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2025-02-26 09:55本頁(yè)面
【正文】 第一章 常用半導(dǎo)體器件 )1e(S ??TUuIiIS ：反向飽和電流 UT ：溫度的電壓當(dāng)量 在常溫 (300 K)下， UT ? 26 mV 三、 PN 結(jié)的電流方程 PN結(jié)所加端電壓 u與流過(guò)的電流 i的關(guān)系為 )1e(S ?? ktuqIi公式推導(dǎo)過(guò)程略 第一章 常用半導(dǎo)體器件 四、 PN結(jié)的伏安特性 i = f (u )之間的關(guān)系曲線 。 60 40 20 – – 0 –25 –50 i/ mA u / V 正向特性 死區(qū)電壓 擊穿電壓 U(BR) 反向特性 圖 PN結(jié)的伏安特性 反向擊穿 齊納擊穿 雪崩擊穿 第一章 常用半導(dǎo)體器件 五、 PN結(jié)的電容效應(yīng) 當(dāng) PN上的電壓發(fā)生變化時(shí)， PN 結(jié)中儲(chǔ)存的電荷量 將隨之發(fā)生變化，使 PN結(jié)具有電容效應(yīng)。 電容效應(yīng)包括兩部分 勢(shì)壘電容 擴(kuò)散電容 1. 勢(shì)壘電容 Cb 是由 PN 結(jié)的空間電荷區(qū)變化形成的。 (a) PN 結(jié)加正向電壓 （ b) PN 結(jié)加反向電壓 ? N 空間 電荷區(qū) P V R I + U N 空間 電荷區(qū) P R I + ? U V 第一章 常用半導(dǎo)體器件 空間電荷區(qū)的正負(fù)離子數(shù)目發(fā)生變化 ， 如同電容的放電和充電過(guò)程 。 勢(shì)壘電容的大小可用下式表示： lSUQC ???ddb 由于 PN 結(jié) 寬度 l 隨外加電壓 u 而變化 ， 因此 勢(shì)壘電容 Cb不是一個(gè)常數(shù) 。 其 Cb = f (U) 曲線如圖示 。 ? ：半導(dǎo)體材料的介電比系數(shù)； S ：結(jié)面積； l ：耗盡層寬度 。 O u Cb 圖 （ b) 第一章 常用半導(dǎo)體器件 2. 擴(kuò)散電容 Cd ? Q 是由多數(shù)載流子在擴(kuò)散過(guò)程中積累而引起的 。 在某個(gè)正向電壓下 ， P 區(qū)中的電子濃度 np(或 N 區(qū)的空穴濃度 pn)分布曲線如圖中曲線 1 所示 。 x = 0 處為 P 與 耗盡層的交界處 當(dāng)電壓加大 ， np (或 pn)會(huì)升高 ，如曲線 2 所示 (反之濃度會(huì)降低 )。 O x nP Q 1 2 ? 當(dāng)加反向電壓時(shí) ， 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)被削弱 ，擴(kuò)散電容的作用可忽略 。 ? 正向電壓變化時(shí) ， 變化載流子積累電荷量發(fā)生變化 ， 相當(dāng)于電容器充電和放電的過(guò)程 —— 擴(kuò)散電容效應(yīng) 。 圖 P N PN 結(jié) 第一章 常用半導(dǎo)體器件 綜上所述： PN 結(jié)總的結(jié)電容 Cj 包括勢(shì)壘電容 Cb 和擴(kuò)散電容 Cd 兩部分。 Cb 和 Cd 值都很小 ， 通常為幾個(gè)皮法 ~ 幾十皮法 ， 有些結(jié)面積大的二極管可達(dá)幾百皮法 。 當(dāng)反向偏置時(shí)，勢(shì)壘電容起主要作用，可以認(rèn)為 Cj ? Cb。 一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)二極管正向偏置時(shí)，擴(kuò)散電容起主要作用，即可以認(rèn)為 Cj ? Cd； 在信號(hào)頻率較高時(shí)，須考慮結(jié)電容的作用。 第一章 常用半導(dǎo)體器件 作業(yè)： 第一章 常用半導(dǎo)體器件 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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