【總結(jié)】半導體制造工藝第2章 半導體制造工藝概況第2章 半導體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序,消耗6~8周的時間,看似復雜,而實際上是將幾大工藝技術順序、重復運用的過程,最終在硅片上實現(xiàn)所設計的圖形和電學結(jié)構(gòu)。在講述各個工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程
2025-03-01 04:28
【總結(jié)】課題名稱制造總部海外分廠小組名:雄鷹參與部門:質(zhì)量工程/生產(chǎn)/SQM小組簡介1、小組名稱:啄木鳥小組2、所屬單位:制造總部海外分廠3、課題類型:現(xiàn)場型4、活動時間:—5、活動次數(shù):15次6、出席率:85%小組成員組長:王杰生產(chǎn)部陳遠超肖
2025-02-06 18:09
【總結(jié)】集成電路版圖設計與驗證第三章半導體制造工藝簡介學習目的v(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理v(2)了解集成電路制造工藝v(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容工藝流程工藝集成v半導體硅原子結(jié)構(gòu):4個共價鍵,比較穩(wěn)定,沒有明顯的自由電子。v1、半導體能帶v禁帶帶隙介于導體和絕緣體之間v2
2025-03-01 12:21
【總結(jié)】1、廠部對設備故障停機時間的控制非常嚴格,2023年方針目標管理明確規(guī)定制絲設備故障停機時間≤77分鐘/萬箱。2、小組對2023年8~12月各線故障停機時間所占比例進行分類統(tǒng)計,如圖所示,加香加料系統(tǒng)故障停機時間所占比例最大,占5個月的總停機時間31%,其中葉梗加料現(xiàn)場故障停機時間占整個加香加料系統(tǒng)故障停機時間的73%13%11%31%
2025-02-06 22:45
【總結(jié)】......提高檢驗標本合格率PDCA(持續(xù)改進案例)1、“F”階段——發(fā)現(xiàn)問題階段2014年8月標本與報告管理小組反映,檢驗科不合格標本增多,對檢驗科日常工作影響很大,故組織標本與報告管理小組對8月份標本合格率進行統(tǒng)
2025-06-19 19:20
【總結(jié)】提高供電電壓合格率郟縣供電有限責任公司生產(chǎn)管理QC小組發(fā)布人:楊亞會?一、小組概況小組名稱:生產(chǎn)管理QC小組類型:管理型成立時間:2022年6月注冊時間:2022年7月注冊號:JDQC—2022—18課題名稱:提高供電電壓合格率活動時間:2022年7月~12月活
2025-04-29 07:50
【總結(jié)】(2020年第一季度)品質(zhì)部產(chǎn)品出廠合格率統(tǒng)計表序號月份合格批數(shù)月度出貨總批數(shù)產(chǎn)品出廠合格率目標值是否達標?12月22100%98%達標23月44100%98%達標34月11100%98%達標————
2025-07-30 12:44
【總結(jié)】半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術。用照相復印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或注入摻雜光刻的目的:光
【總結(jié)】電信學院微電子教研室半導體制造技術byMichaelQuirkandJulianSerda淀積電信學院微電子教研室半導體制造技術byMichaelQuirkandJulianSerda概述薄膜淀積是芯片加工過程中一個至關重要的工藝步驟,通過淀積工藝可以在硅片上生長導各種導電薄膜層和絕緣薄膜層。
【總結(jié)】提高屋面防水合格率單位名稱:小組名稱:港西街中心幼兒園QC小組發(fā)布人:目錄選題背景1QC小組簡介2選題理由3效果檢查10鞏固措施11總結(jié)及今后打算12現(xiàn)狀調(diào)查4
2025-03-08 07:04
【總結(jié)】一、晶圓處理制程?? 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術最復雜且資金投入最多的過程,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達數(shù)百道,而其所需加工機臺先進且昂貴,動輒數(shù)千萬一臺,其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵量(Particle)均需控制的無塵室(Clean-Ro
2025-04-07 20:43
【總結(jié)】2017年廣西施工企業(yè)QC小組成果資料提高陡坡高大模架體施工合格率廣西建工集團第五建筑工程有限責任公司荔園飯店項目QC小組目錄一、工程概況 1二、小組概況 2三、選擇課題 4四、現(xiàn)狀調(diào)查 5五、設定目標 9六、原因分析 9七、要因確定 11八、制定對策 25九、對策實施 27十、檢
2025-05-17 12:09
【總結(jié)】提高沖渣水合格率凈化QC小組情況簡介2023年1月成立時間活動頻次每月兩次課題類型活動時間注冊號小組人數(shù)攻關型AG2023/01-082023年1-12月10人凈化QC小組小組成員情況組長聯(lián)絡員數(shù)據(jù)采集數(shù)據(jù)分析、效果檢查現(xiàn)場實施馮海軍張方華祥、張繼明顧興林、張化強、馮江華
2025-01-16 17:36
【總結(jié)】提高高純釩合格率提高高純釩合格率五氧化二釩作業(yè)區(qū)第七五氧化二釩作業(yè)區(qū)第七QC小組小組攀鋼集團釩業(yè)有限公司攀鋼集團釩業(yè)有限公司匯報提綱l一.小組概況l二.選擇課題l三.現(xiàn)狀調(diào)查l四.目標設定l五.原因分析l六.要因確認l七.制定對策l八.對策實施l九.檢查效果l十.總結(jié)打算攀鋼集團釩業(yè)有限公司攀鋼集團
2025-01-08 18:15
【總結(jié)】半導體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
2025-03-01 04:31