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2025-05-04 12:14 本頁面
【正文】 本例中放電電流的峰值為： IP≈ U/R=20A；放電時間很短，可近似為： Td ≈ RC=150（ ns），這對于 MOS電路來說，則將受到致命打擊。 七 靜電的相關標準 17/19 人走過化纖的地毯靜電大約是 35000伏 脫衣靜電 高達 5000伏 梳頭靜電 高達 2022伏 翻閱塑料說明 書大約 7000伏 八 靜電相關常識 靜電相關的生活常識： 靜電防護中的一些相關符號： ESD敏感符號 ESD防護符號 軍標 MILSTD129H制定的符號 防靜電工作區(qū)域符號 18/19 現以人體為例，計算人體的帶電情況。 （ 15）進入 EPA人員的人體綜合電阻 105～ 109Ω 。 (10)周轉容器：靜電耗散型（衰減期 ≦ 10s ）；導靜電型（衰減期 ≦ 2s ）。 (5)座椅和運轉車表面：點對點電阻值 105～ 1010Ω ；系統(tǒng)電阻 105～ 109Ω 。 (2)地面或地墊：點對點電阻值 104～ 1010Ω ；系統(tǒng)電阻 104～ 109Ω。 五 靜電防護 具體靜電防護方法： （ 1）使用防靜電材料 （ 2）泄漏與接地 （ 3）導體帶靜電消除方法 （ 4）非導體帶靜電的消除方法 （ 5）工藝控制方法 13/19 生產過程中靜電防護主要措施為靜電泄露、耗散、中和、增濕、屏蔽與接地。 12/19 消除靜電的措施，可用物理或化學的方法：一般可歸結為一靠 “ 地 ” ；二靠“ 器 ” （裝消除器）；三靠 “ 劑 ” （加抗靜電劑）；四靠 “ 屏蔽 ” 。對于產品有明確測試標準的，應優(yōu)先考慮其相應測試條件。 9/19 靜電損害的實例圖： 芯片內部被靜電擊穿 靜電高壓擊穿芯片 靜電對人體的傷害 靜電 ESD電流導致電路熔斷 嚴重后果 靜電擊穿 在不經意間將昂貴電子器件擊穿，造成電子工業(yè)年損失達上百億美元 對 P/N結造成軟擊穿 芯片內單晶硅金屬鍍模擊穿 芯片內引線擊穿 10/19 靜電放電損害： 靜電放電產生電磁脈沖， 可使 智能電子設備產生誤動作；當具有強能量脈沖時 ,可使 靜電 敏感器件 直接被 破 壞，下面就以此對計算機信號的影響做簡單解釋。電子方面的人員在處理或替換電路板、集成電路塊，需頻繁地接觸各種元器件，而半導體設備對于來自靜電的刺激極其敏感，元器件的損壞只是在一瞬間。 靜電對電子產品損害所具有的特點： 隱蔽性、潛在性、隨機性、復雜性 詳細解釋 三 靜電的危害 8/19 靜電放電引起的組件擊穿損害是電子工業(yè)中最普遍 ﹑ 最嚴重的靜電危害 ,它
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