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單片機應用的外文翻譯-單片機-wenkub.com

2025-01-15 07:58 本頁面
   

【正文】 復位重新定義了 SFR 的值,但不改變片上 RAM 的 值??臻e模式被硬件復位終止后,為了防止預想不到的寫端口,激活空閑模式的那一條指令的下一條指令不應該是寫端口或外部存儲器。這種狀態(tài)可以通過軟件產(chǎn)生。石英晶體和陶瓷諧振器都可以用來一起構(gòu)成自激振蕩器。定時器 0和定時器 1標志位 TF0 和 TF1在計數(shù)溢出的那個周期的 S5P2被置位。它們?yōu)?AT89系列新產(chǎn)品預留。 IE還包括一個中斷允許總控制位EA,它能一次禁止所有中斷。定時器 2也可以同時用作波特率發(fā)生器和時鐘產(chǎn)生。當工作頻率為 16MHZ時,時鐘輸出頻率范圍為 61HZ到 4HZ。在讀寫定時器 2 或 RCAP2寄存器時,應該關(guān)閉定時器( TR2清 0)。定時 器 2處于波特率產(chǎn)生模式, TR2=1,定時器 2正常工作。定時器 2 用于定時器操作與波特率發(fā)生器有所不同,它在每一機 器周( 1/12晶振周期)都會增加;然而,作為波特率發(fā)生器,它在每一機器狀態(tài)( 1/2晶振周期)都會增加。如圖 8 所示,設置 RCLK 和 (或) TCLK 可以使定時器 2 工作于波特率產(chǎn)生模式。定時器 2上溢或下溢,外部中斷標志位 EXF2 被鎖死。定時器的溢出也使得RCAP2H和 RCAP2L中的 16位值分別加載到定時器存儲器 TH2和 TL2中。置位 DCEN,允許定時器 2向上或向下計數(shù)。計數(shù)溢出也使得定時器寄存器 重新從 RCAP2H 和RCAP2L 中加載 16 位值。 DCEN 設置后,定時器 2就可以取決于 T2EX向上、向下計數(shù)。像 TF2 一樣, T2EX 也會引起中斷。如果 EXEN2=0,定時器 2時一個 16位定時 /計數(shù)器,溢出時,對 T2CON 的 TF2標志置位, TF2引起中斷。在檢測到跳變的這個周期的 S3P1 期間,新的計數(shù)值出現(xiàn)在寄存器中。由于一個機器周期由 12 個晶振周期構(gòu)成,因此,計數(shù)頻率就是晶振頻率的 1/12。定時器 2有三種工作模式:捕捉方式、自動重載(向下或向上計數(shù))和波特率發(fā)生器。 0 和定時器 1 在 AT89S52 中,定時器 0 和定時器 1 的操作與 AT89C51 和 AT89C52 一樣。為了防止 WDT在待機模式下復位 AT89S52,用戶應該建立一個定時器,定時離開待機模式,喂狗,再重新進入待機模式。這就意味著 WDT 應該在中斷服務程序中復位。通過中斷退出掉電模式的情形有很大的不同。 WDT 在掉電模式下,晶振停止工作,這意味這 WDT也停止了工作。為了復位 WDT,用戶必須向 WDTRST 寫入 01EH 和 0E1H( WDTRST 是只讀寄存器)。 為了激活 WDT,用戶必須向 WDTRST寄存器(地址為 0A6H的 SFR)依次寫入 0E1H和0E1H。當 WDT激 活后,晶振工作, WDT在每個機器周期都會增加。因此,高 128字節(jié)數(shù)據(jù) RAM也可用于堆??臻g。直接尋址方式訪問特殊功能寄存器( SFR)。 AT89S52 有 256 字節(jié)片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器。 MCS51器件有單獨的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。為了執(zhí)行內(nèi)部程序指令, EA 應該接 VCC。 PSEN : 外部程序存儲器選通信號 (PSEN )是外部程序存儲器選通信號。如果需要,通過將地址為 8EH的 SFR的第 0位置 “ 1” , ALE操作將無效。 ALE/PROG : 地址鎖存控制信號( ALE)是訪問外部程序存儲器時,鎖存低 8 位地址的輸出脈沖。晶振工作時, RST腳持續(xù) 2 個機器周期高電平將使單片機復位。作為輸入使用時,被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流( IIL)。在使3 用 8位地址(如 MOVX RI)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時, P2口輸出 P2鎖存器的內(nèi)容。對 P2 端口寫“ 1”時,內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時可以作為輸入口使用。作為輸入使用時,被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流( IIL)。在 flash 編程時, P0 口也用來接 收指令字節(jié);在程序校驗時,輸出指令字節(jié)。作為輸出口,每位能驅(qū)動 8 個 TTL邏輯電平。