數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)第2章制造工藝-wenkub.com
2025-01-21 10:42 本頁面
【正文】 2023/2/2 15:43:4615:43:4602 February 2023n 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 二月 21二月 21Tuesday, February 02, 2023n 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 。 二月 2115:43:4615:43Feb2102Feb21n 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 2023/2/2 15:43:4615:43:4602 February 2023n 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 二月 21二月 2115:43:4615:43:46February 02, 2023n 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 二月 21二月 21Tuesday, February 02, 2023n 雨中黃葉樹，燈下白頭人。如可對較大的單元結(jié)構(gòu) MOS多種邏輯門及其他組合進(jìn)行比較。(3)如果是用自動(dòng)設(shè)計(jì)方法制成的版圖，從單元庫中調(diào)用已檢驗(yàn)過的單元，所以只需提取連接線關(guān)系及連線的分布電容和電阻，進(jìn)行整個(gè)電路的檢驗(yàn)即可。 (4) 特定區(qū)域未接觸。如將電源、接地點(diǎn)、輸入端、輸出端分別給出 “節(jié)點(diǎn)名 ”。 （ 2） WIDTH CON LT OUTPUT E53A 44這一句意味著接觸孔寬度 m小于出錯(cuò)， “出錯(cuò)輸出”在指定 44層上給出單元 E53A一個(gè)錯(cuò)誤標(biāo)志。在 DRC執(zhí)行過程中，計(jì)算機(jī)會(huì)自動(dòng)對照查驗(yàn)圖形和出錯(cuò)條件。n 多個(gè)金屬互連層。其中包括： ＊ 以 微米分辨率 來規(guī)定的微米規(guī)則 ＊ 以 特征尺寸為基準(zhǔn)的 λ 規(guī)則 版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則n 層次 人們把設(shè)計(jì)過程抽象成若干易于處理的概念性版圖層次，這些層次代表線路轉(zhuǎn)換成硅芯片時(shí)所必需的掩模圖形。為了在用 metal1實(shí)現(xiàn)的電源線和一個(gè) P型材料間建立起一個(gè) 歐姆接觸，必須提供一個(gè) P+擴(kuò)散區(qū)。多個(gè)金屬互連層；216。襯底或阱；216。此后， 還常常要再淀積一層氮化物，因?yàn)槟苁剐酒姆莱毙阅芨?。接下來的工藝步驟是淀積多層金屬互連層、接觸孔、通孔等注意：在摻雜之前形成圖形的多晶硅柵實(shí)際確定了溝道的確切位置，從而也確定了 源區(qū)和漏區(qū)的位置 ——這一過程稱為 自對準(zhǔn)工藝 ，它使源和漏這兩個(gè)區(qū)域 相對于柵具有非常精確的位置，并有助于減小晶體管中的寄生電容。多晶硅用來 作為晶體管的柵電極和互連線材料。這一注入只對柵氧下面的區(qū)域的摻雜產(chǎn)生影響。(d)溝槽填充氧化物、 CMP平整化及 移去氮化硅犧牲層后(d)在完成溝道阻擋注入后，溝槽內(nèi)填滿 SiO2，接著進(jìn)行一系列的工序來平整表面。平面化： 如果要在圓片表面可靠的淀積材料層，則保證半導(dǎo)體表面的平整是非常重要的。n 淀積：即在圓片上反復(fù)淀積材料層。n 它會(huì)引導(dǎo)離子掃過半導(dǎo)體表面，離子的加速度決定了它們穿透材料的深度，離子流的大小和注入時(shí)間決定了劑量。它要求要摻雜的區(qū)域暴露在外，而圓片的其余部分用 SiO2。因?yàn)橐D(zhuǎn)移的特征尺寸超出光源的波長范圍使達(dá)到所需要的分辨率和精度變得越來越困難。如二氧化硅第六步： 旋轉(zhuǎn)、清洗和干燥 ，采用一種特殊的工具用去離子水來清洗圓片， 再用氮?dú)膺M(jìn)行干燥。這為負(fù)膠 ，正膠相反。典型直徑在 412英寸之間，厚度最多為 1mm。 CMOS集成電路的制造N管的立體圖單阱工藝雙阱 CMOS工藝的截面圖在 CMOS工藝中 ,它要求把一個(gè) N管或 P管都建立在同一硅材料上 ,因此有時(shí)我們會(huì)在襯底上建立一個(gè)稱為阱的特殊區(qū)域 ,在這個(gè)區(qū)域中 半導(dǎo)體材料的類型與溝道的類型相反。n 這些規(guī)則是各集成電路制造廠家根據(jù)本身的工藝特點(diǎn) 和 技術(shù)水平 而制定的。n版圖 (Layout)集成電路制造廠家根據(jù)這些數(shù)據(jù)來制造掩膜。 掩模版 的作用n 掩膜上的圖形決定著芯片上器件或連接物理層的尺寸。n 因此不同的工藝，就
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