【正文】 校驗時， P0口須接上 10k左右的上拉電阻。 Ready／ Busy： 字節(jié)編程的進度可通過 RDY／ BSY輸出信號監(jiān)測，編程期間， ALE變?yōu)楦唠娖?“ H” 后 （ RDY／ BSY）端電平被拉低，表示正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。 4．在高電壓編程方式時，將 EA／ Vpp端加上 +12V編程電壓。編程單元的地址加在 P1口和 P2口的 － （ 11位地址范圍為 0000H－ 0FFFH），數(shù)據(jù)從 P0口輸入，引腳 、 、 6， PSEN為低電平， RST保持高電平， EA／ Vpp 引腳是編程電源的輸入端，按要求加上編程電壓， ALE／ PROG引腳輸入編程脈沖（負脈沖）。AT89C51單片機中，有些屬于低電壓編程方式，而有些則是高電壓編程方式，用戶可從芯片上的型號和讀取芯片內(nèi)的名字節(jié)獲得該信息，見下表。 為了避免可能對端口產(chǎn)生意外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對端口或外部存儲器的寫入指令。終止空閑工作模式的方法有兩種， 其一是任何一條被允許中斷的事件被激活， IDL（ ）被硬件清除，即刻終止空閑工作模式。如需同時進入兩種工作模式，即 PD和 IDL同時為 1，則先激活掉電模式。 空閑節(jié)電模式： AT89C51 有兩種可用軟件編程的省電模式，它們是空閑模式和掉電工作模式。 圖 1 石英晶體時： C1， C2＝ 30pF177。 10F。這個放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器，振蕩電路參見圖 5。 如 EA端為高電平（接 VCC端）， CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。 此外，該引腳會被微弱拉高，單片機執(zhí)行外部程序時，應(yīng)設(shè)置 ALE無效。要注意的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個 ALE脈沖。當(dāng)振蕩器工作時， RST引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上高電平將使單片機復(fù)位。作輸入端時，被外部拉低的 P3 口將用上拉電阻輸出電流（ IIL）。 Flash編程或校驗時， P2亦接收高位地址和其它控制信號 P2口： P2是一個帶有內(nèi)部 上拉電阻的 8位雙向 I／ O口， P2的輸出緩沖級可 驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4個 TTL邏輯門電路。對端口寫 “ 1” ，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時可作輸入口。在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時，這組口線分時 轉(zhuǎn)換地址（低 8位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。 Vcc：電源電壓 空閑方式停止 CPU的工作，但允許 RAM，定時 /記數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。 這兩種特性在單片機中得到了充分的體現(xiàn)。一些廠家用這兩種特性區(qū)分程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器在硬件中的特性，依據(jù)同樣的原理廣泛的適用于一般目的的電腦和微電腦，一些廠家在程序內(nèi)存和數(shù)據(jù)內(nèi)存之間不區(qū)分，像 普林斯頓 特性。掉電方式保存 RAM 中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作直到下一個硬件復(fù)位。 GND：地 在 FIash編程時， P0口接收指令字節(jié)，而在程序校驗時，輸出指令字節(jié)，校驗時，要求外接上拉電阻。作輸入口使用時，因為內(nèi)部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流（ IIL）。對端口寫 “ 1” ，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時可作輸入口，作輸入口使用時，因為內(nèi)部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流（ IIL）。 P3口： P3口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I／ O 口。 P3 口除了作為一般的 I／ O 口線外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示： P3口還接收一些用于 Flash閃速存儲器編程和程序校驗的控制信號。 對 Flash存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（ PROG）。 EA／ VPP： 外部訪問允許。 Flash存儲器編程時，該引腳加上 +12V的編程允許電源 Vpp，當(dāng)然這必須是該器件是使用 12V編程電壓 Vpp。 XTAL2： 振蕩器反相放大器的輸出端。外接石英晶體（或陶瓷諧振器）及電容 C C2接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。用戶也可以采用外部時鐘。 10pF 陶瓷濾波器： C1， C2＝ 40pF177。這兩種方式是控制專用寄存器 PCON（即 電源控制寄存器）中的 PD（ ）和 IDL（ ）位來實現(xiàn)的。在空閑工作模式狀態(tài)， CPU保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。