mosfet直流特性ppt課件-wenkub.com
2025-05-02 18:16 本頁面
【正文】 qTkVV BTnon ???????????????????????D s a tDSTnGSDSTnGSD s a tDSonGSDSDSTnGSonGStonGSonDSVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVII,)1()(2,)()e x p (2??????DSIDSVonVTnVPaoSah 模型和薄層電荷模型 PaoSah Model和 Charge Sheet Model彌補(bǔ)了上述缺點(diǎn)，這兩種理論都可以計算亞閾值電流，也可以實(shí)現(xiàn)自行飽和。增加 VSB。 ?S的單位： V/dec ?S越小器件的開關(guān)特性越好 )( )( lo g DSGSDSGSIddVIddVS ??亞閾值電流 （ 3） 測量得到的亞閾值電流數(shù)據(jù)。事實(shí)上，當(dāng) VDS≠0時，從源到漏的 Qb（耗盡層寬度 Xdmax）是逐漸增加的 ,體電荷模型考慮到了這一點(diǎn)。 DSVLL 1??? )1()(22DSTnGSoxsD s a t VVVLWCI ?? ???TnGS VVLYV ??? )39。 ?L與（ VDSVDSAT）有關(guān)，它將調(diào)制有效溝道長度，這種現(xiàn)象稱為溝道長度調(diào)制。 一級近似模型： MOSFET飽和區(qū) 2)(2 TnGSoxsD s a t VVLWCI ?? ?夾斷點(diǎn)的漏電流 D satDS II ?saturated DSI DsatIDSVDsatV夾斷后， VDS再增加，增加的部分全部降落再夾斷區(qū)，導(dǎo)致夾斷點(diǎn)向源區(qū)移動。即溝道區(qū)的任何一點(diǎn)上，總的漏電流 IDS是一樣的 基本假定（ 2） 2222XYXEYE XY????????????? ??sioxdxd???? )(22 ??根據(jù)上述假設(shè)，溝道中任意一點(diǎn)的電流密度： yVyxyxqnEyxyxqnJ YnYnn ?????? ),(),(),(),( ??Ey： 溝道 y方向 y點(diǎn)的電場。 MOSFET的直流特性 本節(jié)內(nèi)容 推導(dǎo)長溝道 MOSFET的電流－電壓之間的數(shù)學(xué)關(guān)系，包括： ?線性區(qū)的 IV關(guān)系 ?飽和區(qū)的 IV關(guān)系 ?亞閾值區(qū)的 IV關(guān)系 ?溝道長度調(diào)制效應(yīng) 基本方程 半導(dǎo)體器件的特性一般由下面三組方程決定 siozyxzyxe q u a t io nsp o is s io n???? ),(),(39。1 2 ???、pqDpEqJnqDnEqJe q u a t io nc u r r e n tpppnnn ???
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