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正文內(nèi)容

20xx年醫(yī)學專題—經(jīng)顱磁刺激-資料下載頁

2024-11-16 04:23本頁面
  

【正文】 功能重建, 從而達到運動功能康復的 目的,第三十頁,共三十四頁。,謝 謝!,第三十一頁,共三十四頁。,根據(jù)TMS刺激脈沖不同,可以將TMS分為三種刺激模式:單脈沖TMS(sTMS)、雙脈沖TMS(pTMS)和重復性TMS(rTMS)。rTMS是在某一特定皮質(zhì)部位給予重復刺激的過程。rTMS在神經(jīng)元不應期也可以刺激,所以能興奮更多水平方向的神經(jīng)元,不僅引起生物學效應,影響刺激局部和功能相關(xiāngguān)的遠隔皮層功能,實現(xiàn)皮層功能區(qū)域性重建,而且產(chǎn)生的生物學效應可持續(xù)到刺激停止后一段時間,已成為研究神經(jīng)網(wǎng)絡功能重建的良好工具。 rTMS可以通過改變它的刺激頻率而分別達到興奮或抑制局部大腦皮層功能的目的: 高頻(刺激速率高于1Hz)興奮皮層 低頻(刺激速率低于1Hz)降低皮層的興奮性。,第三十二頁,共三十四頁。,國外已經(jīng)有多篇報道,運用重復經(jīng)顱磁刺激治療成年以及青少年的多發(fā)性抽動癥,其中抽動癥狀獲得比較明顯的改善。 經(jīng)顱磁刺激(transcranial magnetic stimulation ,TMS )技術是一種利用脈沖磁場作用于中樞神經(jīng)系統(tǒng)(主要是大腦),改變皮層神經(jīng)細胞的膜電位,使之產(chǎn)生感應電流,影響腦內(nèi)代謝和神經(jīng)電活動,從而引起一系列生理生化反應的磁刺激技術。 原理:TMS的腦磁刺激是在腦外經(jīng)顱施加強脈沖磁場實現(xiàn)的。細胞膜保持一個電位差,靜態(tài)細胞的跨膜電位差是 70mV。磁刺激儀電路加載到線圈上產(chǎn)生的脈沖磁場在腦內(nèi)感應出外加電場,電場疊加到細胞膜兩側(cè)可以改變細胞膜電位差,因此外加電場能夠極化細胞膜,激活(jī hu243。)可興奮組織。當感應電流超過神經(jīng)組織興奮域值時,磁刺激就像電刺激一樣刺激相應部位的組織。由麥克斯韋方程組時變磁場產(chǎn)生感應電場和感應電流,知道磁場大小和分布后就可以推導出感應電場和電流。,第三十三頁,共三十四頁。,內(nèi)容(n232。ir243。ng)總結,經(jīng)顱磁刺激。3. 皮質(zhì)內(nèi)抑制(y236。zh236。)及易化:探明各種神經(jīng)、精神性疾病時半球間、不。癲癇風險其誘發(fā)癲癇的危險因素為顱。精神分裂癥患者運動閾值(MT)和運動誘發(fā)電位潛伏期與正常人存在區(qū)別,說明皮質(zhì)脊髓束興奮性存在差異。皮質(zhì)抑制(y236。zh236。)性研究:小腦抑制(y236。zh236。)性有差異。機理:幻覺認為與顳頂葉活動增強有關,因此對顳頂葉進行低頻刺激來與降低語言加工環(huán)路皮質(zhì)的興奮性。陰性癥狀與前額葉皮質(zhì)活動減弱有關,因此對前額葉皮質(zhì)。2500/天,5天,第三十四頁,共三十
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