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2025-05-10 18:49 本頁面
   

【正文】 調(diào)整自由焦距鏡頭 { CIj Zoom(Zoom In/Zoom Out) }\ R ]\t Zero 4k。 良率 _Id/b| 1. zLOW X射線 ihW {) 1. 16. SU 5 d WP8aki 12. B D[/2LYU Wet Etching XM$Vamp。 Water Mark p+,Gs `N 廢液回收箱(Drain) Box +y(Juamp。 A39。 Wafer Stage 32zZ?AmR 刻號() e`mv 實際晶片產(chǎn)出量 ?AA3\Y 3 晶片(臺);外延片(陸) : Jl7 \Vamp。 ? uwF 12. kYBk y+{DR5If Venting B%Q$FV 8. Vender(Vendor) I=j.}A6q Vapor +o4=w6s Valve bq ?Bd^ 真空壓力計 F{pvZP 真空蒸鍍機 +D4. O? ESj2? 1. 11. User ID !T|5iiamp。 8. Unlock )+V]B6Zv 單位 UZA3 $! Unit UEsThpMXo Under – Etching Wp87(IQ Ultrasonic Cleaner(Supersonic 43. T6{rYRdq )PKL{) Turbo Pump 調(diào)機中 z+5?$Gh( 39. 9 hQB+L~ Trouble Over t\VO6 g$ 趨勢 zsXf 6% Tray E39。 32. 訓練 WO*gKYnNb guPBAISxh Track in/out 工具 !W43 *3JZ2 vb8 27. _i/WksmX _+/uECs Timeout /g。 m?dmiQt 7U ^X tO7 厚度的均勻度 0iLH 20. Ru+U{9*|N Thin Film Deposition p ZdG b/iJZWZK 15. hk$JFkt Ternary Compound 12. 溫度 _9)(。 Telephone Fc[M`T 臨時工程變更通知單Change Notice) F%Dq8J。 技術(shù) vDp3S0wb Technology 1tdV | TE(Technician) xhkgId 5. 4. 3. System 按鈕;開關(guān) b5Grr 50. Surface Contamination Gm 供給 |u8。 47. /yH`b}O1 %:LGpP$ Summary oOR1D 42. Strip Ujqyr w)CUa[E4N HJ!kU| zsws 4 hZjCV0 SPC(Statistical Process Control) 統(tǒng)計制程管制 ]6RxjpF ( 排序機臺 WQ 9/] 分類 v6t`bc39。 Sort _Mg 28. Sodium Hydroxide(NaOH) +Yw^39。 Slurry ~amp。 21. 20. 19. NItQ+fM$o 0ZMeN% Q TJ2z7JZp..  U?Sp QI7?r| Service 順序 .ZF:!]U,6$ hcP:= 半自動 GubqGKn SEMI wrMUw`amp。 刷洗器;清掃夫 KyTl9` 8. 7. l+%XYsG。 4. Scan Fail j.L|Wr$vH 藍寶石 r5}Wnyamp。 1. 29. 快速熱處理 _ amp。 RTA 表面電阻 w)R,|:C\ RS 程序編號 R_.lJ9+F e6 H %vJ/}?\k )rv1D]5_5 Robot 機臺Alarm造成貨被Hold住 $qaGwwndj 19. 重做;重工 xbLdLXq+T 18. Fzr/]SK $C%49Ko{ 1(~j9[ 12. RO=!RbaS 10. 8. Record Y YA/QLJ6 /K|}amp。 4. 3. ◎ R開頭的單字 ◎ Q}$y\y[1 Quaternary Compound (^z8=sFH| }F=D$39。 QTime 36. Push 推動◎ Q開頭的單字 ◎ }\dcgg^ 35. Purge 清除 GZpweB |} =f hpIK 32. Program 程序 v1R5$7 Cf9qOo w *T\Lmq4)Z E+L3D A]yH,7 24. Press 壓;按下 eX3$/ 22. POD 晶片專用盒(Run貨専用) +C/R]rl6 14}amp。19. PN(Production Notice) 制造通報 /m/L}e~t7: 18. PM(Preventive Maintenance) 機臺定期例行保養(yǎng) =:i.:q af:/S l4。K_ te 14. Photo Resist Stripper 去光阻液 7syLm8{M4 \hd%}M sG/ _grvcFe。DvG9jHca Zec5mmx8 4 3. Particle 微粒子 S%839。iQBADY\CIH d, aN。R 17. Outgassing 指附著于固體表面的氣體因壓力降低或熱量而升華 %2 o )`TWC I6 Bzo(p Z[`.9+mx 10. Operation Start 操作開始 $vT}V_?u{. :I)IRTw o 6. Operation Cancel 操作中止;取消操作 w{amp。2 |y 3. OI(Operation Instruction) 操作準則 。\,!Qv(`K}, 9. 不可用的;無效的 mg]u)39。 普通貨 L[178B Normal Lot BT(ZU=L8t Nitrogen(N) DX。 Nitride 9Qwf Nitric Acid(NHO3) D RD kO 2. 1. L4JL3y, X Multi 錯誤操作 O/^EF M4 ZG` 0Y s}C ^2l 顯微鏡;實體顯微鏡 。 Microscope db0 7. Merge {?{l 5. 維修;保護 QX\.$ATfI~ HUamp。 被工程師Hold在當站,請依Lot Note Call工程師或執(zhí)行Run Card amp。 18. 9Z S{[j+Q^\* Lot Position 貨主 :wMz+ Lot Owner 批貨批注信息 h?`5Tl` 13. 批貨批注 QCz`amp。 ztpamp。 11. Lot ID 批貨歷史資料 hmMY%Tu CqthZXNX 9. 9L39。 7. 微影 |1P}Y: \^r*Yh39。 4. 被Hold住的貨(Hold在上一站) ,~r,%:O 泄漏 f9= P{zR 鍵盤◎ L開頭的單字 ◎ %VH(]a 2. ◎ K開頭的單字 ◎ \~utj ◎ J開頭的單字 ◎ JXW!M]| Iv Test Q+h 制程檢驗員 wTcK]3 異丙醇 ()`:\l: 4. U8q239。 Initial klhIw(rT 雙氧水◎ I開頭的單字 ◎1. 15. unusN?Yn 14. Hydrochloric Acid(HCL) *Bt。 12. 10. Hold Date EXw:es/ Hold 2 ~ swbtD 歴史 V :|UMSB j.Dbe!a5. High Vacuum nG _4aD  %w7Ni)zV` 2. Handle 群組◎ H開頭的單字 ◎ (j B+|rD 廠區(qū)操作規(guī)則 kS%L6Hou $fKg_F.A2. 爐管 zHUg{vy 順向電流 y~6n{|_C 5. 4. Do3J
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