電子顯微分析與電子探針-wenkub.com
2025-04-30 08:20 本頁(yè)面
【正文】 BaF2晶界的線掃描分析 (a)形貌像及掃描線位置； (b)O及 Ba元素在掃描線位置上的分布 ? 下圖給出 ZnOBi2O3陶瓷試樣燒結(jié)自然表面的面分布分析結(jié)果，可以看出 Bi在晶界上有嚴(yán)重偏聚。 ? 此外，由于經(jīng)過(guò)晶體衍射后，強(qiáng)度損失很大，所以，波譜儀 難以在低束流和低激發(fā)強(qiáng)度下使用 ，這是波譜儀的兩個(gè)缺點(diǎn)。 ? 被激發(fā)的特征 X射線照射到連續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)的分光晶體上實(shí)現(xiàn)分光 (色散 )，即不同波長(zhǎng)的 X射線將在各自滿足布拉格方程的 2?方向上被 (與分光晶體以 2:1的角速度同步轉(zhuǎn)動(dòng)的 )檢測(cè)器接收。 ? (2)工作條件要求嚴(yán)格 。 能譜儀的缺點(diǎn)： ? (1)能量分辨率低，峰背比低 。由于能譜儀中 Si(Li)探頭可以放在離發(fā)射源很近的地方 (10㎝左右 )，無(wú)需經(jīng)過(guò)晶體衍射，信號(hào)強(qiáng)度幾乎沒(méi)有損失，所以靈敏度高 (可達(dá) 104cps/nA， 入射電子束單位強(qiáng)度所產(chǎn)生的 X射線計(jì)數(shù)率 )。 圖 2217 電子探針結(jié)構(gòu)示意圖 一、能譜儀 ? 能譜儀全稱為能量分散譜儀 (EDS)． ? 目前最常用的是 Si(Li)X射線能譜儀，其關(guān)鍵部件是 Si(Li)檢測(cè)器，即鋰漂移硅固態(tài)檢測(cè)器，它實(shí)際上是一個(gè)以 Li為施主雜質(zhì)的 nip型二極管。 ? 影響二次電子產(chǎn)額的因素主要 有： ? (1)二次電子能譜特性； ? (2)入射電子的能量； ? (3)材料的原子序數(shù)； ? (4)樣品傾斜角 ?。 ? （ 3） 景深 ? SEM（ 二次電子像）的景深比光學(xué)顯微鏡的大，成像富有立體感。 5．電源系統(tǒng) ? 作用：為掃描電子顯做鏡各部分提供所需的電源。 ? 不同的物理信號(hào)，要用不同類型的收集系統(tǒng)。 ? 作用：獲得掃描電子束，作為使樣品產(chǎn)生各種物理信號(hào)的激發(fā)源。
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