(jié)，由 ROM 碼的前 56 位計算得來。ROM 碼的最低 8 位包含 DS18B20 的單總線產(chǎn)品系列碼： 28h。表 1 給出了數(shù)字輸出數(shù)據(jù)和相應的 12 位分辨率溫度讀取轉(zhuǎn)換。如果 DS18B20被設(shè)定為 12 位分辨率，溫度寄存器中的所有位均為有效數(shù)據(jù) ；對 11 位分辨率，位 0 無定義。溫度數(shù)據(jù)以 16 位擴展補碼信號存儲在溫度寄存器中（見圖 2）。如果 DS18B20 采用寄生電源，這個響應方法就不能使用，因為總線在整個溫度轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)中必須保持高電平。轉(zhuǎn)換命令后，采集的溫度數(shù)據(jù)存儲在暫存器的 2 字節(jié)的溫度寄存器中，然后 DS18B20恢復到空閑狀態(tài)。 DS18B20 上電后處于空閑狀態(tài)。C。C, 176。溫度傳感器的分辨率是用戶可配置的 9 位、 10 位、 11 位或 12 位，分別對應的增量為 176。另外一種選擇是 DS18B20 由接在 VDD 的外部電源供電。高電平同時充電一個內(nèi)部電容，當總線低電平時由此電容供應能量。 DS18B20 的另一個特點是不需要再外部供電下即可工作。因為每個設(shè)備 有唯一的序列碼，因此能夠被同一個 DS18B20 尋址的設(shè)備數(shù)量幾乎無限的?？刂凭€需要一個較小的上拉電阻，因為所有的設(shè)備通過一個三態(tài)漏極開路端口（如 DS18B20 的 DQ 引腳）連在總線上。TH,TL 和配置寄存器是非易失性的（ EEPROM），所以掉電后仍然能保存數(shù)據(jù)。另外高速暫存器提供功能訪問一 個字節(jié)的溫度上限及下限告警觸發(fā)寄存器（ TH 和 TL）和一個字節(jié)的配置寄存器。64 位 ROM 存儲了設(shè)備的獨有的序列號。176。C 到 85176。F 到 +257176。C 到 +12176。包括高壓交流電環(huán)境控制、內(nèi)置溫度檢測系統(tǒng)建筑，或者機器、處理器和控制系統(tǒng)在內(nèi)的應用程序都會從這個特點中受益。 每一個 DS18B20 都有一個獨一無二的 64 位序列碼，這個序列碼允許多個DS18B20 在同一根單總線上工作。C 。C ，且在 10 到 85 范圍內(nèi)的精度為 177。它的工作溫度范圍為 55176。s from the start of the slot. M A S T E R R E A D ― 0 ‖ S L O T 1 5 u s1 5 u s3 0 u s1 5 u sD S 1 8 B 2 0 r e a d t i m e s l o tV c cG N D1 w i r e b u sM A S T E R R E A D ― 1 ‖ S L O T B u s m a s t e r p u l l i n g l o w D S 1 8 B 2 0 p u l l i n g l o w R e s i s t o r p u l l u p M a s t e r s a m p l e s M a s t e r s a m p l e s 1 u s 1 u s 1 u s Figure Read Time Slot 外文翻譯（原文） 15 外文翻譯（譯文） 16 DS18B20 介紹 DS18B20 數(shù)字式溫度傳感器提供 9 位到 12 位的攝氏溫度測量，并且有用戶可編程的、非易失性溫度上下限告警出發(fā)點。s and then releasing the bus (see Figure 8). After the master initiates the read time slot, the DS18B20 will begin transmitting a 1 or 0 on bus. The DS18B20 transmits a 1 by leaving the bus high and 外文翻譯（原文） 14 transmits a 0 by pulling the bus low. When transmitting a 0, the DS18B20 will release the bus by the end of the time slot, and the bus will be pulled back to its high idle state by the pull up resister. Output data from the DS18B20 is valid for 15181。s in duration with a minimum of a 1181。s to 60181。s. When the bus is released, the 5k? pullup resistor will pull the bus high. To generate a Write 0 time slot, after pulling the 1Wire 外文翻譯（原文） 13 bus low, the bus master must continue to hold the bus low for the duration of the time slot (at least 60181。s in duration with a minimum of a 1181。 sM a s t e r R x4 8 0 181。 s m i n i m u mD S 1 8 B 2 0 w a i t s1 5 ~ 6 0 181。s to 240181。s to 60181。s (max) after this mand is issued the master must enable a 外文翻譯（原文） 11 strong pullup on the 1Wire bus. E2 [B8h] This mand recalls the alarm trigger values (TH and TL) and configuration data from EEPROM and places the data in bytes 2, 3, and 4, respectively, in the scratchpad memory. The master device can issue read time slots following the Recall E2mand and the DS18B20 will indicate the status of the recall by transmitting 0 while the recall is in progress and 1 when the recall is done. The recall operation happens automatically at powerup, so valid data is available in the scratchpad as soon as power is applied to the device. 6． READ POWER SUPPLY [B4h] The master device issues this mand followed by a read time slot to determine if any DS18B20s on the bus are using parasite power. During the read time slot, parasite powered DS18B20s will pull the bus low, and externally powered DS18B20s will let the bus remain high. SIGNALING The DS18B20 uses a strict 1Wire munication protocol to ensure data integrity. Several signal types are defined by this protocol: reset pulse, presence pulse, write 0, write 1, read 0, and read 1. The bus master initiates all these signals, with the exception of the presence pulse. （ 1） INITIALIZATION PROCEDURE—RESET AND PRESENCE PULSES All munication with the DS18B20 begins with an initialization sequence that consists of a reset pulse from the master followed by a presence pulse from the DS18B20. This is illustrated in Figure 6. When the DS18B20 sends the presence pulse in response to the reset, it is indicating to the master that it is on the bus and ready to operate. During the initialization sequence the bus master transmits (TX) the reset pulse by pulling the 1Wire bus low for a minimum of 480181。 all other slaves on the bus