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2025-02-05 05:21本頁面
【正文】 A/Δ Δ：曲線積分面積 圖 3 S 參數(shù)及 W 參數(shù)變化． 400℃ 退火溫度以前 :S， W 參數(shù)基本不變，說明在這一階段 缺陷保持穩(wěn)定 ，正電子被缺陷所俘獲，與低動量電子湮沒的概率沒有明顯變化． 400 到 900 ℃ 間時，可以看到隨著退火溫度逐漸升高， S 參數(shù)逐漸減小，W 參數(shù)逐漸增大，結(jié)合壽命譜分析，這是由于 Zn 空位開始恢復(fù)，空位團逐漸收縮 直至消失，從而導(dǎo)致正電子與低動量電子發(fā)生湮沒的概率降低所造成的． 退火溫度高于 900℃ ， S 參數(shù)、 W 參數(shù)保持不變也說明了此時樣品中 空位型缺陷已經(jīng)基本被清除 ． 退火處理 Fe43 Co43 Hf7 B6 Cu1非晶合金的正電子湮沒研究 金屬的 S參數(shù)與溫度 T的關(guān)系 T＝ 空位處湮滅 )/exp( kTHACvv ??捕獲率同單空位濃度成正比 Co合金 S參數(shù)隨退火溫度的變化 空位遷移 回復(fù) 位錯攀移 回復(fù) 溶質(zhì)－缺陷復(fù)合體 3種成分 應(yīng)變速率對 S－ ε曲線的影響 純鐵慢速拉伸 空位聚集 空位飽和 PAT測量裂紋尖端塑性區(qū) 計算： 測量： S值與退火溫度 正電子湮沒誘發(fā)俄歇電子能譜裝置的物理設(shè)計 秦秀波 王 平 姜小盼 于潤升 王寶義 魏 龍 如圖 1(a)， 50 eV 正電子在 4 103 T 均勻磁場中傳輸，在 E B 能量選擇器的作用下偏離軸心 30 mm進入法拉第筒，并在另一個E B 板的作用下回到軸心、飛出法拉第筒，入射到 200 mm 處的樣品。低能正電子以很高的幾率擴散到樣品表面，并被一個 “ image correlation”勢阱中捕獲并湮沒 [3]，其中一部分正電子與樣品的內(nèi)殼層電子湮沒，并誘發(fā)俄歇過程 (圖 2)。俄歇電子在樣品表面具有 2π 角發(fā)射，為減小其角分布以提高探測效率，在樣品背后放置一個釹鐵硼 (NdFeB)磁鐵，其在樣品表面產(chǎn)生 T磁場，在強弱磁場梯度的絕熱近似下，俄歇電子被平行化，經(jīng)法拉第筒的能量調(diào)制后，在 E B 板的作用下偏離軸心運動，飛出法拉第筒后被微通道板光電倍增管 (Microchannelplate Photo Multiply Tube， MCPPMT)探測。 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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