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ibis與si仿真-資料下載頁(yè)

2025-03-10 23:37本頁(yè)面
  

【正文】 ? IV curve: [Power clamp]clamp和 [GND clamp]clamp二極管特性曲線 ? 半導(dǎo)體芯片電容 C_p ? 封裝的 RLC 特性 等效電路圖為: ? 2. 接收器模型(輸入模型) ? IV curb: [Power clamp]clamp和 [GND clamp]clamp二極管特性 ? 半導(dǎo)體芯片的電容 C_p ? 封裝的 LCR特性 等效電路圖為: ? 典型值、最小值和最大值 .這些是由工作環(huán)境的溫度、電源電壓以及工藝制程的變化來決定的。使用各種數(shù)據(jù)的最小值和最大值,就可以表現(xiàn)出模型的最差和最好情況。例如,要得到一個(gè)快速的模型,可以使用最高值的電流、最快的 ramp數(shù)據(jù)以及最小的封裝寄生參數(shù):而要得到慢速的模型則正好相反。在有的模型中,并不提供最小值和最大值,只是用 N/A來表示,如上面舉的 Power Clamp的例子。而典型值在模型中是必須要提供的。 ? 慢模式(驅(qū)動(dòng)能力最弱,邊緣變換最慢)、典型的模式和快模式(驅(qū)動(dòng)能力最強(qiáng),邊緣變換最快)。這些工作的模式一般是以下幾種情況所決定: – 硅片的工作環(huán)境,如器件的功率和周圍環(huán)境的溫度 – 硅片的操作的限制 – 同步輸出開關(guān)的數(shù)量 ? 模型對(duì)不對(duì)還需要看版本號(hào)。因?yàn)槟P褪切枰拚摹_@個(gè)一定要注意。 ? 工程化的高速 PCB 信號(hào)完整性與電磁兼容性仿真工具,操 ? 作簡(jiǎn)便,易于掌握 ? ? 支持所有 PCB 環(huán)境下的設(shè)計(jì) ? 文件 ? ? 支持 PCB前仿真 /后仿真分析 ? ? 支持 PCB疊層結(jié)構(gòu)、 物理參數(shù) ? 的提取與設(shè)定 ? ? 支持各種傳輸線的阻抗規(guī)劃與 ? 計(jì)算 ? ? 支持反射、串?dāng)_、損耗、過孔 ? 效應(yīng)及電磁兼容性分析 ? ? 通過匹配向?qū)楦咚倬W(wǎng)絡(luò)提供 ? 串行、并行及差分匹配等方案 ? ? 支持多板分析,可對(duì)板間傳輸 ? 的信號(hào)進(jìn)行反射、串?dāng)_及損耗 ? 分析 ? ? 提供 DDR/DDRII/USB/SATA/ ? PCIX 等多種 Design Kit 演講完畢,謝謝觀看!
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