另外, AT89S52 可降至 0Hz 靜態(tài)邏輯操作,支持 2種軟件可選擇節(jié)電模式。使 用 Atmel 公司高密度非易失性存儲器技術(shù)制造,與工業(yè) 80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上 Flash 允許程序存儲器在系統(tǒng)可編程,亦適于常規(guī)編程器??臻e模式下, CPU 停止工作,允許 RAM、定時器 /計數(shù)器、串口、中斷繼續(xù)工作。對 P0 端口寫“ 1”時,引腳用作高阻抗輸入。程序校驗 時,需要外部上拉電阻。此外, 和 分別作定時器 /計數(shù)器 2 的外部計數(shù)輸入( )和時器 /計數(shù)器 2的觸發(fā)輸入( ),具體如下表所示。作為輸入使用時,被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電( IIL)。在flash編程和校驗時, P2口也接收高 8位地址字節(jié)和一些控制信號。P3口亦作為 AT89S52特殊功能(第二功能)使用,如下表所示??撮T狗計時完成后, RST 腳輸出 96 個晶 振周期的高電平。在 flash編程時,此引腳 (PROG )也用作編程輸入脈沖。這一位置 “ 1” , ALE 僅在執(zhí)行 MOVX 或 MOVC指令時有效。當 AT89S52從外部程序存儲器執(zhí)行外部代碼時, PSEN 在每個機器周期被激活兩次,而在訪問外4 部數(shù)據(jù)存儲器時, PSEN 將不被激活。在 flash編程期間, EA 也接收 12伏 VPP電壓。外部程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器都可以 64K尋址。高 128 字節(jié)與特殊功能寄存器重疊。例如,下面的直接尋址指令訪問 0A0H( P2口)存儲單元 MOV 0A0H , data 使用間接尋址方式訪問高 128 字節(jié) RAM。 5 WDT是一種需要軟件控制的復位方式。 WDT計時周期依賴于外部時鐘頻率。當 WDT激活后,用戶必須向 WDTRST寫入 01EH和 0E1H喂狗來避免 WDT溢出。 WDT 計數(shù)器不能讀或?qū)憽T谶@種方式下,用戶不必喂狗。中斷應持續(xù)拉低很長一段時間,使得晶振穩(wěn)定。為了確保在離開掉電模式最初的幾個狀態(tài) WDT不被溢出,最好在進入掉電模式前就復 WDT。 在 AT89S52 中, UART 的操作與 AT89C51 和 AT89C52 一樣。為了獲得更深入的關(guān)于 UART 的信息,可參考 ATMEL 網(wǎng)站( 個主頁,選擇“ Products”,然后選擇“ 8051Architech Flash Microcontroller”,再選擇“ Product Overview”即可。如表 3 所示,工作模式由 T2CON中的相關(guān)位選擇。 7 表 3 定時器 2工作模式 RCLK +TCLK CP/RL2 TR2 MODE 0 0 1 16位自動重載 0 1 1 16位捕捉 1 X 1 波特率發(fā)生器 X X 0 (不用) 在計數(shù)工作方式下,寄存器在相關(guān)外部輸入角 T2 發(fā)生 1 至 0 的下降沿時增加 1。因為識別 1- 0的跳變需要 2個機器周期( 24個晶振周期),所以,最大的計數(shù)頻率不高于晶振頻率的 1/24。如果 EXEN2=1,定時器 2做相同的操作。 當定時器 2 工作于 16 位自動重載模式,可對其編程實現(xiàn)向上計數(shù)或向下計數(shù)。 DCEN=0 時,定時器 2 自動計數(shù)。定時器工作于捕捉模式, RCAP2H和 RCAP2L的值可以由軟8 件預設。在這種模式下, T2EX引腳控制著計數(shù)的方向。 T2EX 上的一個邏輯 0 使得定時器 2 向下計數(shù)。在這種工作模式下, EXF2不能觸發(fā)中斷。波特率產(chǎn)生工作模式與自動重載模式相似,因此, TH2 的翻轉(zhuǎn)使得定時器 2 寄存器重載被軟件預置 16位值的 RCAP2H和 RCAP2L中的值。波特率計算公式如下: 1 3 = 3 2 [ 6 5 5 3 6 ]?? 晶 振 頻 率模 式 和 模 式 波 特 率 ( RCAP2H,RCAP2L ) 其中,( RCAP2H,RCAP2L)是 RCAP2H和 RCAP2L組成的 16位無符號整數(shù)。 TH2或 TL2不應該讀寫。 可以通過編程在 引腳輸出一個占空比為 50%的時鐘信號。為了把定時器 2配置成時鐘發(fā)生器,位 C/T2 ( )必須清 0,位 T2OE( )必須置 1。不過,波特率和輸出時鐘頻率相互并不 獨立,它們都依賴于 RCAP2H和 RCAP2L。 。定時器 2可以被寄存器T2CON中的 TF2和 EXF2的或邏輯觸發(fā)。它們的值一直到下一個周期被電路捕捉下來。從外部時鐘源驅(qū)動器件的話, XTAL2 可以不接,而從 XTAL1 接入。在這種狀態(tài)下,片上 RAM和特殊功能寄存器的內(nèi)容 保持不變。 