20xx年醫(yī)學(xué)專題—脈沖基礎(chǔ)知識(shí)和反相器11-資料下載頁
2024-11-17 00:10本頁面
【正文】 )的 MOS 反相器,1．電路(di224。nl249。),V1 ——驅(qū)動(dòng)(qū d242。nɡ)管，作開關(guān)用，跨導(dǎo)較大； V2 ——負(fù)載管，作負(fù)載用，始終工作在飽和區(qū)，跨導(dǎo)較小。,2．工作原理,vI ???vGS VT1 時(shí)， V1 導(dǎo)通，vO 為低電平； vI? ??vGS VT1 時(shí)，V1 截止，vO 為高電平；這時(shí) V2 飽和導(dǎo)通，等效電阻 RDS 小，? ???RDS CL 小，提高了工作速度。,3．缺點(diǎn),V2 始終導(dǎo)通，功耗大，不利于集成，解決辦法 — CMOS 反相器。,第三十頁，共三十九頁。,三、CMOS 反相器,用 N 溝道和 P 溝道 MOS 管聯(lián)合(li225。nh233。)組成反相器。,特點(diǎn)(t232。diǎn)：,(1)VN －N 溝道(ɡōu d224。o) MOS 管，作驅(qū)動(dòng)管。,VP－P 溝道 MOS 管，作負(fù)載管。,(2)柵極相連接輸入，漏極相連接輸出。,(3) VDD |VPT| + VTN,第三十一頁，共三十九頁。,工作(gōngzu242。)原理：,vI = 0 (低電平)，VGS1 |VTP|，V2 導(dǎo)通，vO 為高電平。,vI = 1 (高電平)，VGS1 VTN ，V1 導(dǎo)通；,但 |VGS2| |VTP|，V2 截止(ji233。zhǐ)，vO 為低電平。,第三十二頁，共三十九頁。,功能(gōngn233。ng)：,反相器,優(yōu)點(diǎn)(yōudiǎn)：,無論輸出高、低電平，均有一管導(dǎo)通，充放電時(shí)間常數(shù)(sh237。 jiān ch225。nɡ sh249。) ? 小，工作速度快；,VV2 必有一個(gè)截止，功耗低。,第三十三頁，共三十九頁。,本章(běn zhānɡ)小結(jié),第三十四頁，共三十九頁。,微分電路與積分電路的比較(bǐji224。o),第三十五頁，共三十九頁。,判斷三極管工作(gōngzu242。)狀態(tài)的條件(NPN 管),第三十六頁，共三十九頁。,幾種(jǐ zhǒnɡ)反相器比較,第三十七頁，共三十九頁。,學(xué)時(shí)(xu233。sh237。)分配,第三十八頁，共三十九頁。,內(nèi)容(n232。ir243。ng)總結(jié),本章學(xué)習(xí)目標(biāo)。脈沖技術(shù)是電子技術(shù)的重要組成部分，應(yīng)用廣泛。脈沖：瞬間突然變化、作用(zu242。y242。ng)時(shí)間極短的電壓或電流稱為脈沖信號(hào)，簡稱為脈沖。理想的矩形波上升沿、下降沿陡直。(2)應(yīng)用“積分延時(shí)”現(xiàn)象，把跳變電壓“延緩”。(3)從寬窄不同的脈沖串中，把寬脈沖選出來。定義：IBS ——基極臨界飽和電流。VGB ——基極電源(可省)。Rk，Rb ——基極偏置電阻?？梢?，輸出信號(hào)與輸入信號(hào)是反相的。突出變化量，壓低恒定量。體積大，功耗大,第三十九頁，共三十九
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1