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正文內(nèi)容

計算機組成原理中斷實驗優(yōu)秀范文5篇-資料下載頁

2024-10-25 03:09本頁面
  

【正文】 求的脈沖信號。當“STOP”開關(guān)置為“RUN”狀態(tài)、“STEP”開關(guān)置為“STEP”狀態(tài)時,每按動一次微動開關(guān)START,則T3輸出一個單脈沖,其脈沖寬度與連續(xù)方式相同。用PC聯(lián)機軟件中的示波器功能也能看到波形。這樣可以代替真實示波器。(2)按圖22連接實驗線路,仔細查線無誤后接通電源。圖22 靜態(tài)隨機存儲器實驗接線圖(3)寫存儲器。給存儲器的00、00004地址單元中分別寫入數(shù)據(jù)11H、12H、13H、14H、15H。由上面的存儲器實驗原理圖(圖22)看出,由于數(shù)據(jù)和地址全由一個數(shù)據(jù)開關(guān)給出,因此要分時地給出。下面的寫存儲器要分兩個步驟:第一步寫地址,先關(guān)掉存儲器的片選(CE=1),打開地址鎖存器門控信號(LDAR=1),打開數(shù)據(jù)開關(guān)三態(tài)門(SWB=0),由開關(guān)給出要寫入的存儲單元的地址,按動START產(chǎn)生T3脈沖將地址打入到地址鎖存器;第二步寫數(shù)據(jù),關(guān)掉地址鎖存器門控信號(LDAR=0),打開存儲器片選(CE=0),使之處于寫狀態(tài)(CE=0,WE=1),由開關(guān)給出此單元要寫入的數(shù)據(jù),按動STRAT產(chǎn)生T3脈沖將數(shù)據(jù)寫入到當前的地址單元中。寫其他單元依次循環(huán)上述步驟。寫存儲器流程如圖23所示(以向00號單元寫入11H為例)。圖23 寫存儲器流程圖(4)讀存儲器。依次讀出第00、00004號單元中的內(nèi)容,觀察上述各單元中的內(nèi)容是否與前面寫入的一致。同寫操作類似,讀每個單元也需要兩步:第一步寫地址,先關(guān)掉存儲器的片選(CE=1),打開地址鎖存器門控信號(LDAR=1),打開,由開關(guān)給出要讀存儲單元的地址,按動START產(chǎn)生T3脈沖將地址打入到地址鎖存器;第二步讀存儲器,關(guān)掉數(shù)據(jù)開關(guān)三態(tài)門(SWB=1),打開存儲器(CE=0),使它處于讀狀態(tài)(CE=0,WE=0),此時數(shù)據(jù)總線上顯示的數(shù)據(jù)即為從存儲器當前地址中讀出的數(shù)據(jù)內(nèi)容。讀其他單元依次循環(huán)上述步驟。讀存儲器操作流程如下圖24所示(以從00號單元讀出11H數(shù)據(jù)為例)。圖24 讀存儲器流程圖實驗結(jié)果:置入存儲器地址00 寫入存儲器數(shù)據(jù) 11H 置入存儲器地址01 寫入存儲器數(shù)據(jù)12H 置入存儲器地址02 寫入存儲器數(shù)據(jù)13H 置入存儲器地址03 寫入存儲器數(shù)據(jù)14H 置入存儲器地址04 寫入存儲器數(shù)據(jù)15H讀數(shù)據(jù)置入存儲器地址00 讀出存儲器數(shù)據(jù)11H 置入存儲器地址01 讀出存儲器數(shù)據(jù)12H 置入存儲器地址02 讀出存儲器數(shù)據(jù)13H 置入存儲器地址03 讀出存儲器數(shù)據(jù)14H 置入存儲器地址04 讀出存儲器數(shù)據(jù)15H 實驗思考題(1)一片靜態(tài)存儲器6116(2K8),容量是多大?因?qū)嶒炏渖系刂芳拇嫫髦挥?位接入6116的A7-A0,而高三位A8-A10接地,所以實際存儲容量是多少?為什么?答:容量是16kbit大小,當只有A7A0只有8位字時,實際容量是256*8=4Kbit大小。(2)歸納出向存儲器寫入一個數(shù)據(jù)的過程,包括所需的控制信號(為“1”還是為“0”)有效。答:根據(jù)實驗指導書上WR0有效,此時為寫入數(shù)據(jù)心得體會:通過這次實驗掌握了靜態(tài)存儲器的基本原理,以及存儲器是如何寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)的,強化了計算機存儲器的理解第五篇:計算機組成原理實驗(存儲器)實驗3 半導體存儲器原理實驗(一)、實驗目的(1)熟悉靜態(tài)隨機存儲器RAM和只讀存儲器ROM的工作特性和使用方法;(2)熟悉半導體存儲器存儲和讀出數(shù)據(jù)的過程;(3)了解使用半導體存儲器電路時的定時要求。(二)、實驗要求利用Quartus Ⅱ器件庫提供的參數(shù)化存儲單元,設計一個由128X8位的RAM和128X8位的ROM構(gòu)成的存儲器系統(tǒng)。請設計有關(guān)邏輯電路,要求仿真通過,并設計波形文件,驗證該存儲器系統(tǒng)的存儲與讀出。(三)、實驗原理圖與仿真圖ram內(nèi)所存儲的數(shù)據(jù):rom內(nèi)所存儲的數(shù)據(jù):仿真圖如下:(四)心得體會本次試驗中,我們應該熟練掌握Quartus Ⅱ軟件的使用方法;熟悉靜態(tài)隨機存儲器RAM和只讀存儲器ROM的工作特性和使用方法;熟悉半導體存儲器存儲和讀出數(shù)據(jù)的過程;了解使用半導體存儲器電路時的定時要求。并且制定實驗方案然后進行實驗驗證。要學會將學到的知識運用到實際中。
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