在掉電模式下,晶振停止工作,激活掉電模式的指令是最后一條執(zhí)行指令。在 VCC未恢復到正常工作電壓時,硬件復位不能無效,并且應保持足夠長的時間以使晶振重新工作和初始化。掉電模式可以通過硬件復位和外部中斷退出。由硬件復位終止空閑模式只需兩個機器周期有效復位信號,在這種情況下,片上硬件禁止訪問內(nèi)部 RAM,而可以訪問端口引腳。 在空閑工作模式下, CPU 處于睡眠狀態(tài),而所有片上外部設備保持激活狀態(tài)。 AT89S52 單片機有一個用于構(gòu)成內(nèi)部振 蕩器的反相放大器, XTAL1 和 XTAL2 分別是放大器的輸入、輸出端。實際上,中斷服務程序必須判定是否是 TF2 或 EXF2激活中斷,標志位也必須由軟件清 0。用戶軟件不應給這些位寫 1。每個中斷源都可以通過置位或清除特殊寄存器 IE 中的相關(guān)中斷允許控制位分別使得中斷源有效或無效。時鐘輸出頻率取決于晶振頻率和定時器 2捕捉寄存器( RCAP2H, RCAP2L)的重載值,如公式所示: 在時鐘輸出模式下,定時器 2不會產(chǎn)生中斷,這和定時器 2用作波特率發(fā)生器一樣。它可以通過編程作為定時器 /計數(shù)器 2 的外部時鐘輸入或占空比為 50%的時鐘輸出。寄存器 RCAP2可以讀,但不能寫,因為寫可能和重載交迭,造成寫和重載錯誤。因此,定時器 2作為波特率發(fā)生器,T2EX也還可以作為一個額外的外部中斷。在多數(shù)應用情況下,一般配置成定時方式( CP/T2 =0)。如果定時器 2作為發(fā)送或接收波特率發(fā)生器,定時器 1可用作它用,發(fā)送和接收的波特率可以不同。計數(shù)器下溢,置位 TF2,并將 0FFFFH加載到定時器存儲器中。定時器計到 0FFFFH溢出,并置位 TF2。這個跳變也置位 EXF2中斷標志位。如果 EXEN2=0,定時器 2計數(shù),計到0FFFFH后置位 TF2溢出標志。通過復位, DCEN 被置為 0,因此,定時器 2 默認為向上計數(shù)。除此之外, T2EX 的跳變會引起 T2CON 中的 EXF2 置位。 在捕捉模式下,通過 T2CON中的 EXEN2來選擇兩種方式。一個機器周期采樣到高電平,而下一個周期采樣到低電平,計數(shù)器將加 1。在定時工作方式中,每個機器周期, TL2 寄存器都會加 1。其工作方式由特殊寄存器 T2CON中的 C/T2位選擇(如表 2所示)。從這個主頁,選擇“ Products”,然后選擇“ 8051Architech Flash Microcontroller”,再 選擇“ ProductOverview”即可。默認狀態(tài)下,在待機模式下, WDIDLE= 0, WDT繼續(xù)計數(shù)。為了防止 WDT在中斷保持低電平的時候復位器件, WDT 直到中斷拉低后才開始工作。通過硬件復位退出掉電模式后,用戶就應該給 WDT 喂狗,就如同通常 AT89S52 復位一樣。為了很好地使用 WDT,應該在一定時間內(nèi)周期性寫入那部分代碼,以避免 WDT復位。晶振正常工作、 WDT激活后,每一個機器 周期 WDT 都會增加。當WDT溢出,它將驅(qū)動 RSR引腳一個高個電平輸出。 WDT 在默認情況下無法工作;為了激活 WDT,戶用必須往 WDTRST 寄存器(地址: 0A6H)中依次寫入 01EH 和 0E1H。 MOV R0 , data 堆棧操作也是簡介尋址方式。當一條指令訪問高于 7FH 的地址時,尋址方式?jīng)Q定 CPU 訪問高 128 字節(jié) RAM 還是特殊功能寄存器空間。對于 89S52,如果 EA 接 VCC,程序讀寫先從內(nèi)部存儲器(地址為 0000H~ 1FFFH)開始,接著從外部尋址,尋址地址為: 2021H~FFFFH。 XTAL2: 振蕩器反相放大器的輸出端。為使能從 0000H 到 FFFFH的外部程序存儲器讀取指令, EA 必須接 GND。這個 ALE 使能標志位(地址為 8EH的 SFR的第 0位)的設置對微控制器處于外部執(zhí)行模式下無效。然而,特別強調(diào),在每次訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時, ALE脈 沖將會跳過。 DISRTO默認狀態(tài)下,復位高電平有效。 表 2 引腳號 第二功能 RXD(串行輸入) TXD(串行輸出) INT0 (外部中斷 0) INT1 (外部中斷 1) T0(定時器 0外部輸入) T1定時器 1外部輸入) WR (外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通 ) RD (外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通 ) RST: 復位輸入。對 P3 端口寫“ 1”時,內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時可以作為輸入口使用。在這種
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