程序會首先響應(yīng)中斷，進入中斷服務(wù)程序，執(zhí)行完中斷服務(wù)程序并緊隨 RETI（中斷返回）指令后，下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機進入空閑模式那條指令后面的一條指令。 程序存儲器的加密： AT89C51 可使 用對芯片上的 3 個加密位 LB LB LB3 進行編程（ P）或不編程（ U）來得到如下表所示的功能加密位保護功能表： 當(dāng)加密位 LB1 被編程時，在復(fù)位期間， EA端的邏輯電平被采樣并鎖存，如果單片機上電后一直沒有復(fù)位，則鎖存起的初始值是一個隨機數(shù)，且這個隨機數(shù)會一直保存到真正復(fù)位為止。 Flash閃速存儲器的編程： AT89C51 單片機內(nèi)部有 4k 字節(jié)的 Flash PEROM，這個 Flash 存儲陣列出廠時已處于擦除狀態(tài)（即所有存儲單元的內(nèi)容均為 FFH），用戶隨時可對其進行編程。 AT89C51的程序存儲器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的，每次寫入一個字節(jié)，要對整個芯片內(nèi)的 PEROM程序存儲器寫入一個非空字節(jié)，必 須使用片擦除的方式將整個存儲器的內(nèi)容清除。編程時，可采用 4－ 20MHz的時鐘振蕩器， AT89C51編程方法如下： 1．在地址線上加 上要編程單元的地址信號。 5．每對 Flash存儲陣列寫入一個字節(jié)或每寫入一個程序加密位，加上一個ALE／ PROG編程脈沖。 數(shù)據(jù)查詢： AT89C51單片機用數(shù)據(jù)查詢方式來檢測一個寫周期是否結(jié)束，在一個寫周期中，如需讀取最后寫入的那個字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（ ）是原來寫入字節(jié)最高位的反碼。編程完成后， 。 Flash 存儲器編程真值表 注：片擦除操作時要求 PROG 脈沖寬度為 10ms 編程電路 校驗電路 程序校驗： 如果加密位 LB LB2沒有進行編程，則代碼數(shù)據(jù)可通過地址和數(shù)據(jù)線讀回原編寫的數(shù)據(jù)，采用下圖的電路，程序存儲器的地址 由 P1 和 P2 口的－ ，數(shù)據(jù)由 P0口讀出， 、 、 ， PSEN保持低電平， ALE、 EA和 RST保持高電平。 每個字節(jié)寫入周期是自身定時的，通常約為 。 3．激活相應(yīng)的控制信號。 編程方法： 編程前，須按表 6和圖 6所示設(shè)置好地址、數(shù)據(jù)及控制信號。低電壓編程模式適合于用戶在線編程系統(tǒng)，而高電壓編程模式可與通用 EPROM編程器兼容。此外，加密位只能通過整片擦除的方法清除。退出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變 RAM中的內(nèi)容，在 Vcc恢復(fù)到正常工作電平前，復(fù)位應(yīng)無效，且必須保持一定時間以使振蕩器重啟動并穩(wěn)定工作。需要注意的是，當(dāng)由硬件復(fù)位來終止空閑工作模式時， CPU 通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個機器周期（ 24個時鐘周期）有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止 CPU訪 問片內(nèi) RAM，而允許訪問其它端口?？臻e模式可由任何允許的中斷請求或硬件復(fù)位終止。 IDL是空閑等待方式，當(dāng) IDL=1，激活空閑工作模式，單 片機進入睡眠狀態(tài)。 這種情況下，外部時 鐘脈沖接到 XTAL1端，即內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端， XTAL2則懸空。 10pF，而如使用陶瓷諧振器建議選擇 40pF177。 時鐘振蕩器： AT89C5l 中有一個用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器，引腳 XTAL1 和 XTAL2 分別是該放大器的輸入端和輸出端。 XTAL1： 振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端。需注意的是：如果加密位 LB1被編程，復(fù)位時內(nèi) 部會鎖存 EA端狀態(tài)。在此期間，當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器，這兩次有效的 PSEN信號出現(xiàn)。該位置位后，只有一 條 MOVX和 MOVC指令 ALE才會被激活。即使不訪問外部存儲器， ALE 仍以 時鐘振蕩頻率的 l／ 6 輸出固定的正脈沖信號，因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。 RST： 復(fù)位輸入。對 P3 口寫入 “ 1” 時，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。在訪問 8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（如執(zhí)行 MOVXRI 指令）時， P2 口線上的內(nèi)容（也即特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中 R2寄存器的內(nèi)容），在整個訪問期間不 改變。 P1口： P1是一個帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I／ O口， P1的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4個 TTL邏輯門電路。作為輸出口用時，每位能吸收電流的方式驅(qū)動 8個 TTL邏輯門電路，